상세 정보 |
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자료: | SiC 단결정 4H-N 유형 | 학년: | 거짓/연구 /Production 급료 |
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Thicnkss: | 주문을 받아서 만들어지는 4 | Suraface: | LP/LP 또는 것과 같이 커트 |
응용 프로그램: | 장치 제작자 닦는 시험 | 직경: | 150±0.5mm |
하이 라이트: | 실리콘 탄화물 기질,사파이어 웨이퍼에 실리콘 |
제품 설명
4H-N 테스트 급료 6inch dia 150mm 실리콘 탄화물 단결정 (sic) 기질 웨이퍼, sic 수정같은 주괴 sic 반도체 기질, 실리콘 탄화물 수정같은 웨이퍼
실리콘 탄화물 (SiC) 결정에 관하여
실리콘 탄화물 (SiC), 일컬어 카보런덤은, 화학 공식 SiC를 가진 실리콘 그리고 탄소를 포함하는 반도체입니다. SiC는 고열 또는 높은 전압에 작동하는 반도체 전자공학 장치에서 사용됩니다, 또는 both.SiC는 또한 중요한 LED 성분의 한개입니다, GaN 장치 성장을 위한 대중적인 기질이고, 또한 높 힘 LEDs에 있는 열 스프레더로 봉사합니다
4 인치 전도성 SiC 웨이퍼 명세 | ||||
제품 | 4H SiC | |||
급료 | 급료 I | 급료 II | 급료 III | |
다결정 지역 | 아무도는 허용하지 않았습니다 | 아무도는 허용하지 않았습니다 | <5> | |
polytype 지역 | 아무도는 허용하지 않았습니다 | ≤20% | 20% ~ 50% | |
Micropipe 조밀도) | <>5micropipes/cm-2 | <>30micropipes/cm-2 | <100micropipes>-2 | |
총 쓸모 있는 지역 | >95% | >80% | N/A | |
직경 | 100.0 mm +0/-0.5 mm | |||
간격 | 500 μm ± 25 μm 또는 고객 명세 | |||
반도체에 첨가하는 소량의 불순물 | n 유형: 질소 | |||
1 차적인 편평한 오리엔테이션) | ± 5.0°<11-20> 에 수직 | |||
1 차적인 편평한 길이 | ± 32.5 mm 2.0 mm | |||
이차 편평한 오리엔테이션) | 1 차적인 편평한 ± 5.0°에서 90° CW | |||
이차 편평한 길이) | ± 18.0 mm 2.0 mm | |||
축선 웨이퍼 오리엔테이션에) | {0001} ± 0.25° | |||
축선 웨이퍼 오리엔테이션 떨어져 | ±로 0.5° <11-20> 고객 명세로 4.0° | |||
TTV/BOW/Warp | <>5μm/<10>μm/< 20=""> | |||
저항력 | 0.01~0.03 Ω ×cm | |||
지상 끝 | C 얼굴 광택. Si 얼굴 CMP (Si 얼굴: Rq<> 0.15 nm) 또는 고객 명세 |
두 배 측 광택 |
4H-N 유형/높은 순수성 SiC 웨이퍼
2 인치 4H N 유형 SiC 웨이퍼
3 인치 4H N 유형 SiC 웨이퍼 4 인치 4H N 유형 SiC 웨이퍼 6 인치 4H N 유형 SiC 웨이퍼 |
반 격리하는 4H/높은 순수성 SiC 웨이퍼 SiC 웨이퍼를 반 격리하는 2 인치 4H
SiC 웨이퍼를 반 격리하는 3 인치 4H SiC 웨이퍼를 반 격리하는 4 인치 4H SiC 웨이퍼를 반 격리하는 6 인치 4H |
6H N 유형 SiC 웨이퍼
2 인치 6H N 유형 SiC 웨이퍼 |
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