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| 브랜드 이름: | zmkj |
| 모델 번호: | GaN-FS-M-N-S5*10-DSP |
| MOQ: | 10 PC |
| 가격: | 1200~2500usd/pc |
| 포장에 대한 세부 사항: | 진공 패키지에 의한 매엽 건 |
| 지불 조건: | 전신환 |
LeD를 위한 2 인치 GaN 기판 template,GaN 웨이퍼, ld,GaN 템플릿을 위한 반도체 갈륨 질화물 웨이퍼, 유기 금속 CVD 법 질화 갈륨 기판, 주문 제작된 크기에 의한 프리-스탠딩 GaN 기판, LED를 위한 작은 사이즈 질화 갈륨 기판, 유기 금속 CVD 법 갈륨 나이트라이드 웨이퍼 10x10mm,5x5mm, 10x5mm 질화 갈륨 기판, 비극성 홀로 서 있는 갈륨-질소 기판 (a-비행기와 m-비행기)
질화 갈륨 기판 특성
| 제품 | 갈륨은 (GaN) 기판을 질화처리합니다 | ||||||||||||||
| 제품 설명 : |
사피하하이레 gan 템플릿은 본 에피택시 HVPE 방법 (HVPE) 방법입니다. HVPE 절차에서, 인 반응 가크들에 의해 생산된 산은 갈륨 나이트라이드 용해를 생산하기 위해 차례로 암모니아와 반응했습니다. 에피텍시얼 gan 템플릿은 질화갈륨 단결정 기판을 대체하기 위한 비용 효율적 방법입니다. |
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| 기술적인 매개 변수 : |
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| 상술 : |
GaN 에피택셜 막 (Ｃ 비행기), n형, 사파이어 빛인 2 "* 30 마이크론 ; GaN 에피택셜 막 (Ｃ 비행기), n형, 사파이어 빛인 2 "* 5 마이크론 ; GaN 에피택셜 막 (Ｒ 비행기), n형, 사파이어 빛인 2 "* 5 마이크론 ; GaN 에피택셜 막 (Ｍ 비행기), n형, 사파이어 빛인 2 "* 5 마이크론. AL2O3 + 갈륨질화물 필름 (n형 도핑된 실리콘) ; AL2O3 + 갈륨질화물 필름 (p형 도핑된 Mg) 기록 : 고객 요구 특수 플러그 배향과 사이즈에 따르면. |
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| 표준 패키징 : | 1000년은 방, 100개의 깨끗한 가방 또는 단일 박스 패키징을 청소합니다 |
애플리케이션
GaN은 LED 디스플레이, 활기 찬 탐지와 이미지화와 같은 상당수 지역에서 사용될 수 있습니다,
레이저 프로젝션 디스플레이, 전력 소자, 등.
상술 :
| 비극성 홀로 서 있는 갈륨-질소 기판 (a-비행기와 m-비행기) | ||
| 항목 | 간-FS-어 | 간-FS-엠 |
| 차원 | 5.0mm×5.5mm | |
| 5.0mm×10.0mm | ||
| 5.0mm×20.0mm | ||
| 주문 제작된 사이즈 | ||
| 두께 | 350 ± 25 um | |
| 배향 | a-비행기 ± 1' | m-비행기 ± 1' |
| TTV | ≤15 um | |
| 활 | ≤20 um | |
| 도전 타입 | n형 | |
| 저항률(300K) | < 0=""> | |
| 전위 밀도 | 5x106 cm-2보다 적습니다 | |
| 쓸 수 있는 표면적 | > 90% | |
| 끝마무리 | 전면 : Ra < 0=""> | |
| 뒷 표면 : 미세 지면 | ||
| 패키지 | 질소 분위기 하에 한 개의 웨이퍼 컨테이너의, 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다. | |
큐 :당신의 최소 순서 요구사항이 무엇입니까?
한 :MOQ :10개 부분
큐 :얼마나 오래 그것이 내 주문과 배달을 실행하기 위해 걸릴 것입니다 그것 ?
한 :계속 주식 면 5 일 만에 지불과 배달을 확인한지 1 일 뒤에 주문을 확인하세요.
큐 :당신의 제품의 보증을 주시겠습니까 ?
한 :우리는 품질에게 만약 품질이 어떠한 문제도 있다면, 새로운 제품을 생산하거나 당신을 반환할 것이라고 약속합니다 돈.
큐 :지불하는 방법?
한 :전신환, 페이팔, 웨스트 유니언, 은행 이체.
큐 :화물은 어떻습니까 ?
한 :우리는 당신이 계좌를 가지지 않으면 당신이 수수료를 위해 지불할 수 있도록 도와 줄 수 있습니다,
만약 주문이 위에 10000 미국달러이면, 우리가 CIF에 의해 배달 할 수있.
