|
상세 정보 |
|||
| 열전도율: | 상대적으로 높은 열전도성 | 성능 장점: | 우수한 전기적 특성, 크기의 감소, 전자 장치들 사이의 크로스 스톡을 최소화 |
|---|---|---|---|
| 액티브 레이어 두께: | 보통 몇 개 에서 수십 개 의 나노미터 (nm) 까지 | 저항률: | 일반적으로 몇 백에서 수천 오hm 센티미터 (Ω·cm) 까지 |
| 웨이퍼 지름: | 4 인치, 6 인치, 8 인치 또는 더 큰 | 전력 소비 특성: | 저전력 소비 특성 |
| 프로세스 장점: | 향상 된 전자 장치 성능 및 낮은 전력 소비를 제공합니다 | 불순물 농도: | 전자 이동성 효과를 최소화하기 위한 낮은 불순물 농도 |
| 하이 라이트: | 실리콘 단열기 웨이퍼 스탠드,SOI 웨이퍼 4 인치,CMOS 3층 구조 SOI 웨이퍼 |
||
제품 설명
SOI 웨이퍼 4 인치, 6 인치, 8 인치, CMOS 3층 구조와 호환
제품 설명:
SOI (실리콘 온 아이솔레이터) 웨이퍼는 반도체 기술 분야에서 선구적인 경이로움으로 자리잡고 있습니다.이 최첨단 웨이퍼는 혁신의 삼각을 구현합니다., 비교할 수 없는 성능, 효율성, 그리고 다재다능성을 제공합니다.
그 중심에는 3층 구조가 있다. 상단층은 장치 계층으로 알려진 단일 결정의 실리콘 계층을 갖추고 있으며, 통합 회로의 기초로 작용한다.그 아래에는 묻힌 산화질소 층이 있습니다., 고층 실리콘 층과 바닥 사이의 단열 및 격리를 제공합니다. 마지막으로, 하층은 핸들 레이어로 구성됩니다.이 기술적인 걸작이 만들어지는 기판을 형성합니다..
SOI 웨이퍼의 대표적인 특징 중 하나는 CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 기술과의 호환성입니다.이 호환성은 기존 반도체 제조 프로세스에 SOI의 이점을 원활하게 통합합니다., 기존 생산 방법론을 방해하지 않고 성능 향상을 위한 경로를 제공합니다.
SOI 웨이퍼의 혁신적인 3층 구성은 다양한 장점을 가지고 있습니다.전자 장치 용량을 최소화하고 회로 속도와 효율성을 향상시키는이 전력 소비 감소는 휴대용 장치의 배터리 수명을 향상시킬뿐만 아니라 많은 응용 분야에서 에너지 효율적인 운영에 기여합니다.
또한, SOI 웨이퍼의 단열층은 방사선에 대한 뛰어난 저항을 부여하여 가혹하고 고 방사선 환경에서 적용하기에 예외적으로 적합합니다.방사능 효과를 완화 할 수있는 능력은 신뢰성과 기능을 보장합니다.극한의 조건에서도
3층 구조는 또한 신호 간섭을 감소시키고, 구성 요소 간의 교류를 줄임으로써 통합 회로의 성능을 최적화합니다. 이것은 신호 무결성을 향상시킵니다.데이터 처리 및 커뮤니케이션 효율성을 높이는 길을 열어주는 것.
또한 방열층은 효율적인 열 분비를 도와 웨이퍼 내부에서 열을 효과적으로 분산시킵니다. 이 기능은 칩 과열을 방지합니다.통합 회로의 지속적인 성능과 장수성 확보.
결론적으로, SOI 웨이퍼는 반도체 기술의 패러다임 전환을 나타냅니다.고성능 전자제품의 가능성을 열어줍니다.에너지 효율적인 소비자 전자제품에서 항공우주 및 국방에 대한 강력한 솔루션,SOI 웨이퍼의 혁신적인 디자인과 다각적인 장점은 끊임없이 진화하는 반도체 혁신의 초석으로 만듭니다..
특징:
이중층 구조: SOI 웨이퍼는 3층으로 구성되어 있으며, 상층은 단일 결정의 실리콘 층 (Device Layer) 이다.중층은 단열층 (Buried Oxide Layer) 이다., 그리고 아래층은 실리콘 기판 (Handle Layer) 이다.
낮은 전력 소비: 단열층의 존재로 인해 SOI 웨이퍼는 전자 장치에서 낮은 전력 소비를 나타냅니다.격리 층은 전자 장치 사이의 용량 결합 효과를 줄입니다., 이를 통해 통합 회로의 속도와 효율성을 향상시킵니다.
방사능 저항성: SOI 웨이퍼의 단열층은 방사선에 대한 실리콘의 저항성을 향상시켜 고 방사선 환경에서 더 나은 성능을 제공합니다.특정 용도에 적합하도록.
줄여진 교류: 단열층의 존재는 신호 간의 교류를 줄이고 통합 회로의 성능을 향상시킵니다.
열 분산: SOI 웨이퍼의 단열층은 열 분산에 기여하여 통합 회로의 열 분산 효율을 향상시키고 칩 과열을 방지하는 데 도움이됩니다.
높은 통합과 성능: SOI 기술은 칩이 더 높은 통합과 성능을 가질 수 있도록 해 전자 장치가 동일한 크기의 더 많은 구성 요소를 수용 할 수 있습니다.
CMOS 호환성: SOI 웨이퍼는 CMOS 기술과 호환되며 기존 반도체 제조 프로세스에 유리합니다.
SOI 웨이퍼 제조
기술 매개 변수:
| 매개 변수 | 가치 |
|---|---|
| 방열층 두께 | 대략 몇 백 나노미터 |
| 저항성 | 일반적으로 몇 백에서 수천 오hm 센티미터 (Ω·cm) 까지 |
| 제조 과정 | 특수 공정으로 준비 된 다기 결정성 실리콘 층 |
| 액티브 레이어 두께 | 보통 몇 개 에서 수십 개 의 나노미터 (nm) 까지 |
| 도핑 유형 | P형 또는 N형 |
| 격리층 | 실리콘 이산화 |
| 층 간 결정 질 | 고품질의 결정 구조, 장치 성능에 기여 |
| SOI 두께 | 보통 몇 백 나노미터 에서 몇 미크로미터 사이 |
| 프로세스 장점 | 향상 된 전자 장치 성능 및 낮은 전력 소비를 제공합니다 |
| 성능 장점 | 우수한 전기적 특성, 크기의 감소, 전자 장치들 사이의 크로스 스톡을 최소화 |
| 전도성 | 높은 |
| 표면 산화 | 사용 가능 |
| 실리콘 옥시드 웨이퍼 | 사용 가능 |
| 에피택시 | 사용 가능 |
| 도핑 | P형 또는 N형 |
| 국산물 | 사용 가능 |
응용 프로그램:
마이크로프로세서 및 통합 회로 제조: SOI 기술은 마이크로프로세서 및 통합 회로 제조에서 중추적인 역할을 합니다.높은 성능, 그리고 방사능 저항은 특히 모바일 장치와 클라우드 컴퓨팅과 같은 분야에서 고성능 마이크로프로세서에게 이상적인 선택이 됩니다.
통신 및 무선 기술: 통신 분야에서 SOI 기술의 광범위한 적용은 전력 소비를 줄이고 통합을 향상시키는 능력 때문입니다.여기에는 라디오 주파수 (RF) 및 마이크로 웨브 장치에 대한 고성능 통합 회로 제조가 포함됩니다.5G 및 사물 인터넷 (IoT) 기기들을 위한 효율적인 칩과
이미지 및 센서 기술: SOI 웨이퍼는 이미지 센서 및 다양한 센서 유형을 생산하는 데 중요한 사용을 찾습니다.높은 성능과 낮은 전력 소비로 카메라와 같은 분야에서 매우 중요합니다.의료 영상 장비와 산업용 센서
항공우주 및 국방: SOI 웨이퍼의 방사능 내성 특성으로 인해 고 방사능 환경에서 탁월하게 작용하여 항공우주 및 국방 분야에서 중요한 응용 분야로 이어집니다.그들은 무인 항공기 핵심 부품 제조에 사용됩니다, 위성, 내비게이션 시스템, 고성능 센서
에너지 관리 및 친환경 기술: 낮은 전력 소비와 높은 효율성으로 인해 SOI 웨이퍼는 에너지 관리 및 친환경 기술에서도 응용을 찾습니다.여기에는 스마트 그리드에서의 사용이 포함됩니다., 재생 에너지원, 에너지 절약 장치.
일반적으로 SOI 웨이퍼의 다재다능한 응용은 독특한 특성으로 인해 다양한 영역에 걸쳐 있습니다.많은 고성능 전자 장치 및 시스템에서 선호되는 재료로 만듭니다..
사용자 정의:
브랜드 이름: ZMSH
모델 번호: SOI 웨이퍼
원산지: 중국
맞춤형 반도체 기판은 첨단 얇은 필름 기술, 전기 산화, 전도성, 필터링 및 도핑으로 제조됩니다.고품질의 평면, 결함을 줄이고, 전자 이동성 효과를 최소화하는 것을 목표로 낮은 불순물 농도, 고품질의 결정 구조, 장치 성능에 기여하고, 방사선에 강한 저항.
지원 및 서비스:
우리는 우리의 반도체 기판 제품에 대한 포괄적인 기술 지원과 서비스를 제공합니다.
- 제품 선택 지침
- 설치 및 시공
- 유지보수, 수리 및 업그레이드
- 문제 해결 및 문제 해결
- 교육 및 사용자 교육
- 제품 교체 및 교환
우리의 기술 지원 팀은 경험 많은 전문가들로 구성되어 있으며 고객들의 만족을 보장하기 위해 헌신합니다.우리는 빠른 응답 시간과 효과적인 문제 해결을 위해 노력합니다..