상세 정보 |
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자료: | SiC 단결정 4H-N 유형 | 학년: | 거짓/연구 /Production 급료 |
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Thicnkss: | 350um 또는 500um | Suraface: | CMP/MP |
응용 프로그램: | 장치 제작자 닦는 시험 | 직경: | 100±0.3mm |
하이 라이트: | 실리콘 탄화물 기질,sic 웨이퍼 |
제품 설명
4H-N 테스트 급료 6inch dia 150mm 실리콘 탄화물 단결정 (sic) 기질 웨이퍼, sic 수정같은 주괴 sic 반도체 기질, 실리콘 탄화물 수정같은 웨이퍼 Customzied 것과 같이 커트 sic 웨이퍼
실리콘 탄화물 (SiC) 결정에 관하여
실리콘 탄화물 (SiC), 일컬어 카보런덤은, 화학 공식 SiC를 가진 실리콘 그리고 탄소를 포함하는 반도체입니다. SiC는 고열 또는 높은 전압에 작동하는 반도체 전자공학 장치에서 사용됩니다, 또는 both.SiC는 또한 중요한 LED 성분의 한개입니다, GaN 장치 성장을 위한 대중적인 기질이고, 또한 높 힘 LEDs에 있는 열 스프레더로 봉사합니다
인치 직경 4개 실리콘 탄화물 (SiC) 기질 명세
급료 |
영 MPD 생산 급료 (Z 급료) |
생산 급료 (P 급료) |
거짓 급료 (D 급료) |
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직경 |
99.5-100 mm |
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간격 |
4H-N |
350 μm±25μm |
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4H-SI |
500 μm±25μm |
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웨이퍼 오리엔테이션 |
축선 떨어져: 4.0°toward<> 1120년 > 축선에 4H-N를 위한 ±0.5°: <0001>4H-SI를 위한 ±0.5° |
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Micropipe 조밀도 |
4H-N |
≤0.5cm-2 |
≤2개cm-2 |
≤15cm-2 |
4H-SI |
≤1cm-2 |
≤5개cm-2 |
≤15cm-2 |
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저항력 |
4H-N |
0.015~0.025 Ω·cm |
0.015~0.028 Ω·cm |
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4H-SI |
≥1E7Ω·cm |
≥1E5Ω·cm |
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1 차적인 평지 |
{10-10} ±5.0° |
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1 차적인 편평한 길이 |
32.5 mm±2.0 mm |
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이차 편평한 길이 |
18.0mm±2.0 mm |
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이차 편평한 오리엔테이션 |
위로 향한 실리콘: 90° CW. 주요한 편평한 ±5.0°에서 |
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가장자리 배타 |
2개 mm |
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LTV/TTV/Bow /Warp |
≤4μm/≤10μm/≤25μm/≤35μm |
≤10μm/≤15μm/≤25μm/≤40μm |
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소밀 |
광택이 있는 ra ≤1nm |
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CMP ra ≤0.5nm |
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고강도 빛으로 균열 |
아무도 |
점증적으로 길이 ≤ 10mm, 단 하나 length≤2mm |
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고강도 빛에 의하여 육 판 |
점증적으로 지역 ≤0.05% |
점증적으로 지역 ≤0.1% |
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고강도 빛에 의하여 Polytype 지역 |
아무도 |
점증적으로 지역 ≤3% |
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시각적인 탄소 포함 |
점증적으로 지역 ≤0.05% |
점증적으로 지역 ≤3% |
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고강도 빛에 의하여 찰상 |
아무도 |
점증적으로 길이 ≤1×wafer 직경 |
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가장자리 칩 |
아무도 |
허용되는 5, ≤제각기1개mm |
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고강도 빛에 의하여 오염 |
아무도 |
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포장 |
다 웨이퍼 카세트 또는 단 하나 웨이퍼 콘테이너 |
주:
* 결점 한계는 가장자리 배타 지역을 제외하면 전체 웨이퍼 표면에 적용합니다. # 찰상은 Si 얼굴을서만 조사되야 합니다.
4H-N 유형/높은 순수성 SiC 웨이퍼/주괴
2 인치 4H N 유형 SiC 웨이퍼/주괴
3 인치 4H N 유형 SiC 웨이퍼 4 인치 4H N 유형 SiC 웨이퍼/주괴 6 인치 4H N 유형 SiC 웨이퍼/주괴 |
반 격리하는 4H/높은 순수성 SiC 웨이퍼 SiC 웨이퍼를 반 격리하는 2 인치 4H
SiC 웨이퍼를 반 격리하는 3 인치 4H SiC 웨이퍼를 반 격리하는 4 인치 4H SiC 웨이퍼를 반 격리하는 6 인치 4H |
6H N 유형 SiC 웨이퍼
2 인치 6H N 유형 SiC 웨이퍼/주괴 |
2-6inch를 위한 Customzied 크기
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판매 & 소비자 봉사
물자 구매
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