|
| 브랜드 이름: | ZMSH |
| 모델 번호: | GaP wafer |
GaP 웨이퍼, 갈륨 포스피드 단일 크리스탈 오리엔테이션 (111)A 0°±0.2 태양전지
다른 III-V 화합물 물질과 마찬가지로 독특한 전기적 특성을 가진 중요한 반도체 인 갈륨 인산 GaP는 열역학적으로 안정적인 큐브 ZB 구조에서 결정화됩니다.2의 간접 밴드 간격을 가진 오렌지 노란색 반투명 결정 물질.26 eV (300K), 6N 7N 고순도 갈륨과 인산에서 합성되어 액체 캡슐화 Czochralski (LEC) 기술로 단일 결정으로 성장합니다.갈륨 엽수화물 결정은 n형 반도체를 얻기 위해 황 또는 텔루륨을 도핑합니다., 그리고 염색소가 p형 전도성으로 도핑되어 원하는 웨이퍼로 제조됩니다. 광 시스템, 전자 및 기타 광 전자 장치에 응용됩니다.단일 크리스탈 GaP 웨이퍼는 준비 될 수 있습니다 Epi-ready 당신의 LPE, MOCVD 및 MBE 대동부 응용 고품질 단일 결정 갈륨 인산 GaP 웨이퍼 p 타입,n형 또는 Western Minmetals (SC) Corporation에서 도핑되지 않은 전도성은 2′′와 3′′ (50mm) 사이즈로 제공 될 수 있습니다., 75mm 지름), 지향 <100>,<111> 가 절단, 닦거나 에피 준비 된 공정의 표면 완공으로.
| 매개 변수 | 가치 |
|---|---|
| 성장 방법 | LEC |
| BOW | 맥스:10 |
| 직경 | 50.6±0.3mm |
| 입자 수 | 제1호 |
| 오리엔테이션 각 | 제1호 |
| TTV/TIR | 맥스:10 |
| 도판트 | S |
| 레이저 표시 | 제1호 |
| 방향성 | (111) A 0°±02 |
| 이동성 | 미니:100 |
| 반도체 물질 | 반도체 기판 |
| 표면 산화 | 초밀한 실리콘 산화물 웨이퍼 |
브랜드 이름: ZMSH
모델 번호: GaP 웨이퍼
원산지: 중국
TTV/TIR: 최대:10
맥스:10
OF 위치/길이: EJ[0-1-1]/ 16±1mm
이동성:100
저항성: 미니:00.01 최대:0.5 Ω.cm
특징:
• 얇은 필름 기술 사용
• 실리콘 산화물 웨이퍼
• 전기 산화
• 맞춤형 서비스
우리는 우리의 반도체 기판 제품에 대한 광범위한 기술 지원 및 서비스를 제공합니다. 전문가의 팀은 귀하의 필요에 대한 최상의 솔루션을 제공 할 수 있습니다.
제품 선택, 설치, 테스트 또는 다른 기술적 문제에 대한 조언이 필요하든, 우리는 도움을 드릴 수 있습니다. 우리는 다양한 서비스를 제공합니다.
경험 많은 엔지니어와 기술자들로 구성된 저희 팀은 여러분의 모든 질문에 답하고 최상의 기술 조언과 지원을 제공할 수 있습니다.오늘 저희에게 연락하고 우리는 당신의 필요에 대한 최선의 솔루션을 찾는 데 도움이 될 것입니다..
