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| 브랜드 이름: | ZMKJ |
| 모델 번호: | 2 인치 AlN-사파이어 |
| MOQ: | 5 PC |
| 가격: | by case |
| 포장에 대한 세부 사항: | 세척실에서 매엽 컨테이너 |
| 지불 조건: | 전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔 |
2 인치 4iinch 6Inch 사파이어는 AlN 템플릿 알루미늄질화물 필름을 사파이어 기판 사파이어 윈도우 사파이어 웨이퍼에 바탕을 두었습니다
아라스테리스틱 상술
다른 레레이터드 4INCH gan 템플릿 상술
| GaN/ Al2O3 기판 (4 ") 4 인치 | |||
| 항목 | 도프하지 않은 | n형 |
하이-도핑 n형 |
| (밀리미터)를 분류하세요 | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| 기판 구조체 | 사파이어(0001) 위의 GaN | ||
| 서페이스피니시드 | (표준 : SSP 선택 : DSP) | ||
| 두께 (μm) | 4.5±0.5; 20±2;주문 제작됩니다 | ||
| 도전 타입 | 도프하지 않은 | n형 | 하이-도핑 n형 |
| 저항률 (Ω·cm)(300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN 면내 균일성 |
≤±10% (4") | ||
| 전위 밀도 (cm-2) |
≤5×108 | ||
| 쓸 수 있는 표면적 | >90% | ||
| 패키지 | 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다. | ||
| 결정 구조 |
우르츠광 |
| 격자 상수 (A) | a=3.112, c=4.982 |
| 전도성 밴드타입 | 직접적인 밴드 갭 |
| 비중 (g/cm3) | 3.23 |
| 표면 미세 경도 (누프 테스트) | 800 |
| 융해점 (C) | 2750 (N2에서 10-100 바) |
| 열전도율 (W/m·K) | 320 |
| 대역 갭 에너지 (eV) | 6.28 |
| 전자 이동도 (V·s/cm2) | 1100 |
| 항복 전기장 (MV/cm) | 11.7 |
