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상세 정보 |
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| 분자 무게: | 101.96 | 반짝이는: | DSP, SSP |
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| 직경 공차: | ≤3% | 사용자 정의: | 받아들여질 수 있습니다. |
| 길이: | 30m | 표면 거칠성: | 라 < 0.5Nm |
| 고유 저항률: | 1E16 Ω-cm | 성장법: | KY |
| 강조하다: | 4 인치 사파이어 웨이퍼,Ｃ 비행기 사파이어 웨이퍼,단분석 사피어 웨이퍼 |
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제품 설명
사파이어 웨이퍼 4인치 DSP SSP (0001) C 평면 사용자 정의 축 모노 크리스탈 Al2O3를 받아
제품 설명:
사파이어 웨이퍼는 알루미늄 산화물 (Al2O3) 로 구성되어 있으며, 3개의 산소 원자가 합동 구조에서 2개의 알루미늄 원자와 결합한다.그것은 육각형 격자 결정 구조를 표시하고 일반적으로 A 평면과 같은 절단 평면을 특징으로합니다광학 투명성 범위가 넓기 때문에 사파이어 웨이퍼는 근 자외선 (190nm) 에서 중 적외선 파장까지 빛의 전송을 허용합니다.광학 부품을 위한 이상적인, 적외선 장치, 고강도 레이저 창문, 마스크 재료. 사파이어 웨이퍼는 높은 음속, 높은 온도 저항, 부식 저항, 높은 경화,우수한 투명성, 그리고 높은 녹는점 (2045°C). 그것은 처리하기 어려운 재료이지만 일반적으로 광 전자 장치에서 사용됩니다.
초밝은 흰색/푸른색 LED의 품질은 갈륨 나이트라이드 (GaN) 에피타시얼 레이어의 품질에 달려 있습니다.사용된 사파이어 웨이퍼의 표면 처리 품질과 밀접한 관련이 있습니다.사피르 웨이퍼 (일체 결정 Al2O3) C 평면과 III-V 및 II-VI 그룹에 퇴적된 얇은 필름 사이의 격자 상수 불일치는 최소입니다.GaN 에피택시 공정의 고온 요구 사항에 잘 맞추는이것은 사파이어 웨이퍼를 하얀색/나색/녹색 LED를 생산하는 중요한 재료로 만듭니다.
성격
1사파이어 웨이퍼 구조와 구성
사파이어 웨이퍼는 공간 그룹 R-3c와 함께 육각형 결정 구조를 가지고 있으며, 기본 구조 단위는 AlO6 옥타에드르입니다. 이 구조에서 각 알루미늄 이온은 여섯 개의 산소 이온으로 둘러싸여 있습니다.,매우 대칭적이고 안정적인 3차원 네트워크를 형성합니다.
2사피어 웨이퍼의 광학 및 전자 특성
사파이어 웨이퍼는 뛰어난 광학적 특성을 가지고 있어 광학적 부품에 이상적인 재료입니다. 사파이어 웨이퍼는 높은 투명성을 가지고 있습니다.특히 자외선에서 근 적외선 (150nm ~ 5500nm) 범위에서약 1의 굴절 지수가 있습니다.76이 광범위한 투명성 때문에 사파이어는 고정도 광학 기구에 광범위하게 사용될 수 있습니다.
전자적 특성에 있어서 사파이어 웨이퍼는 약 9.9 eV의 넓은 대역 간격을 가진 단열제이며, 고전압 및 고주파 전자 장치에서 탁월하게 사용된다.고 단열과 낮은 다이 일렉트릭 손실 때문에, 사파이어는 일반적으로 반도체 장치의 기판 재료로 사용되며, 특히 높은 전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 및 갈륨 나트라이드 (GaN) 기반 장치에서 사용됩니다.
3기계적 및 열역학적 특성
사파이어 웨이퍼는 9의 모스 경직도를 가지고 있으며 다이아몬드에 이어 두 번째로 뛰어난 경직과 경사 저항력을 가지고 있습니다.고압과 충격에 견딜 수 있는사파이어 웨이퍼는 또한 약 25 W/m · K의 매우 높은 열 전도성을 나타내며 고온 환경에서 안정적인 물리적 및 화학적 특성을 유지합니다.2054°C의 높은 녹는점과 낮은 열 확장 계수 (8.4 x 10^-6/K), 사파이어 웨이퍼는 고온 응용 프로그램에서 차원 안정성을 유지할 수 있습니다.
| 직경 | 4인치 100±0.3mm |
| 두께 | 650±20μm |
| 방향성 | C 평면 (0001) 에서 M 평면 (1-100) 또는 A 평면 ((1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3±0.1°, R 평면 (1-1 0 2), A 평면 (1 1-2 0 ), M 평면 ((1-1 0 0) |
| 원형 평면 길이 | 32.5±1.5mm |
| 기본 평면 방향 | A 평면 (1-2 0) ± 0.2° |
| TTV | ≤ 20μm |
| LTV | ≤ 20μm |
| TIR | ≤ 20μm |
| BOW | ≤ 20μm |
| 워프 | ≤ 20μm |
| 앞면 | 에피 폴리 (Ra< 0.2nm) |
| 뒷면 | 얇게 닦은 (Ra=0.5 ~ 1.2 μm), 에피 폴리스 (Ra< 0.2nm) |
| 참고: | 고객의 특정 요구 사항에 따라 고품질 사피르 기판 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. |
응용 프로그램:
사파이어 웨이퍼는 높은 온도 저항성, 좋은 열 전도성, 높은 경화성, 적외선 투명성 및 화학적 안정성으로 알려진 우수한 다기능 재료입니다.그들은 다양한 산업 분야에서 널리 사용됩니다., 방위 및 연구 분야, 예를 들어 고온 적외선 창문.사파이어 웨이퍼는 다재다능한 단일 결정 기판으로 사용되며 파란색 산업에서 선호되는 기판입니다., 보라색 및 흰색 발광 다이오드 (LED) 및 파란색 레이저 다이오드 (LD) (사피어 기판에 대동성 갈륨 나트라이드 필름을 필요로합니다).그들은 또한 초전도 얇은 필름 기판에 매우 중요합니다..
사파이어 기판 가공 과정:
1. 크리스탈 성장: 크며 고품질의 단일 크리스탈 사피르를 성장시키기 위해 크리스탈 성장 오븐을 활용합니다.
2방향: 사피르 결정이 후속 처리를 위해 톱니 기계에 올바르게 배치되어 있는지 확인하십시오.
3톱니: 특정 방식으로 결정에서 사피르 막대기를 추출합니다.
4썰기: 외부 원통 썰기를 사용하여 사피르 막대기의 바깥 지름을 정확하게 썰십시오.
5품질 검사: 사피르 막대기의 품질을 확인하고 채굴 후 크기와 방향이 고객의 사양에 맞는지 확인합니다.
6방향 (다시): 정밀 한 절단 을 위해 정밀 한 절단 기계 에 사피르 막대 를 위치 합니다.
7썰기: 사피르 막대 를 얇은 윗부분 으로 자르십시오.
8닦기: 절단 손상을 제거하고 웨이퍼의 평면성을 향상시킵니다.
9캄퍼링: 기계적 강도를 높이고 스트레스 농도로 인한 결함을 방지하기 위해 웨이퍼 가장자리를 둥글게 자르십시오.
10펄핑: 에피타시얼 수준의 정밀도를 달성하기 위해 웨이퍼의 표면 거칠성을 향상시킵니다.
11청소: 웨이퍼 표면에서 오염 물질을 제거합니다 (예: 먼지 입자, 금속, 유기 잔류).
12품질 검사 (다시): 고객의 요구 사항을 충족시키기 위해 웨이퍼 품질 (평평성, 표면 청결성 등) 을 평가하기 위해 고 정밀 검사 장비를 사용하십시오.
제품 추천:
1.8인치 0.725 Dia100mm C 평면 단일 크리스탈 사피어 웨이퍼 1300mm 1500mm 두께
2.6인치 사파이어 웨이퍼 오리엔테이션 0001 Al2O3 싱글 크리스탈 광학 투명성
FAQ:
질문: 사파이어 웨이퍼란 무엇인가요?
A: 비트라 테크놀로지의 사피어 웨이퍼
합성 사파이어는 알루미늄 산화물 (Al2O3) 의 단일 결정 형태입니다. 그것은 높은 온도 저항, 열 충격 저항, 높은 강도,스크래치 저항성, 낮은 다이 일렉트릭 손실 및 좋은 전기 단열.
질문: 사피어와 실리콘 웨이퍼의 차이점은 무엇일까요?
A: LED는 사피르의 가장 인기있는 응용입니다. 이 물질은 투명하고 빛의 훌륭한 전도입니다.실리콘은 불투명하며 효율적인 빛 추출을 허용하지 않습니다.반도체 물질은 LED를 위해 이상적입니다. 그것은 저렴하고 투명하기 때문입니다.
질문: 반도체에서 사파이어는 무엇일까요?
A: 사파이어 웨이퍼는 Si, 갈리엄 나이트라이드 (GaN), AlGaN와 같은 반도체 필름의 에피타시 및 통합 회로를 만드는 데 사용됩니다.C 평면 사파이어 기판은 LED 제조 및 IR 탐지 장치 응용에 GaN 및 다른 III ̊V 및 II ̊VI 화합물의 성장을 위해 사용됩니다..