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상세 정보 |
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| 재료: | LiNbO3은 실리콘 기판위에 층을 이룹니다 | 층 두께: | 300-1000nm |
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| 배향: | X 판 | 애플리케이션 2: | 5G 톱 / 벌크 탄성파 소자 |
| Ra: | 0.5nm | 분리막: | Sio2 |
| 기판: | 525 um | 사이즈: | 4 인치 6 인치 8 인치 |
| 하이 라이트: | 900nm LN ON 상태 실리콘 기판,얇은 필름 리튬 니오베이트 웨이퍼,6 인치 리튬 니오베이트 웨이퍼 |
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제품 설명
300-900nm LN ON 상태 실리콘 LiNbO3 리튬 니오베이트 웨이퍼 얇은 필름은 실리콘 기판위에 층을 이룹니다
수정인 리튬 니오베이트 (LiNbO3)는 중요한 광전 물질이고, 넓게 광 집적 회로, 비선형 광학, 광전자 구성 부품과 다른 분야, 가장 중요한 기판 물질 중 하나에서 사용됩니다. 요즈음, 라튬 나오베이트 결정은 넓게 휴대전화, 텔레비전, 광통신, 레이저 범위작업, 전기장 검출기와 기타 장치를 중요한 역할을 한 표면 음파와 전기 광학적 변조, Q-스위칭 레이저, 광학 자이로, 광 파라메트릭 발진, 광 파라메트릭 증폭, 광학 홀로그래픽 저장과 기타 장치에서 사용됩니다.
벌크 물질의 물성을 유지하면서, 리튬 니오베이트 단결정 박막의 우리의 제작은 한 개의 결정 격자 구조를 가집니다, 3 인치의 지름과 함께, 상위 리튬 니오베이트 단결정 박막의 두께는 0.3-0.7 마이크론이고, 중간층이 1 마이크론 두께 실리카 (SiO2) 이고, 바닥층이 0.5 밀리미터 두꺼운 리튬 니오베이트 웨이퍼 기판입니다.
특징적 상술
| 300-900 nm 리튬 니오베이트 얇은 필름 (LNOI) | ||||
| 최고 기능적인 층 | ||||
| 지름 | 3, 4, (6) 인치 | 배향 | Ｘ, Ｚ, Ｙ 기타 등등. | |
| 재료 | LiNbO3 | 두께 | 300-900 nm | |
| (선택적인) 도핑 | 마고 | |||
| 분리막 | ||||
| 재료 | SiO2 | 두께 | 1000-4000 nm | |
| 기판 | ||||
| 재료 | Si, LN, 석영, 용융 실리카 기타 등등. | |||
| 두께 | 400-500 μm | |||
| 선택적 전극층 | ||||
| 재료 | Pt, Au, Cr | 두께 | 100-400 nm | |
| 구조 | 위쪽에 또는 아래 SiO2 분리막 | |||
관련된 주문 제작된 얇은 필름
| 주문 제작된 리튬 니오베이트 & 리튬 탄탈레이트 얇은 필름 | ||||||||
| 최고 Layer/ 세부 | 기판 세부 사항 | 최상위 계층 얇은 필름 세부 | ||||||
| 다중층 구조 | 패턴화된 전극 & 도파관 | 다른 소재 (SiO2 / Si, Si, 사파이어, 석영 기타 등등.) | PPLN | 특별 사이즈 | 전극 (Au, Pt, Cr, Al 기타 등등.) | (벌크 웨이퍼와 마찬가지로) 배향 | 도핑 (마고, Fe, Er, Tm 기타 등등.) | |
| 100-1000 nm LiNbO3 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ |
| 100-1500 nm LiTaO3 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | |
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5-50 um LiNbO3 |
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5-50 um LiTaO3 |
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LN ON 상태 실리콘의 애플리케이션
1, 도파관 변조기, 기타 등등과 같은 광섬유 전송. 전통 산물과 비교해서, 이 박막 물질을 이용하여 생산된 장치의 양은 100만 번이상 감소될 수 있습니다, 통합이 매우 향상되고, 응답 대역폭이 넓고, 소비 전력이 낮고, 성능이 더 안정적이며,와 제조 비용이 감소됩니다.
고급 품질 필터, 지연 라인, 기타 등등과 같은 2, 전자적 장치.
3, 정보 스토리지,와 고밀도 정보 스토리지, 70 Ｔ (100000 CD) _의 3 인치 필름 정보 기억 용량을 실현할 수 있습니다
리튬 니오베이트 웨이퍼 얇은 필름의 디스플레이는 실리콘 기판위에 층을 이룹니다
FAQ -
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우리는 자사 제품을 위한 상세 리포트를 공급할 수 있습니다.
패키징 - 물류관리
우리는 패키지와 안티 스태틱인 세정과 전기쇼크요법에 대한 각각 세부 사항을 걱정합니다. 제품의 양과 모양에 따르면,
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