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상세 정보 |
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| 자료: | SiC 단결정 4H-N 유형 | 학년: | /Production 거짓 급료 |
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| Thicnkss: | 0.5 m m | Suraface: | 폴 리 쉬 드 |
| 응용 프로그램: | 방위 시험 | 직경: | 10x10x0.5mmt |
| 색깔: | 진한 갈색 | ||
| 하이 라이트: | 사파이어 웨이퍼에 실리콘,sic 웨이퍼 |
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제품 설명
Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC 주괴/높은 순수성 4H-N 4inch 6inch dia 150mm 실리콘 탄화물 단결정 (sic) 기질 wafersS/Customzied 것과 같이 커트 sic 웨이퍼
실리콘 탄화물 (SiC) 결정에 관하여
실리콘 탄화물 (SiC), 일컬어 카보런덤은, 화학 공식 SiC를 가진 실리콘 그리고 탄소를 포함하는 반도체입니다. SiC는 고열 또는 높은 전압에 작동하는 반도체 전자공학 장치에서 사용됩니다, 또는 both.SiC는 또한 중요한 LED 성분의 한개입니다, GaN 장치 성장을 위한 대중적인 기질이고, 또한 높 힘 LEDs에 있는 열 스프레더로 봉사합니다.
| 재산 | 4H SiC의 단결정 | 6H SiC의 단결정 |
| 격자 모수 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 순서를 겹쳐 쌓이기 | ABCB | ABCACB |
| Mohs 경도 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 조밀도 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm. 확장 계수 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 굴절 색인 @750nm | = 2.61 | = 2.60 |
| 절연성 불변의 것 | c~9.66 | c~9.66 |
| 열 전도도 (N 유형, 0.02 ohm.cm) | a~4.2 W/cm·K@298K | |
| 열 전도도 (반 격리) | a~4.9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K |
| 밴드 간격 | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 고장 전기장 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 포화 표류 속도 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
높은 순수성 4inch 직경 실리콘 탄화물 (SiC) 기질 명세
4H-N 유형/높은 순수성 SiC 웨이퍼/주괴 2 인치 4H N 유형 SiC 웨이퍼/주괴 3 인치 4H N 유형 SiC 웨이퍼 4 인치 4H N 유형 SiC 웨이퍼/주괴 6 인치 4H N 유형 SiC 웨이퍼/주괴 | SiC 웨이퍼를 반 격리하는 2 인치 4H SiC 웨이퍼를 반 격리하는 3 인치 4H SiC 웨이퍼를 반 격리하는 4 인치 4H SiC 웨이퍼를 반 격리하는 6 인치 4H |
6H N 유형 SiC 웨이퍼 2 인치 6H N 유형 SiC 웨이퍼/주괴 | 2-6inch를 위한 Customzied 크기 |
ZMKJ Company에 관하여
ZMKJ 깡통은 전자와 광전자 공학 기업에 고품질 단결정 SiC 웨이퍼 (실리콘 탄화물)를 제공합니다. SiC 웨이퍼는 유일한 전기 재산과 더불어 차세대 반도체 물자, 이고 실리콘 박편과 GaAs 웨이퍼와 비교된 우수한 열 재산은, SiC 웨이퍼 고열과 고성능 장치 신청을 위해 더 적당합니다. SiC 웨이퍼는 직경 2-6 인치에서 N 유형, 진한 액체로 처리된 질소, 및 유효한 반 격리 유형 둘 다, 4H 및 6H SiC 공급될, 수 있습니다. 상품 정보 더를 위해 저희에게 연락하십시오.
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