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상세 정보 |
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| 재료: | Sic 단 결정 4h-N | 등급: | 생산 등급 |
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| 티씨엔크스: | 2 밀리미터 또는 0.5 밀리미터 | 수라페이스: | DSP |
| 애플리케이션: | 에피입니다 | 지름: | 4Inch |
| 색: | 무색입니다 | MPD: | <1cm-2> |
| 하이 라이트: | 탄화규소 실리콘 웨이퍼,가짜 그레이드 실리콘 웨이퍼,DSP 단일결정 실리콘 웨이퍼 |
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제품 설명
커스텀지드 size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC은 / 고순도 4H-N 4 인치 6 인치 dia 150 밀리미터 탄화규소 단일을 금괴로 만듭니다
도프하지 않은 4 6 6 인치 4h 세미 SIC 웨이퍼 4Inch 생산 가짜 등급
탄화규소 (SiC)크리스탈에 대하여
또한 탄화규소로 알려진 탄화규소 (SiC)가 화학식 SiC로 실리콘과 탄소를 포함하는 반도체입니다. SiC는 고온 또는 고전압에 작동하는 반도체 전자공학 장치에서 사용되거나 both.SiC가 또한 중요한 LED 부품 중 하나이고, 그것이 갈륨-질소 장치를 성장시키기 위한 인기있는 기판이고, 그것이 또한 고전력 LED에서 열 방산기의 역할을 합니다.
1. 기술
| 특성 | 4H-SiC, 단일 결정 | 6H-SiC, 단일 결정 |
| 격자 파라미터 | a=3.076 c=10.053 A | a=3.073 c=15.117 A |
| 퇴적 순서 | ABCB | ABCACB |
| 모스 경도 | 9.2 | 9.2 |
| 비중 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| 섬. 전개 계수 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 굴절 지수 @750nm |
어떤 = 2.61 |
어떤 = 2.60 |
| 유전체 상수 | c~9.66 | c~9.66 |
| 열전도율 (n형, 0.02 ohm.cm) |
a~4.2 Ｗ / cm·K@298K |
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| 열전도율 (반 절연) |
a~4.9 Ｗ / cm·K@298K |
a~4.6 Ｗ / cm·K@298K |
| 밴드-갭 | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 브레이크-다운 전기 장 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 포화 이동 속도 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
4H-N 4 인치 직경 탄화규소 (SiC) 기판 상술
| 2 인치 직경 탄화규소 (SiC) 기판 상술 | ||||||||||
| 등급 | 제로 MPD 등급 | 생산 등급 | 조사 등급 | 가짜 등급 | ||||||
| 지름 | 100. mm±0.38mm 150±0.5mm | |||||||||
| 두께 | 500±25um 또는 다른 주문 제작된 두께 | |||||||||
| 웨이퍼 방향 | 축 이탈 : 주축 위의 <1120> 4H-N/4H-SI를 위한 4.0' ±0.5를 향하여' : <0001> 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI를 위한 ±0.5' | |||||||||
| 마이크로파이프 비중 | ≤0.4cm-2 | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤10 cm-2 | ||||||
| 저항률 | 4H-N | 0.015~0.028 Ωocm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ωocm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | |||||||||
| 1차 플래트 | {10-10}±5.0' | |||||||||
| 1차 플래트 길이 | 18.5 mm±2.0 밀리미터 | |||||||||
| 2차 플래트 길이 | 10.0mm±2.0 밀리미터 | |||||||||
| 2차 플래트 배향 | 실리콘 페이스 업 : 90' CW. 중요한 플랫 ±5.0'으로부터 | |||||||||
| 에지 배제 | 1 밀리미터 | |||||||||
| TTV / 활 /Warp | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | |||||||||
| 거칠기 | Ra≤1 nm을 닦으세요 | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||||
| 고강도 빛에 의한 결함 | 어떤 것 | 1 허락된, ≤2 밀리미터 | 점진적 길이 ≤ 10 밀리미터가 length≤2mm을 선발합니다 | |||||||
| 고강도 빛에 의한 마법 플레이트 | 누적 면적 ≤1% | 누적 면적 ≤1% | 누적 면적 ≤3% | |||||||
| 고강도 빛에 의한 폴리타입 지역 | 어떤 것 | 누적 면적 ≤2% | 누적 면적 ≤5% | |||||||
| 고강도 빛에 의한 스크래치 | 1×wafer 지름 점진적 길이에 대한 3 스크래치 | 1×wafer 지름 점진적 길이에 대한 5 스크래치 | 1×wafer 지름 점진적 길이에 대한 5 스크래치 | |||||||
| 가장 자리 칩 | 어떤 것 | 각각 3 허락된, ≤0.5 밀리미터 | 각각 5 허락된, ≤1 밀리미터 | |||||||
제작 디스플레이 쇼
카탈로그 공통 사이즈 우리의 저장소 목록에서
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4H-N 종류 / 고순도 SIC 웨이퍼 / 잉곳
2 인치 4H n형 탄화 규소 웨이퍼 / 잉곳
3 인치 4H n형 탄화 규소 웨이퍼 4 인치 4H n형 탄화 규소 웨이퍼 / 잉곳 6 인치 4H n형 탄화 규소 웨이퍼 / 잉곳 |
4H 반 절연 / 고순도 SIC 웨이퍼 2 인치 4H 반 절연성 탄화규소 웨이퍼
3 인치 4H 반 절연성 탄화규소 웨이퍼 4 인치 4H 반 절연성 탄화규소 웨이퍼 6 인치 4H 반 절연성 탄화규소 웨이퍼 |
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6H n형 SIC 웨이퍼
2 인치 6H n형 탄화 규소 웨이퍼 / 잉곳 |
2-6inch를 위한 커스텀지드 사이즈
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SiC 애플리케이션
적용 분야
- 1 고주파와 고전력 전자 장치 쇼트키 다이오드, 접합형 전기 분해 효과 트랜지스터, BJT, 핀,
- 다이오드, IGBT, MOSFET
- 2개의 광 전자 장치 : 주로 GaN/SiC 청색 LED 기판 물질 (GaN/SiC) LED에 사용했습니다
>Packaging - 로그스트크스
우리는 패키지, 안티 스태틱인 세정, 전기쇼크요법에 대한 세부 사항과 각각 관계가 있습니다 .
제품의 양과 모양에 따르면, 우리는 다른 패키징 공정을 취할 것입니다! 거의 100 등급 세척실에서 한 개의 웨이퍼 카세트 또는 25 PC 카세트에 의해.
FAQ
Q1. 공장입니까?
A1. 예, 우리는 광학 구성 요소의 전문적 제조사입니다, 웨이퍼와 광학렌즈 절차의 8년 경험 이상을 가집니다.
Q2. 당신의 제품의 MOQ가 무엇입니까?
A2. 고객을 위한 어떤 MOQ 우리의 제품이 안에 표준이거나 1-10pcs 면.
Q3 :나는 내 요구를 기반으로 제품을 맞추어줄 수 있습니까?
A3.Yes, 우리는 당신의 요구조건으로서 유르옵틱 성분을 위해 재료, 상술과 광학 코팅을 맞추어줄 수 있습니다.
Q4. 내가 당신으로부터 샘플을 구할 수 있습니까?
A4. 단지 우리에게 당신의 요구조건을 보내시오 그러면 그리고 나서 우리는 따라서 센드샘플스를 바랍니다.
Q5. 어떻게 수 일 샘플이 완성될 것입니까? 매스 프로덕트는 어떻습니까?
A5. 일반적으로, 우리는 시료 제조를 완성하기 위해 1~2weeks를 필요로 합니다. 매스 프로덕트에 대해서 말하자면, 그것은 당신의 발주량에 의존합니다.
Q6. 배달 시간이 무엇입니까?
A6. 목록을 위한 (1) : 배달 시간은 1-3 근무일입니다. (2) 맞춤 제작품을 위해 : 배달 시간은 7 내지 25 근무일입니다.
양에 따르면.
양에 따르면.
Q7. 어떻게 당신이 품질을 제어합니까?
A7. 4 번 품질 이상이 생산 과정 동안 면밀히 살핀다고, 우리는 품질 테스트 보고서를 제공할 수 있습니다.
Q8. 달 당 당신의 광학렌즈 생산 능력은 어떻습니까?
A8. 세부 사항 요구조건에 대한 약 1,000 PC / Month.According.
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