상세 정보 |
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자료: | GaAs 단결정 | 크기: | 6inch |
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두께: | 650um 또는 customzied | 유형의: | 평지의 노치 또는 |
정위: | (100) 2°off | 표면: | DSP |
성장 방법: | VFG | ||
하이 라이트: | gasb 기질,반도체 웨이퍼 |
제품 설명
2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N 유형은 비화 갈륨 GaAs 웨이퍼를 Si 진한 액체로 처리했습니다
제품 설명
(GaAs) 비화 갈륨 웨이퍼
PWAM는 합성 반도체 기질 갈륨 비화물 결정과 웨이퍼를 개발하고 제조합니다. 우리는 진보된 결정 성장 기술, 수직 기온변화도 동결 (VGF) 및 GaAs 웨이퍼 공정 기술 이용하고, 결정 성장, 닦는 가공에 가는 절단에서 생산 라인을 설치하고 웨이퍼 청소와 포장을 위한 100 종류 청정실을 지었습니다. 우리의 GaAs 웨이퍼는 LED, LD 및 마이크로 전자공학 신청을 위한 2~6 인치 주괴/웨이퍼를 포함합니다. 우리는 항상 준국가의 질을 지금 개량하고 큰 크기 기질을 개발하기 위하여 바쳐집니다.
(LED 신청을 위한 GaAs) 비화 갈륨 웨이퍼
- 1. 전자공학에서 주로, 저온 합금 사용해, 비화 갈륨.
- 2. 전자공학에 있는 갈륨의 1 차적인 화합물은 마이크로파 회로, 고속 엇바꾸기 회로 및 적외선 회로에서, 이용됩니다.
- 3. 파란과 보라빛 발광 다이오드 (LEDs) 및 다이오드 레이저가 갈륨 질화물에 의하여 및 인듐 갈륨 질화물, 왜냐하면 반도체 용도는, 생성합니다.
명세 --6 인치 SI 반도체에 첨가하는 소량의 불순물 N 유형 SSP/DSP LED/LD 비화 갈륨 웨이퍼
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성장 방법
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VGF
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오리엔테이션
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<100>
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직경
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150.0 +/- 0.3 mm
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간격
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650um +/- 25um
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폴란드어
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편들어진 닦은 (SSP)를 골라내십시오
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표면 거칠기
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닦는
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TTV/Bow
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<10um>
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반도체에 첨가하는 소량의 불순물
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Si
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전도도 유형
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N 유형
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저항력 (RT에)
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(1.2~9.9) *10-3 옴 cm
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부식 자국 조밀도 (EPD)
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LED <5000>2; LD <500>
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기동성
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LED >1000 cm2/v.s; LD >1500 cm2/v.s
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운반대 농도
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LED > (0.4-4) *1018 /cm 3; LD > (0.4-2.5) *1018 /cm3
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GaAs 웨이퍼 반 지휘의 명세
성장 방법 |
VGF |
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반도체에 첨가하는 소량의 불순물 |
p 유형: Zn |
n 유형: Si |
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웨이퍼 모양 |
둥근 (DIA: 2", 3", 4", 6") |
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지상 오리엔테이션 * |
(100) ±0.5° |
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* 유효한 요청시 어쩌면 다른 오리엔테이션 |
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반도체에 첨가하는 소량의 불순물 |
Si (n 유형) |
Zn (p 유형) |
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운반대 농도 (cm 3) |
(0.8-4) × 1018년 |
(0.5-5) × 1019년 |
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기동성 (cm2/V.S.) |
(1-2.5) × 103 |
50-120 |
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식각 피치 조밀도 (cm2) |
100-5000 |
3,000-5,000 |
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웨이퍼 직경 (mm) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
|
간격 (µm) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
|
TTV [P/P] (µm) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
|
[P/E] TTV (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
|
날실 (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
|
의 (mm) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
|
의 만약에/(mm) |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
|
Polish* |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
GaAs 웨이퍼 반 격리의 명세
성장 방법 |
VGF |
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반도체에 첨가하는 소량의 불순물 |
SI 유형: 탄소 |
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웨이퍼 모양 |
둥근 (DIA: 2", 3", 4", 6") |
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지상 오리엔테이션 * |
(100) ±0.5° |
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* 유효한 요청시 어쩌면 다른 오리엔테이션 |
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저항력 (Ω.cm) |
≥ 1 × 107 |
≥ 1 × 108 |
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기동성 (cm2/V.S) |
≥ 5,000 |
≥ 4,000 |
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식각 피치 조밀도 (cm2) |
1,500-5,000 |
1,500-5,000 |
||
웨이퍼 직경 (mm) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
150±0.3 |
간격 (µm) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
675±25 |
TTV [P/P] (µm) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
[P/E] TTV (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
날실 (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 15 |
의 (mm) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
노치 |
의 만약에/(mm) |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
N/A |
Polish* |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
FAQ –
Q: 당신은 무엇 근수와 비용을 공급할 수 있습니까?
(1) 우리는 DHL, 페더럴 익스프레스, TNT, UPS, EMS, SF 및 등을 받아들입니다.
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재고목록을 위해: 납품은 순서 후에 5 평일입니다.
주문을 받아서 만들어진 제품을 위해: 납품은 순서 후에 2 3 주당 노동시간입니다.
(2) 떨어져 표준 제품을 위한, 납품은 당신이 주문한 후에 2 6 주당 노동시간입니다.
Q: 지불하는 방법?
에 및 등등… T/T, Paypal, 서쪽 조합, MoneyGram, 안전한 지불과 무역 보험 Alibaba.
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(2) 주문을 받아서 만들어진 제품을 위한, MOQ는 5pcs-20pcs입니다.
그것은 양과 기술에 달려 있습니다
Q: 당신은 물자를 위한 검열보고가 있습니까?
우리는 우리의 제품을 위한 세부사항 보고를 공급해서 좋습니다.
포장 – Logistcs
우리는 각각을 포장의 세부사항, 정전기 방지 청소, 충격 요법 염려합니다. 제품의 양 그리고 모양에 따르면,
우리는 다른 포장 과정을 가지고 갈 것입니다!