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초고전압 MOSFET용 4H-SiC 에피타시얼 웨이퍼 (100~500μm, 6인치)

실리콘 탄화물 웨이퍼
2025-09-12
120 의견
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4H-SiC 에피탈시얼 웨이퍼의 제품 개요 전기차, 스마트 그리드, 재생 에너지, 고전력 산업 시스템의 급속한 발전은 더 높은 전압을 처리할 수 있는 반도체 장치에 대한 수요를 증가시키고 있습니다.더 큰 전력 밀도광대 반구 반도체 중, 실리콘 탄화물 (SiC) 은 광대 반구, 높은 열 전도성,그리고 더 높은 전기장 강도. 우리의 4H-SiC 대각층 웨이퍼는 ... 더 견해
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