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상세 정보 |
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| 재료: | InP | 성장 방법: | 프프그 |
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| 사이즈: | 2~ 4 인치 | 두께: | 350-650um |
| 애플리케이션: | III-V는 밴드갭 반도체 소재를 지시합니다 | 서피스: | 스스피 / dsp |
| 패키지: | 매엽 박스 | ||
| 하이 라이트: | 인듐-인 반도체 기판,단-결정 반도체 기판,650 um InP는 웨이퍼로 만듭니다 |
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제품 설명
2 인치 InP는 N/P 유형 InP 반도체 기판 웨이퍼가 S+/ Zn+ /Fe +에게 도핑한 3 인치 4 인치를 웨이퍼로 만듭니다
(수정된 VFG 방법이) 익숙한 성장은 씨에서 시작하여 붕소 산화물 액상 인캡슐런트를 통한 단일 결정을 당깁니다.
불순물 (Fe, Ｓ, 스킨 또는 아연)은 다결정체와 함께 도가니에 추가됩니다. 고압은 Phosphide.he 기업이 완전히 스토예치오메트릭, 고순도와 저전위 밀도 inp 단일 결정으로 몸을 맡기기 위해 과정을 개발한 인듐의 분해를 방지하기 위해 챔버 안에서 적용됩니다.
VFG 기술은 숫자로 나타낸 것과 관련하여 열 배플 첨단의 덕택으로 ＬＥＣ 방법을 향상시킵니다
열 성장 조건의 모델링. 트크즈는 불세공부터 불세공까지 고급 품질 재현성과 비용 효율적 발달한 기술입니다.
애플리케이션 :
이트는 높은 전자적 제한 이동속도, 좋은 방사 저항과 좋은 열전도라는 유리한 입장에 있습니다. 고속인 제작 고주파에 적합하, 고전력 마이크로파 소자와 집적 회로.
특징 :
1. 크리스탈은 발달한 기술과 안정적 전기적 실행으로, 액체 봉인 곧은 드로잉 기술 (LEC)에 의해 성장됩니다.
정확한 오리엔테이션, 결정 방위 일탈을 위한 엑스레이 지향성인 기구를 사용한 2는 ±0.5 일' 뿐입니다
3, 웨이퍼가 요구조건을 사용할 " 준비가 된 "열린 박스를 달성하기 위해 화학 기계적 연마 (CMP) 기술, 조도 <0>
4에 의해 닦입니다
5 사용자 요구에 따르면 특수 상술 제품 처리 공정
| 사이즈 (밀리미터) | Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm,10×5×0.5mm은 맞춤화될 수 있습니다 | ||||||
| ra | 표면 거칠기(Ra) :<> | ||||||
| 니스 | 닦인 옆을 선발하거나 두배로 합니다 | ||||||
| 패키지 | 100 학년이 1000개 세정 공간에서 플라스틱 백을 청소합니다 | ||||||
---FAQ -
큐 : 당신이 업체 또는 제조를 거래하고 있습니까 ?
한 : 즈머크제이는 무역 업체이지만, 사파이어 빛 제조를 가지고 있습니다
적용의 넓은 범위를 위한 반도체 물질 웨이퍼의 공급으로서.
큐 : 오랫동안 당신의 배달 시간은 어떻습니까?
한 : 일반적으로 상품이 주식에 있다면 그것은 5-10 일입니다. 또는 상품이 전혀 그렇지 않으면 그것은 15-20 일입니다
주식에서, 그것은 양에 따른 중입니다.