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상세 정보 |
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| 두께: | 미니:175 최대:225 | 도펀트: | Ｓ |
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| 표면 마감 처리: | 닦습니다 | 입자 계수: | 이용 불가능 |
| 모서리 라운딩: | 0.250mmR | IF 위치/길이: | EJ[0-1-1]/ 7±1mm |
| 행동 유형: | S-C-N | 에피 준비: | 네 |
| 하이 라이트: | GaP 웨이퍼 반도체 기판,갈륨 인산 단일 결정 방향,갈륨 포스피드 (GaP) 웨이퍼 |
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제품 설명
GaP 웨이퍼, 갈륨 포스피드 단일 크리스탈 오리엔테이션 (111)A 0°±0.2 태양전지
제품 설명:
다른 III-V 화합물 물질과 마찬가지로 독특한 전기적 특성을 가진 중요한 반도체 인 갈륨 인산 GaP는 열역학적으로 안정적인 큐브 ZB 구조에서 결정화됩니다.2의 간접 밴드 간격을 가진 오렌지 노란색 반투명 결정 물질.26 eV (300K), 6N 7N 고순도 갈륨과 인산에서 합성되어 액체 캡슐화 Czochralski (LEC) 기술로 단일 결정으로 성장합니다.갈륨 엽수화물 결정은 n형 반도체를 얻기 위해 황 또는 텔루륨을 도핑합니다., 그리고 염색소가 p형 전도성으로 도핑되어 원하는 웨이퍼로 제조됩니다. 광 시스템, 전자 및 기타 광 전자 장치에 응용됩니다.단일 크리스탈 GaP 웨이퍼는 준비 될 수 있습니다 Epi-ready 당신의 LPE, MOCVD 및 MBE 대동부 응용 고품질 단일 결정 갈륨 인산 GaP 웨이퍼 p 타입,n형 또는 Western Minmetals (SC) Corporation에서 도핑되지 않은 전도성은 2′′와 3′′ (50mm) 사이즈로 제공 될 수 있습니다., 75mm 지름), 지향 <100>,<111> 가 절단, 닦거나 에피 준비 된 공정의 표면 완공으로.
특징:
- 광의 특정 파장을 방출하기에 적합한 넓은 대역 간격
- GaP 웨이퍼 우수한 광학적 특성으로 다양한 색상의 LED 생산이 가능합니다.
- LED를 위한 빨간색, 노란색, 녹색 조명을 생성하는 높은 효율성.
- 특정 파장의 빛 흡수 능력이 우수합니다.
- 높은 주파수 전자 장치를 용이하게 하는 좋은 전기 전도성
- GaP 웨이퍼 신뢰성 높은 성능을 위해 적절한 열 안정성
- 반도체 제조 공정에 적합한 화학적 안정성
- GaP 웨이퍼 추가 계층의 대동성 성장을위한 유리한 격자 매개 변수.
- 반도체 퇴적의 기판으로 사용할 수 있다.
- GaP 웨이퍼 고열전도성이 강한 단단한 재료
- 광탐지기에 대한 뛰어난 광전자 기능
- 특정 파장 범위를 위한 광 장치 설계의 다양성.
- GaP 웨이퍼 맞춤형 빛 흡수를 위한 태양전지에서의 잠재적 응용
- 양질의 반도체 성장을 위해 비교적 일치 된 격자 구조.
- 광학 및 전기적 특성으로 인해 LED, 레이저 다이오드 및 광 탐지기 제조에서 필수적인 역할.
기술 매개 변수:
| 매개 변수 | 가치 |
|---|---|
| 성장 방법 | LEC |
| BOW | 맥스:10 |
| 직경 | 50.6±0.3mm |
| 입자 수 | 제1호 |
| 오리엔테이션 각 | 제1호 |
| TTV/TIR | 맥스:10 |
| 도판트 | S |
| 레이저 표시 | 제1호 |
| 방향성 | (111) A 0°±02 |
| 이동성 | 미니:100 |
| 반도체 물질 | 반도체 기판 |
| 표면 산화 | 초밀한 실리콘 산화물 웨이퍼 |
응용 프로그램:
- 적색, 노란색, 녹색등을 생산하기 위한 GaP 웨이퍼 LED 제조
- 다양한 광학 응용 용도로 GaP 웨이퍼 레이저 다이오드 제조
- 특정 파장 범위를 위한 GaP 웨이퍼 광 탐지기 개발
- GaP 웨이퍼 광전자 센서 및 빛 센서에서 사용.
- 가프 웨이퍼 태양전지 통합
- GaP 웨이퍼 디스플레이 패널 및 표시등 생산.
- GaP 웨이퍼 고주파 전자 장치의 기여
- 다른 파장 범위를 위한 광 장치의 GaP 웨이퍼 형성
- GaP 웨이퍼 통신 및 광 통신 시스템에서의 사용.
- GaP 웨이퍼 신호 처리용 광학 장치 개발
- 적외선 (IR) 및 자외선 (UV) 센서에 GaP 웨이퍼 통합
- 생물 의학 및 환경 감지 장치에서 GaP 웨이퍼 구현.
- GaP 웨이퍼 군사 및 항공 우주 광 시스템에서의 응용.
- GaP 웨이퍼 분광 및 분석 기기에 대한 통합.
- 새로운 기술에 대한 연구 및 개발에서 GaP 웨이퍼 활용.
사용자 정의:
브랜드 이름: ZMSH
모델 번호: GaP 웨이퍼
원산지: 중국
TTV/TIR: 최대:10
맥스:10
OF 위치/길이: EJ[0-1-1]/ 16±1mm
이동성:100
저항성: 미니:00.01 최대:0.5 Ω.cm
특징:
• 얇은 필름 기술 사용
• 실리콘 산화물 웨이퍼
• 전기 산화
• 맞춤형 서비스
지원 및 서비스:
우리는 우리의 반도체 기판 제품에 대한 광범위한 기술 지원 및 서비스를 제공합니다. 전문가의 팀은 귀하의 필요에 대한 최상의 솔루션을 제공 할 수 있습니다.
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- 제품 선택 및 평가
- 설치 및 시험
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