|
| 브랜드 이름: | ZMKJ |
| 모델 번호: | 2 인치 AlN-사파이어 |
| MOQ: | 5 PC |
| 가격: | by case |
| 포장에 대한 세부 사항: | 세척실에서 매엽 컨테이너 |
| 지불 조건: | 전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔 |
2인치 4인치 6인치 사파이어 기반 AlN 템플릿 사파이어 기판의 AlN 필름
5G BAW 장치용 사파이어 기판 AlN 템플릿 레이어 웨이퍼의 2인치
특이한 사양
기타 관련 4INCH GaN 템플릿 사양
| GaN/ Al₂O₃ 기판(4") 4inch | |||
| 안건 | 도핑되지 않은 | N형 |
고농도 N형 |
| 사이즈(mm) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| 기판 구조 | 사파이어의 GaN(0001) | ||
| 표면 마감 | (표준: SSP 옵션: DSP) | ||
| 두께(μm) | 4.5±0.5;20±2, 맞춤형 | ||
| 전도 유형 | 도핑되지 않은 | N형 | 고농도 N형 |
| 저항(Ω·cm)(300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN 두께 균일성 |
≤±10% (4") | ||
| 전위 밀도(cm-2) |
≤5×108 | ||
| 사용 가능한 표면적 | >90% | ||
| 패키지 | 클래스 100 클린룸 환경에서 포장됩니다. | ||
| 결정 구조 |
우르츠광 |
| 격자 상수(Å) | a=3.112, c=4.982 |
| 전도대 유형 | 직접 밴드갭 |
| 밀도(g/cm3) | 3.23 |
| 표면 미세경도(누프 테스트) | 800 |
| 녹는점(℃) | 2750(N2에서 10-100바) |
| 열전도율(W/m·K) | 320 |
| 밴드 갭 에너지(eV) | 6.28 |
| 전자 이동도(V·s/cm2) | 1100 |
| 전기 파괴 필드 (MV/cm) | 11.7 |
