전력 고주파용으로 6H SiC(실리콘 카바이드) 정사각형 기판 웨이퍼를 선택하는 이유를 확인하세요.

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전력 고주파용으로 6H SiC(실리콘 카바이드) 정사각형 기판 웨이퍼를 선택하는 이유를 확인하세요.

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December 05, 2025

카테고리 연결: 실리콘 탄화물 웨이퍼

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태그:

#실리콘 탄화물 기질 #sic 웨이퍼 #사파이어 웨이퍼에 실리콘

개요: 이야기를 따라가며 작은 디자인 선택이 일상적인 성능에 어떤 영향을 미치는지 알아보세요. 이 비디오에서는 6H SiC(실리콘 카바이드) 정사각형 기판 웨이퍼를 시연하여 제조 공정, 재료 장점, 전력 및 고주파 장치의 실제 응용 분야를 소개합니다. 고유한 특성이 어떻게 극한 조건에서 안정적인 작동을 가능하게 하는지 알아보고 반도체 연구 및 장치 제조에 사용되는 예를 살펴봅니다.

관련 제품 특징:

고급 반도체 응용 분야를 위한 고순도 6H-SiC 단결정 소재로 제조되었습니다.
손쉬운 취급과 간소화된 장치 제조 공정을 위한 사각형 모양 디자인.
전력 장치에 탁월한 열 전도성과 높은 항복 전계 강도를 제공합니다.
3.0eV의 넓은 밴드갭은 고온, 고전압 환경에서 안정적인 성능을 보장합니다.
맞춤형 크기와 두께로 광택, 반광택 또는 비광택 표면으로 제공됩니다.
높은 전자 이동도는 RF 및 마이크로파 전자 장치에서 탁월한 성능을 지원합니다.
초고경도 및 내화학성은 긴 사용 수명과 신뢰성을 제공합니다.
전력 반도체 장치, 레이저 시스템 및 연구실 응용 분야에 적합합니다.

자주 묻는 질문:

6H-SiC와 4H-SiC의 차이점은 무엇입니까?

4H-SiC는 전자 이동도가 높기 때문에 상업용 전력 장치에 더 일반적으로 사용되는 반면, 6H-SiC는 특정 RF, 마이크로파 및 특수 광전자 응용 분야에서 선호됩니다.
연마되지 않은 6H-SiC 정사각형 기판을 공급할 수 있습니까?

예, 당사는 고객 요구 사항에 따라 광택 처리된 표면, 랩 처리된 표면, 광택 처리되지 않은 표면을 제공합니다.
소형 정사각형 기판을 지원합니까?

예, 특정 프로젝트 요구 사항에 맞게 최소 2×2 mm의 정사각형 크기를 맞춤화할 수 있습니다.
검사 및 테스트 보고서가 제공됩니까?

예, 요청 시 치수 검사 보고서, 저항률 테스트 데이터 및 표면 거칠기 보고서를 제공할 수 있습니다.

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