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상세 정보 |
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| 재료: | GaAs 결정 | 방법: | VGF |
|---|---|---|---|
| 크기: | 직경76.2mm | 두께: | 350음 |
| 표면: | DSP | 애플리케이션: | 주도, ld 장치 |
| 유형: | N형 | 도핑: | SI 도핑 |
| 하이 라이트: | Si 도핑된 GaAs 웨이퍼,반도체 기판 GaAs 웨이퍼,N형 ssp 웨이퍼 |
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제품 설명
VFG 방법 N형 2inch/3inch,4inch,6inch dia150mm GaAs 갈륨비소 웨이퍼 N형
Microelectronics용 반절연형,
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(GaAs) 갈륨 비소 웨이퍼
갈륨 비소(GaAs)는 갈륨과 비소 원소의 화합물입니다.III-V 직접 밴드갭 반도체입니다.
아연 블렌드 결정 구조로.
갈륨 비소는 마이크로파 주파수 집적 회로, 모놀리식과 같은 장치의 제조에 사용됩니다.
마이크로파 집적 회로, 적외선 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 태양 전지 및 광학 창.[2]
GaAs는 인듐 갈륨 비소,
알루미늄 갈륨 비소 및 기타.
.
GaAs 웨이퍼 기능 및 응용
| 특징 | 신청분야 |
|---|---|
| 높은 전자 이동도 | 발광 다이오드 |
| 고주파 | 레이저 다이오드 |
| 높은 변환 효율 | 태양광 장치 |
| 저전력 소비 | 높은 전자 이동성 트랜지스터 |
| 직접 밴드 갭 | 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 |
사양
도핑되지 않은 GaAs
반절연 GaAs 사양
| 성장 방법 | VGF |
| 도펀트 | 탄소 |
| 웨이퍼 모양* | 원형(DIA: 2", 3", 4", 6") |
| 표면 방향** | (100)±0.5° |
*5" 웨이퍼는 요청 시 제공 가능
**요청 시 다른 오리엔테이션 가능
| 저항(Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| 가동성(cm2/대) | ≥ 5,000 | ≥ 4,000 |
| 에칭 피치 밀도(cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| 웨이퍼 직경(mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| 두께(μm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P](μm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E](μm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| 워프(μm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| ~(mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | 골짜기 |
| OF / IF(mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | 해당 없음 |
| 광택* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=에칭, P=광택
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패키지 및 배송
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Q: 무역 회사 또는 제조업체입니까?A: 웨이퍼 제조를 위한 자체 제품이 있습니다.
Q: 배달 시간은 얼마나 걸립니까? A: 일반적으로 상품이 재고가 있는 경우 1-5일, 그렇지 않은 경우 2-3주 동안입니다.
Q: 샘플을 제공합니까?무료입니까 아니면 추가입니까?A: 그렇습니다, 우리는 어떤 크기에 의하여 무료 샘플을 제안할 수 있었습니다.
Q: 지불 조건은 무엇입니까? A: 첫 번째 비즈니스의 경우 배송 전 100%입니다.