SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

ZMSH 사례 분석: 고품질의 합성 색상 사파이어 선도 공급자     전반적인 설명ZMSH는 고품질의 합성 색상 사피르의 대표적인 공급업체입니다. 왕실 파란색, 밝은 빨간색, 노란색, 분홍색, 분홍-황황색, 보라색그늘이 다양한 녹색으로우리의 합성 사파이어는 가장 까다로운 산업 표준을 충족시키기 위해신뢰성 있고 미용적인 보석 솔루션을 찾는 비즈니스에 대한 신뢰할 수있는 파트너가됩니다..     주요 제안: 합성 보석ZMSH의 제품 라인의 핵심은 우리의 합성 색상 사파이어입니다. 시각적으로 눈부신 뿐만 아니라 매우 내구성도 있습니다. 합성 사파이어는 자연 돌에 대한 완벽한 대안을 제공합니다.품질의 일관성을 제공천연 사파이어와 달리 색조와 선명도가 다를 수 있지만 ZMSH의 합성 사파이어는 균일한 외관을 유지하고 고객의 사양을 정확하게 충족시킵니다.   합성 보석 의 장점 일관성 있는 품질: 우리 의 합성 사파이어 는 통제 된 조건 하 에서 생산 되어 색상, 맑음, 크기 에 균일성 을 보장 한다. 이 일관성 은 자연 돌 에 흔히 발견 되는 불완전성 을 제거 한다. 색상 사용자 정의: ZMSH 는 왕실 푸른색, 밝은 붉은색, 노란색, 심지어 분홍색, 주황색, 다양한 색조의 녹색 (스메랄드색, 올리브색) 과 같은 희귀 한 색조 를 포함하여 인상적 인 색상 선택 을 제공한다.우리는 또한 고객의 요구 사항에 따라 색상 강도를 조정할 수 있습니다, 우리의 보석은 맞춤형 보석과 산업용 용도로 이상적입니다. 비용 효율성: 합성 사파이어는 품질에 타협하지 않고 상당한 비용 이점을 제공합니다. 그들은 실험실에서 만들어지기 때문에, 그들은 그들의 자연적 견제보다 저렴합니다.더 넓은 시장에 접근 할 수 있도록고급 상품부터 첨단 기술 산업까지 환경 친화적, 윤리적: 합성 보석은 광산 보석에 대한 지속 가능한 대안입니다.기업들은 광업과 관련된 환경적 영향을 줄이고 천연 보석의 공급과 관련된 윤리적 우려를 피합니다.. 힘 과 내구성: 합성 사파이어는 자연 사파이어와 같은 경화와 내구성을 가지고 있으며, 모스 척도에서 9위를 차지합니다.또한 아름다움과 탄력성을 필요로 하는 고급 보석. 결론ZMSH는 합성 사파이어 생산의 선두주자이며 다양한 산업에 고품질, 사용자 정의 및 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다.일관성 있는 품질과 윤리적 생산에 중점을 둔, 우리는 우리의 고객의 미적 및 기능적 요구를 충족하는 합성 색상 사피르의 비교할 수 없는 범위를 제공합니다.정밀 기기용 에메랄드 녹색, 또는 다른 활기찬 색조, ZMSH는 우리가 생산하는 모든 보석의 우수성을 보장합니다.

배경 ZMSH는 오랫동안 실리콘 카비드 (SiC) 웨이퍼 및 기판 기술의 선두 주자로 6H-SiC 및 4H-SiC 결정 기판을 제공하여 고 주파수, 고 전력, 고 온도,그리고 방사능 내성 전자 장치더 높은 성능의 전자 장치에 대한 시장 수요가 계속 증가함에 따라 ZMSH는 연구 개발에 투자했습니다.새로운 세대의 4H/6H-P 3C-N SiC 크리스탈 기판을 출시합니다.이 제품은 전통적인 4H / 6H 폴리 타입 SiC 기판과 새로운 3C-N SiC 필름을 통합합니다.다음 세대의 고전력 및 고주파 전자 장치에 대한 상당한 성능 향상. 기존 제품 분석: 6H-SiC 및 4H-SiC 크리스탈 기판 제품 특성 결정 구조: 6H-SiC와 4H-SiC 모두 육각형 결정 구조를 가지고 있습니다. 6H 유형은 전자 이동성이 약간 낮고 밴드 간격이 좁습니다.4H 타입은 더 높은 전자 이동성과 더 넓은 대역 간격을 제공합니다 (3.2 eV), 이는 고주파 및 고전력 장치에 적합합니다. 전도성 유형: N형 또는 반 단열을 지원하며 다양한 장치 설계 요구 사항을 충족합니다. 열전도성: SiC 기판은 3.2~4.9 W/cm·K 사이의 열 전도성을 제공하며, 고온 전자제품에 매우 중요한 효과적인 열 방출을 보장합니다. 기계적 특성: 높은 강도 (Mohs 강도 9.2) 로 SiC 기판은 기계적 안정성을 제공하여 마모 저항성 및 기계적으로 까다로운 응용에 적합합니다. 신청서: 이 기판은 주로 전력 전자 장치, 고 주파수 장치 및 일부 고 온도 및 방사선 내성 애플리케이션에 사용됩니다. 기술적 한계 비록 6H-SiC와 4H-SiC는 시장에서 좋은 성능을 보였지만, 높은 주파수, 높은 전력 및 높은 온도 애플리케이션에서 여전히 성능이 부족합니다.높은 결함률과 같은 문제, 제한된 전자 이동성 및 대역 간격 제약은 이러한 재료의 성능이 다음 세대의 전자 장치의 요구를 완전히 충족시키지 못한다는 것을 의미합니다.시장은 더 높은 성능을 요구합니다., 장치의 효율성과 안정성을 향상시키기 위해 결함이 적은 재료. 신제품의 혁신: 4H/6H-P 3C-N SiC 크리스탈 기판 전통적인 6H 및 4H-SiC 재료의 한계를 해결하기 위해 ZMSH는 혁신적인4H/6H-P 3C-N SiC크리스탈 기판. 4H/6H-SiC 기판에 3C-N SiC 필름을 부각적으로 성장시킴으로써 새로운 제품은 재료 성능을 크게 향상시킵니다.     기술 발전 폴리 타입 통합 기술: 화학 증기 퇴적 (CVD) 기술을 사용하여 3C-SiC 필름은 4H / 6H-SiC 기판에 정밀하게 부각되어 격자 불일치와 결함 밀도를 감소시킵니다.따라서 재료의 구조적 무결성을 향상시킵니다.. 향상 된 전자 이동성: 전통적인 4H/6H-SiC와 비교하면 3C-SiC 결정은 더 높은 전자 이동성을 제공하며 새로운 물질을 고주파 애플리케이션에 더 적합하게 만듭니다. 더 높은 분산 전압: 전기 성능 테스트는 고전력 애플리케이션에 더 적합한 제품을 만드는 파업 전압의 상당한 향상을 보여줍니다. 낮은 결함 비율: 최적화된 성장 조건은 결정 결함과 변형을 현저하게 줄여 고압 및 고온 환경에서 장기간 안정성을 유지할 수 있습니다. 광전자 통합: 3C-SiC는 독특한 광전자 특성을 가지고 있으며, 특히 자외선 탐지기와 다른 광전자 응용 분야에 적합하며 제품의 응용 범위를 확장합니다. 신제품 의 주요 이점 더 높은 전자 이동성 및 분해 전압: 6H 및 4H-SiC에 비해 3C-N SiC 필름은 전자 장치가 고주파 및 고전력 조건에서 더 안정적으로 작동 할 수 있습니다.향상된 전송 효율과 더 긴 장치 수명. 향상 된 열 전도성 과 안정성: 새로운 SiC 물질은 높은 온도에서 열 전도성과 안정성을 향상시켜 1000°C 이상의 애플리케이션에 이상적입니다. 통합 광전자 특성: 3C-SiC의 광전자 특성은 광전자 장치 시장에서 SiC 기체의 경쟁력을 더욱 향상시킵니다.특히 자외선 감지 및 광 센서 응용 프로그램. 화학적 안정성 및 부식 저항성: 새로운 SiC 물질은 화학적 관화 및 산화 환경에서 안정성을 높여 더 까다로운 산업 환경에 적합합니다. 적용 시나리오 새로운4H/6H-P 3C-N SiC크리스탈 기판은 우수한 전자 및 광 전자 특성으로 다음 주요 분야에 이상적입니다. 전력전자: 높은 분사 전압과 뛰어난 열 전도성은 MOSFET, IGBT 및 Schottky 다이오드와 같은 고전력 장치에 이상적인 선택이됩니다. 고주파 RF 및 마이크로 웨브 장치: 높은 전자 이동성으로 인해 고주파 RF 및 마이크로파 장치에서 예외적으로 잘 작동합니다. 자외선 탐지기와 광전자: 3C-SiC의 광전자 특성으로 인해 새로운 제품은 자외선 탐지기와 광전자 센서를 개발하기에 특히 적합합니다. 사례 결론 및 새로운 제품 권고 ZMSH는 새로운 세대의4H/6H-P 3C-N SiC기술 혁신을 통해 크리스탈 기판, 고 전력, 고 주파수 및 광 전자 응용 시장에서 SiC 재료의 경쟁력을 크게 향상시킵니다.3C-N SiC 필름의 대동성 성장으로, 새로운 제품은 격자 불일치 및 결함 비율을 줄이고, 전자 이동성과 분해 전압을 향상시키고, 가혹한 환경에서 장기간 안정적인 작동을 보장합니다.이 제품은 전통적인 전력 전자 장치에 적합 할뿐만 아니라 광 전자 및 자외선 검출의 응용 시나리오를 확장합니다.. ZMSH는 고객들에게 새로운4H/6H-P 3C-N SiC이 기술 혁신을 수용함으로써 미래 고전력, 고주파 및 광전자 장치의 증가하는 성능 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다.고객들은 제품 성능을 향상시키고 점점 더 경쟁적인 시장에서 돋보일 수 있습니다.. 제품 추천   4H/6H P형 시크 웨이퍼 4인치 6인치 Z 등급 P 등급 D 등급   4H 및 6H P형 실리콘 탄화물 (SiC) 웨이퍼는 고급 반도체 장치의 중요한 재료이며, 특히 고전력 및 고주파 애플리케이션에 사용됩니다.높은 열전도성, 우수한 분해장 강도는 전통적인 실리콘 기반 장치가 실패 할 수있는 혹독한 환경에서 작동하는 데 이상적입니다.알루미늄이나 붕소 같은 원소로 이루어집니다., 양전하 운반기 (홀) 를 도입하여 다이오드, 트랜지스터 및 티리스터와 같은 전력 장치의 제조를 가능하게합니다.