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제품 세부 정보

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갈륨 질화물 웨이퍼
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SSP DSP VGF N형 P형 InP 웨이퍼 높은 전자 이동성 / 열 전도성

SSP DSP VGF N형 P형 InP 웨이퍼 높은 전자 이동성 / 열 전도성

브랜드 이름: ZMSH
모델 번호: InP
MOQ: 1
지불 조건: 전신환
상세 정보
Place of Origin:
China
EPD:
5500cm2
닦습니다:
DSP SSP
이동성:
1200~2000
도전성 타입:
N형 또는 P형
엣치 핏 밀도:
≤1E2/cm2
포장:
포장 방법의 웨이퍼 진공 포장, 질소 재충전
도핑 농도:
도핑 원소의 농도 1×10^16 - 1×10^18 Cm^-3
도핑 요소:
도핑용 원소 반티몬 (Sb), 인디움 (In), 인화 (P), 등
강조하다:

DSP 인디움 포스피드 웨이퍼

,

N형 InP 웨이퍼

,

고전자 이동성 InP 웨이퍼

제품 설명

제품 설명:

우리의InP(인디움 인화물) 웨이퍼는 낮은 결함 밀도와 높은 성능으로 유명하며 광 전자 및 마이크로 전자 분야에서 널리 사용됩니다.이 웨이퍼는 정밀 성장 기술을 사용하여 제작됩니다., 물질의 높은 순수성과 우수한 결정 구조를 보장하고 결함 밀도를 크게 줄이고 장치 성능과 신뢰성을 향상시킵니다.InP2에서 6 인치까지의 지름으로 제공되며, 우리의 웨이퍼는 다양한 응용 프로그램의 요구를 충족시킵니다. 우리는 또한 닦기, 발열 및 산화,특정 프로세스 요구 사항을 수용하기 위해제품의 일관성 및 신뢰성을 보장하기 위해 엄격한 품질 관리 절차를 시행하고 상세한 제품 검사 보고서를 제공합니다.고품질과 뛰어난 성능을 보장합니다., 매우 경쟁적인 시장에서 당신의 제품을 돋보이게 도와줍니다.

 

특징:

  • 높은 열전도:InP상대적으로 높은 열전도성을 나타내며 전자 장치의 효과적인 열 분비를 돕습니다.
  • 화학적 안정성:InP화학적으로 안정적이며 환경의 많은 화학 물질에 매우 내성이 있습니다.
  • 호환성:InP고성능 광전자 및 마이크로전자 기기 제조에서 중요한 GaAs 및 InGaAs와 같은 다른 III-V 그룹 물질과 이성 구조를 형성 할 수 있습니다.
  • 기계적 강도: 실리콘보다 더 부서지기 쉽지만InP제조 및 포장 과정의 압력을 견딜 수 있는 충분한 기계적 강도를 가지고 있습니다.
  • 방사능 저항:InP방사선에 강한 저항력을 가지고 있어 우주용품과 같은 가혹한 환경에서 사용할 수 있습니다.
  • 높은 대역 간격 엔지니어링 적응력: 재료의 특성InP갱격 공학을 통해 특정 애플리케이션에 조작될 수 있습니다.
  • 높은 대역 간격 엔지니어링 적응력: 재료의 특성InP갱격 공학을 통해 특정 애플리케이션에 조작될 수 있습니다.
 SSP DSP VGF N형 P형 InP 웨이퍼 높은 전자 이동성 / 열 전도성 0

기술 매개 변수:

매개 변수 세부 사항
EPD 5500cm2
성장 방법 VGF
평면성 웨이퍼 표면의 평면 ≤0.5μm
포장 진공 포장, 질소 재충전
엣치 핏 밀도 ≤1E2/cm2
닦은 DSP SSP
도핑 요소 안티몬 (Sb), 인디움 (In), 인화 (P), 등
결함 밀도 ≤ 500 Cm^-2
직경 2~6인치
보관 조건 온도 20-25°C, 습도 ≤60%
키워드 광전자 통합 회로, 높은 전자 이동성, 태양 전지
 

응용 프로그램:

  • 광적 감지:InP∆의 광학적 특성으로 인해 온도, 압력 및 화학 성분과 같은 다양한 환경 매개 변수를 감지 할 수있는 센서를 만드는 데 이상적인 재료가됩니다.
  • 섬유 레이저:InP고효율과 고품질의 빔을 생산하는 능력으로 알려진 섬유 레이저의 생산에 사용됩니다. 이러한 레이저는 재료 처리, 의료 응용,전기통신.
  • 야간 시력 기술:InP이는 야경기술에 적용될 수 있는 재료로 사용되며, 이는 저조한 조명 조건에서 시야를 향상시키는 데 사용됩니다.
  • 위성 통신:InP방사능 저항성 및 고주파 성능으로 위성 통신 응용 프로그램에 탁월한 선택입니다.트랜지스터 및 기타 전자 부품 제조에 사용되는 경우.
  • 광 디스크 저장장치:InP광 디스크 저장 장치의 제조에 사용할 수 있습니다. 효율적으로 빛을 방출하고 감지할 수 있기 때문입니다.
 SSP DSP VGF N형 P형 InP 웨이퍼 높은 전자 이동성 / 열 전도성 1

사용자 정의:

갈륨 질소 웨이퍼 커스터마이징 서비스

ZMSH는 높은 전자 이동성 및 반도체 특성을 가진 갈륨 질소 웨이퍼에 대한 사용자 정의 서비스를 제공합니다.우리의 갈륨 질소 웨이퍼는 모델 번호 InP를 포함하고 중국에서 품질 부품으로 제조됩니다저장 조건은 20-25 °C의 온도와 ≤60%의 습도를 요구합니다. 에치 핏 밀도는 ≤1E2/cm2이며 웨이퍼 표면의 평면성은 ≤0.5μm입니다. 우리는 두 가지 유형의 롤링을 제공합니다:DSP 및 SSP도핑에 사용 되는 도핑 원소 는 안티몬 (Sb), 인디움 (In), 인화 (P) 등을 포함한다.

 

지원 및 서비스:

우리는 갈륨 질소 웨이퍼에 대한 기술 지원을 제공합니다. 우리의 경험이 풍부한 직원은 귀하의 필요에 맞는 웨이퍼의 선택, 적용 및 구현에 도움을 줄 수 있습니다.우리는 다양한 서비스를 제공합니다.:

  • 웨이퍼 선택 및 설계에 대한 조언
  • 기술 지원 및 문제 해결
  • 프로세스 최적화 및 설계
  • 프로세스 검증 및 자격
  • 프로세스 모니터링 및 제어
  • 프로세스 개선 및 문제 해결
  • 제품 및 공정 공학
  • 제품 개발 및 테스트

우리는 또한 갈륨 나이트라이드 웨이퍼 사용에 대한 포괄적 인 교육을 제공 할 수 있으며 지속적인 기술 지원도 할 수 있습니다. 우리의 팀은 귀하의 질문에 대답 할 수있는 24/7 사용할 수 있습니다.

 

포장 및 운송:

갈륨 나이트라이드 웨이퍼의 포장 및 운송

갈륨 나트라이드 웨이퍼는 업계의 최고 표준에 따라 포장되고 배송됩니다. 웨이퍼는 붓 박스 같은 적절한 용기에 배치됩니다.그 후 보호막으로 봉인된그 후 컨테이너는 고리 상자 또는 플라스틱 가방과 같은 더 큰 컨테이너 안에 배치됩니다. 더 큰 컨테이너는 적절한 운송 정보로 밀폐되고 표시됩니다.

모든 패키지는 배송 전에 검사되고 테스트됩니다. 패키지는 배송되기 전에 좋은 상태인지 확인하기 위해 일련의 품질 관리 검사에 시달립니다.추적 번호는 고객이 패키지의 진행 상황을 모니터링 할 수 있도록 제공됩니다..

갈륨 질소 웨이퍼는 FedEx, UPS 또는 USPS와 같은 신뢰할 수있는 배송 서비스를 사용하여 배송됩니다. 패키지는 운송 중에 발생할 수있는 손해 또는 손실에 대해 추적 및 보험이 있습니다.고객은 추가 처리로 인한 추가 비용에 대한 책임을 져야 합니다., 세금 또는 관세 요금.

 

FAQ:

갈륨 나이트라이드 웨이퍼에 대한 질문과 답변
  • Q: 갈륨산화물 웨이퍼의 브랜드 이름은 무엇입니까?
    A: 브랜드 이름은 ZMSH입니다.
  • Q: 갈륨 질소 웨이퍼의 모델 번호는 무엇입니까?
    A: 모델 번호는 InP입니다.
  • Q: 갈륨 나이트라이드 웨이퍼의 원산지는 어디인가요?
    A: 원산지는 중국입니다.
  • Q: 갈륨 질소 웨이퍼의 특징은 무엇입니까?
    A: 갈륨 질소 웨이퍼는 우수한 전기 및 열 특성을 가지고 있으며 넓은 대역 간격과 높은 분해장 강도를 가지고 있습니다.
  • Q: 갈륨 질소 웨이퍼의 응용 프로그램은 무엇입니까?
    A: 갈륨 질소 웨이퍼는 전력 전자, RF 장치, 광 전자 장치 및 고 온도 및 고 주파수 장치 응용 분야에서 널리 사용됩니다.