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상세 정보 |
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| 소재: | sI 서브스트레이트에 있는 GaN 층 | 크기: | 8인치/6인치 |
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| GaN 두께: | 2-5UM | 종류: | n형 |
| 적용: | 반도체 디바이스 | ||
| 하이 라이트: | Dia 200 밀리미터 Si epi 웨이퍼,6 인치 Si epi 웨이퍼,AlGaN 비화 갈륨 웨이퍼 |
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제품 설명
8인치 6인치 AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si 에피와퍼
GaN 웨이퍼 특성
- III-나트라이드 ((GaN,AlN,InN)
갈리엄 나이트라이드는 넓은 틈의 화합물 반도체 중 하나입니다. 갈리엄 나이트라이드 (GaN) 기체는
고품질의 단일 결정 기판입니다. 원래 HVPE 방법과 웨이퍼 처리 기술을 사용하여 만들어졌습니다. 원래 중국에서 10년 이상 개발되었습니다.특징은 높은 결정입니다., 좋은 균일성, 우수한 표면 품질. GaN 기판은 흰색 LED 및 LD ((포란색, 파란색 및 녹색) 를 위해 많은 종류의 응용 프로그램에 사용됩니다.발전은 전력 및 고주파 전자 장치 응용 프로그램에 진전되었습니다..
전력 사용용
제품 사양
| 부문 | 가치/범위 |
| 기판 | 네 |
| 웨이퍼 지름 | 4/ 6?? / 8∙ |
| 에피층 두께 | 4-5μm |
| 웨이퍼 활 | <30μm전형적인 |
| 표면 형태 | RMS <0.5nm 5×5μm² |
| 장벽 | 알X가1-XN, 0 |
| 캡 레이어 | 인시투SiN또는 GaN (D 모드); p-GaN (E 모드) |
| 2DEG 밀도 | >9E12/cm2(20nm Al)0.25(GaN) |
| 전자 이동성 | >1800cm2/Vs(20nm Al)0.25(GaN) |
RF 적용용
프로덕트 사양
| 부문 | 가치/범위 |
| 기판 | HR_Si/SiC |
| 웨이퍼 지름 | 4/6/SiC4/ 6/ 8HR_Si |
| 에피-층 두께 | 2-3μm |
| 웨이퍼 활 | <30μm전형적인 |
| 표면 형태 | RMS <0.5nm 5×5μm² |
| 장벽 | AlGaN또는ALN또는InAlN |
| 캡 레이어 | 인시투SiN또는 GaN |
LED 적용용
우리 의 OEM 공장 에 관한 것
우리의 팩트로이 기업 비전
우리는 공장에서 산업에 고품질의 GaN 기판과 응용 기술을 제공할 것입니다.
고품질의 GaN 물질은 III-nitride의 적용을 제한하는 요소입니다. 예를 들어 긴 수명
그리고 높은 안정성 LD, 높은 전력 및 높은 신뢰성 마이크로 웨브 장치, 높은 밝기
그리고 높은 효율성, 에너지 절감성 LED도 있습니다.
-FAQ
Q: 당신은 물류와 비용을 제공 할 수 있습니까?
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Q: 배송시간은 얼마인가요?
(1) 2인치 0.33mm 웨이퍼와 같은 표준 제품.
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