글로벌 갈륨 나이트라이드 (GaN) 산업 체인 및 기술 로드맵

난...- 네갈륨산화물 (GaN)- 네
갈륨나이트라이드 (GaN) 는 공식이 있는 무기화학 화합물이다. 가N, 갈륨 (Ga) 과 질소 (N) 로 구성되어 있습니다.세 번째 세대의 반도체 물질, 일반적으로 흰색 또는 약간 노란색의 고체 분말 형태로 존재합니다. 주요 재료 속성은 다음을 포함합니다:

• - 네구조적 안정성극한 조건에서
• - 네높은 녹는점(≥1700°C)
• - 네고전압 저항(분열장 ~3.3 MV/cm)
• - 네방사능 내성이(우주 및 핵 환경에 효과적)

이 넓은 대역 간격 반도체는 전통적인 실리콘 기반 물질에 비해 가혹한 운영 환경에서 우수한 성능을 보여줍니다.,라디오 주파수 (RF) 시스템, 광전자.

II. 시장 규모와 성장 추세
갈륨 나이트라이드 (GaN) 기술의 지속적인 확장으로 소비자 전자제품에서 전기차 (EV), 태양광 에너지 저장소 및 데이터 센터와 같은 고전력 애플리케이션으로,글로벌 GaN 전력 장치 시장은 가속 성장세를 경험하고 있습니다.
- 네시장 데이터:

• 2022년에는 시장 규모가 1억 8천만 달러에 달했으며, 2026년에는 연평균 성장률 (CAGR) 이 65%로 33억 달러에 달할 것으로 예상된다.
• 소비자 전자제품은 2022년에 약 1460만 USD를 차지하고 2028년까지 1307억 USD로 증가할 것으로 예상되는 지배적인 시장 부문으로 남아있다 (Yole Développement).

- 네응용 프로그램 확장:

애플리케이션 범위는 전통적인 스마트 폰 급속 충전 및 전원 어댑터에서 새로운 에너지 차량 탑재 충전기 (OBC) 를 포함하여 중~고 전력 시나리오로 확장되었습니다.전기통신 기지국광전기 인버터, 데이터 센터 서버, 산업용 전원 공급 장치 및 에너지 저장 시스템.

기술 발전 추세와 응용 진화

- 네1. 기술 추세- 네

• - 네높은 통합성: 주변 부품을 줄이기 위해 GaN 전력 장치와 드라이버의 공동 패키징
• - 네높은 신뢰성: 방사능 경화력 및 돌파구 면역력 향상
• - 네높은 효율성: 낮은 전원 저항, 높은 스위치 주파수, 향상 된 전력 밀도 및 시스템 변환 효율성

- 네- 네2응용 확장 시나리오- 네

IV. 요약 및 전망
3세대 반도체의 핵심 대표자인 갈륨 질산 (GaN) 은 전력 변환, 빠른 충전,자동차 전기 제어 시스템, 높은 주파수, 높은 효율성, 높은 통합의 장점을 활용합니다.

- 네향후 5년간의 예측:

1. 시장 규모는 계속 두 배로 커질 것입니다.그들은 점차적으로 자동차 파워트레인 시스템을 포함한 높은 가치 시나리오에 침투 할 것입니다.인공지능 서버와 태양광 인버터
2. 기술 생태계는 "기기 중심"에서 "시스템 시너지"로 전환됩니다. 통합 모듈, 드라이버 알고리즘,그리고 애플리케이션별 최적화는 핵심 경쟁 차별 요소가 될 것입니다..