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베타 coefficient-Ga2O3 갈륨 옥사이드웨이퍼는 Mg Fe3+ 평방 기판 dsp 스스피에게 도핑했습니다

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Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

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베타 coefficient-Ga2O3 갈륨 옥사이드웨이퍼는 Mg Fe3+ 평방 기판 dsp 스스피에게 도핑했습니다

브랜드 이름:	ZMKJ
모델 번호:	베타 Coefficient-Ga2O3
MOQ:	5 PC
가격:	by case
포장에 대한 세부 사항:	세척실에서 매엽 컨테이너
지불 조건:	전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔

상세 정보

원래 장소:

중국

layer:

GaN template

layer thickness:

1-5um

Melt point (°C):

1725°C

Conductivity:

Semi-insulating, Fe-doped，Mg-doped

Electrical Resistivity:

>1E6 Ohm-cm

Density:

5.95 g/cm3

공급 능력:

50 PC / 달

강조하다:

베타 계수 Ga2O3 산화 갈륨 웨이퍼

,

Dsp 산화 갈륨 반도체 기판

,

정사각형 산화 갈륨 웨이퍼

제품 설명

Array

태그:

반도체 웨이퍼

웨이퍼 기질

gasb 기질

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