• 실리콘 기질에 900nm 4 인치 LiNbO3 리튬 니오브산염 웨이퍼 박막 층
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  • 실리콘 기질에 900nm 4 인치 LiNbO3 리튬 니오브산염 웨이퍼 박막 층
실리콘 기질에 900nm 4 인치 LiNbO3 리튬 니오브산염 웨이퍼 박막 층

실리콘 기질에 900nm 4 인치 LiNbO3 리튬 니오브산염 웨이퍼 박막 층

제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
브랜드 이름: ZMKJ
모델 번호: JZ-4INCH-lnoi

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 2 PC
가격: by case
포장 세부 사항: 세척실에서 매엽 컨테이너
배달 시간: 30days에서
지불 조건: 전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
공급 능력: 10PCS/Month
최고의 가격 접촉

상세 정보

재료: 실리콘 기판의 LN 층 층 두께: 300-1000nm
정위: 엑스컷 애플리케이션: 고성능, 표면 음향, 웨이브 필터
애플리케이션 2: 5G 톱/BAW 장치 라: 0.5nm
절연층: 시오2 절연층 두께: 300-4000nm
기질: 525음 크기: 4인치
하이 라이트:

LiNbO3 리튬 니오베이트 웨이퍼

,

4인치 리튬 니오베이트 웨이퍼

,

절연체에 900nm 리튬 니오베이트

제품 설명

 

 

 

4인치 6인치 300-900 nm 니오브산 리튬 LiNbO3 LN 박막(LNOI) on 실리콘 웨이퍼

 

적용 방향:

 

· 전기 광학 변조기 · 지연 라인

· 전기 광학 Q 스위치 · X-바

· 위상 변조기 장치 · 비선형 광학

· 강유전체 메모리 장치

 

특성 사양
300-900 nm 리튬 니오베이트 박막(LNOI)
최상위 기능 레이어
지름 3, 4, (6)인치 정위 X, Z, Y 등
재료 LiNbO3 두께 300-900nm
도핑(선택 사항) MgO    
절연층
재료 SiO2 두께 1000-4000nm
기판
재료 Si, LN, Quartz, Fused Silica 등
두께 400-500μm
선택적 전극층
재료 백금, 금, 크롬 두께 100-400nm
구조 SiO2 절연층 위 또는 아래
 

 

관련 맞춤형 박막

 
맞춤형 리튬 니오베이트 및 리튬 탄탈레이트 박막
상위 레이어/세부 사항 기판 세부 정보 최상층 박막 세부사항
다층 구조 패턴 전극 및 도파관 다른 재료(SiO2/Si, Si, 사파이어, 석영 등) PPLN 특별한 크기 전극(Au, Pt, Cr, Al 등) 오리엔테이션(벌크 웨이퍼와 동일) 도핑(MgO, Fe, Er, Tm 등)
100-1000 nm LiNbO
100-1500 nm LiTaO  

5-50 음

린보

       

5-50 음

리타오

       
 

 

실리콘 기질에 900nm 4 인치 LiNbO3 리튬 니오브산염 웨이퍼 박막 층 0

 

자주하는 질문 -
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우리는 우리 제품에 대한 세부 보고서를 제공할 수 있습니다.

포장 – 물류
우리는 패키지, 청소, 정전기 방지, 충격 처리의 각 세부 사항에 관심이 있습니다.제품의 양과 모양에 따라,
우리는 다른 포장 과정을 취할 것입니다!
 

 
 

이 제품에 대한 자세한 내용을 알고 싶습니다
나는 관심이있다 실리콘 기질에 900nm 4 인치 LiNbO3 리튬 니오브산염 웨이퍼 박막 층 유형, 크기, 수량, 재료 등과 같은 자세한 내용을 보내 주시겠습니까?
감사!
답변 기다 리 겠 습 니 다.