|
상세 정보 |
|||
| 자료: | GaN 단결정 | 크기: | 10x10/5x5/20x20mmt |
|---|---|---|---|
| 두께: | 0.35mm | 유형: | N 유형 |
| 응용 프로그램: | 반도체 소자 | ||
| 하이 라이트: | gan 웨이퍼,갈륨 인화물 웨이퍼 |
||
제품 설명
2inch GaN 기질 템플렛, LeD를 위한 GaN 웨이퍼, ld를 위한 semiconducting 갈륨 질화물 웨이퍼, GaN 템플렛, mocvd GaN 웨이퍼, 주문을 받아서 만들어진 크기에 의하여 GaN 독립 구조로 서있는 기질, LED를 위한 GaN 소형 웨이퍼, mocvd 갈륨 질화물 웨이퍼 10x10mm, 5x5mm의 10x5mm GaN 웨이퍼, GaN 비극성 독립 구조로 서있는 기질 (비행기와 m 비행기)
GaN 웨이퍼 특성
| 제품 | 갈륨 질화물 (GaN) 기질 | ||||||||||||||
| 제품 설명: |
Saphhire GaN 템플렛은 Epitxial 수소화물 수증기 단계 켜쌓기 (HVPE) 방법을 선물됩니다. HVPE 과정에서는, 산은 생성 갈륨 질화물 용해에 암모니아로 차례로 반작용되는 반응 GaCl에 의하여 생성했습니다. GaN 코피 템플렛은 갈륨 질화물 단결정 기질을 대체하는 비용 효과적인 방법 입니다. |
||||||||||||||
| 기술적인 모수: |
|
||||||||||||||
| 명세: |
GaN 코피 영화 (C 비행기), N 유형, 2" * 30 미크론, 사파이어; GaN 코피 영화 (C 비행기), N 유형, 2" * 사파이어 5개 미크론; GaN 코피 영화 (R 비행기), N 유형, 2" * 사파이어 5개 미크론; GaN 코피 영화 (M 비행기), N 유형, 2" * 사파이어 5개 미크론. AL2O3 + GaN 영화 (N 유형 진한 액체로 처리된 Si); AL2O3 + GaN 영화 (P 유형 진한 액체로 처리된 Mg) 주: 고객 요구 특별한 마개 오리엔테이션 및 크기에 따라. |
||||||||||||||
| 기준 포장: | 1000 청정실, 100 청결한 부대 또는 단 하나 상자 포장 |
신청
GaN는 발광 다이오드 표시 고에너지 탐지 및 화상 진찰과 같은 많은 지역에서 사용될 수 있습니다,
레이저 투상 전시, 힘 장치, 등.
- 레이저 투상 전시, 힘 장치, 등.
- 날짜 저장
- 에너지 효과 점화
- 풀 컬러 fla 전시
- 레이저 Projecttions
- 높은 효율성 전자 장치
- 고주파 마이크로파 장치
- 고에너지 탐지는 상상합니다
- 새로운 에너지 solor 수소 기술
- 환경 탐지와 생물학 약
- 광원 terahertz 밴드
명세:
| GaN 비극성 독립 구조로 서있는 기질 (비행기와 m 비행기) | ||
| 품목 | GaN FS | GaN FS m |
| 차원 | 5.0mm×5.5mm | |
| 5.0mm×10.0mm | ||
| 5.0mm×20.0mm | ||
| 주문을 받아서 만들어진 크기 | ||
| 간격 | 350 ± 25 µm | |
| 오리엔테이션 | 비행기 ± 1° | m 비행기 ± 1° |
| TTV | ≤15 µm | |
| 활 | ≤20 µm | |
| 유도 유형 | N 유형 | |
| 저항력 (300K) | < 0=""> | |
| 탈구 조밀도 | 5x106 cm-2 보다는 더 적은 | |
| 쓸모 있는 표면 | > 90% | |
| 폴란드어 | 정면 표면: ra < 0=""> | |
| 뒤 표면: 정밀한 배경 | ||
| 포장 | , 단 하나 웨이퍼 콘테이너에서, 질소 대기권의 밑에 종류 100 청정실 환경에서 포장하는. | |