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상세 정보 |
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| 물자: | SiC 단결정 | 경도: | 9.4 |
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| 모양: | 주문을 받아서 만드는 | 포용력: | ±0.1mm |
| 신청: | 장비 성분 | ||
| 하이 라이트: | 실리콘 탄화물 기질,sic 웨이퍼 |
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제품 설명
2인치/3인치/4인치/6인치 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC 잉글릿/ 고순도 4H-N 4인치 6인치 직경 150mm 실리콘 카바이드 싱글 크리스탈 (sic) 기판 웨이퍼, 시크 크리스탈 잉글릿 시크 반도체 기판,실리콘 카비드 크리스탈 웨이퍼/ 맞춤형 절단 시크 웨이퍼/ 시크 베어링 부품
실리콘 카비드 (SiC) 크리스탈에 대해
카보룬드 (Carborundum) 이라고도 불리는 실리콘 카비드 (SiC) 는 화학 공식을 가진 실리콘과 탄소를 포함하는 반도체이다.SiC는 높은 온도나 높은 전압에서 작동하는 반도체 전자 장치에 사용됩니다., 또는 둘 다.SiC는 또한 중요한 LED 구성 요소 중 하나이며, 그것은 성장하는 GaN 장치에 인기있는 기판이며, 또한 고전력 LED에서 열 분산자로 사용됩니다.
| 재산 | 4H-SiC, 단일 결정 | 6H-SiC, 단일 결정 |
| 레이시 매개 변수 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 겹치기 순서 | ABCB | ABCACB |
| 모스 강도 | ≈92 | ≈92 |
| 밀도 | 3.21g/cm3 | 3.21g/cm3 |
| 열 확장 계수 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 반열 지수 @750nm |
no = 2 입니다.61 ne = 266 |
no = 2 입니다.60 ne = 265 |
| 다이 일렉트릭 상수 | c~9.66 | c~9.66 |
| 열전도성 (N형, 0.02오hm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| 열전도성 (반 단열) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| 밴드 간격 | 3.23 eV | 30.02 eV |
| 전기장 붕괴 | 3~5×106V/cm | 3~5×106V/cm |
| 포화 유동 속도 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
고순도 4인치 지름의 실리콘 탄화물 (SiC) 기판 사양
ZMKJ 회사
ZMKJ는 전자 및 광전자 산업에 고품질의 싱글 크리스탈 SiC 웨이퍼 (실리콘 카바이드) 를 공급할 수 있습니다. SiC 웨이퍼는 차세대 반도체 재료입니다.특유의 전기적 특성과 뛰어난 열적 특성을 가진, 실리콘 웨이퍼와 GaAs 웨이퍼에 비해, SiC 웨이퍼는 고온과 고전력 장치의 응용에 더 적합합니다. SiC 웨이퍼는 4H와 6H SiC 모두, 지름 2-6 인치로 공급될 수 있습니다.N형, 질소 도핑, 반 단열형이 있습니다. 더 많은 제품 정보를 위해 저희에게 연락하십시오.
FAQ:
Q: 배송 방법과 비용은?
A: ((1) 우리는 DHL, FEDEX, EMS 등을 받아 들인다.
(2) 그것은 괜찮습니다 자신의 익스프레스 계좌를 가지고 있다면, 그렇지 않으면, 우리는 당신이 그들을 배송하고 도울 수 있습니다
화물 in 실제 결제와 일치합니다.
질문: 어떻게 지불하나요?
A: T/T 배달 전에 100% 보증금.
Q: MOQ는 얼마인가요?
A: (1) 인벤토리를 위해, MOQ는 1pcs입니다. 2-5pcs는 더 좋습니다.
(2) 맞춤형 원자 제품, MOQ는 10pcs입니다.
Q: 배송시간은 얼마인가요?
A: (1) 표준 제품
재고: 배달은 주문 후 5 일입니다.
맞춤형 제품: 배송은 주문 후 2 ~ 4 주입니다.
Q: 표준 제품이 있나요?
A: 우리의 표준 제품은 재고에 있습니다. 4인치 0.35mm의 기판과 같이.