우리의InP(인디움 인화물) 반도체 웨이퍼는 뛰어난 전자 및 광 전자 특성으로 유명하며 통신, 광학 및 전자 분야에서 광범위한 응용을 발견했습니다.첨단 성장 및 처리 기술을 활용, 우리는 우리의 웨이퍼의 높은 순수성과 균일성을 보장하고, 뛰어난 전자 이동성과 낮은 결함 밀도를 제공하여 고급 애플리케이션의 엄격한 요구 사항을 충족시킵니다.웨이퍼는 2에서 4 인치까지의 지름으로 제공됩니다., 두께와 표면 거칠기는 고객 요구에 따라 사용자 정의 할 수 있습니다.우리는 모든 웨이퍼가 고객의 기대에 부응하도록 포괄적인 품질 보장과 기술 지원을 제공합니다.고속 광섬유 통신 부품 제조 또는 태양 전지 및 센서의 기판으로 사용되는 경우, 우리의InP웨이퍼가 가장 좋은 선택이죠.
매개 변수 | 가치 |
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두께 | 350 ± 10um |
도핑 농도 | 1×10^16 - 1×10^18 Cm^-3 |
EPD | 5500cm2 |
결함 밀도 | ≤ 500 Cm^-2 |
이동성 | 1200~2000 |
포장 | 진공 포장, 질소 재충전 |
보관 조건 | 온도 20-25°C, 습도 ≤60% |
직경 | 2~6인치 |
도핑 요소 | 안티몬 (Sb), 인디움 (In), 인화 (P), 등 |
전도성 유형 | N형 또는 P형 |
ZMSH는 품질 보장과 함께 갈륨 나이트라이드 웨이퍼 사용자 정의 서비스를 제공합니다. 우리의 갈륨 나이트라이드 웨이퍼는 인디엄 인포스피드 (InP) 로 만들어졌으며 방사능 저항성을 갖추고 있습니다.우리의 갈륨 질소 웨이퍼의 몇 가지 특징은:
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갈륨 나이트라이드 웨이퍼의 포장 및 운송:
갈륨 나이트라이드 (GaN) 웨이퍼는 일반적으로 진공 밀폐 용기 또는 질소 가스로 밀폐됩니다. 컨테이너는 내용, 양,그리고 제조 날짜운송 도중, 컨테이너 는 더 많은 완충 을 위해 거품 랩 이나 스티로 스폼 으로 포장 해야 합니다. 운송물 은 안전 한 도착 을 보장 하기 위해 추적 해야 합니다.