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| 브랜드 이름: | ZMSH |
| 모델 번호: | GaP wafer |
| MOQ: | 5 |
| 지불 조건: | T/T |
GaP 웨이퍼 2인치 OF 위치/길이 EJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD 이동성 Min 100
GaP 웨이퍼는 주로 다양한 전자 및 광 전자 장치의 제조에 사용되는 반도체 기판입니다.갈륨 인산 (GaP) 웨이퍼는 반도체 기술 분야에서 필수적 인 광학 및 전자적 특성을 보여줍니다.이 웨이퍼들은 서로 다른 스펙트럼에서 빛을 생성하는 능력으로 유명하며, 빨간색, 녹색, 노란색에서 색상까지의 LED 및 레이저 다이오드 생산을 허용합니다.
약 2.26 전자 볼트 (eV) 의 넓은 대역 간격은 GaP 웨이퍼가 특정 파장의 빛을 효율적으로 흡수 할 수있게합니다. 이 기능은 광 전자 응용 프로그램에서 중요합니다.GaP가 광탐지기에 대한 훌륭한 선택이 되면서, 태양전지, 그리고 맞춤형 빛 흡수를 필요로 하는 다른 장치.
또한, GaP는 강력한 전자 전도성과 열 안정성을 보여주며, 열 관리가 필수적인 고주파 전자 장치 및 애플리케이션에 적합합니다.
GaP 웨이퍼는 기기 제조의 기본 재료로 기능 할뿐만 아니라 다른 반도체 재료의 대각성 성장을위한 기판으로 기능합니다.화학적 안정성 및 비교적 일치 된 격자 매개 변수는 고품질 반도체 층의 퇴적 및 제조에 유리한 환경을 제공합니다..
본질적으로, GaP 웨이퍼는 매우 다재다능한 반도체 기판이며, LED, 레이저 다이오드, 고주파 전자 장치,그리고 광전자 부품의 스펙트럼은, 전자 및 열 특성이 있습니다.
| 매개 변수 | 가치 |
|---|---|
| 오리엔테이션 각 | 제1호 |
| 표면 끝기 | 닦은 |
| 잉크 CC | 미니:1E17 최대:1E18 Cm3 |
| 등급 | A |
| 에피 준비 | 네 |
| 위치/길이 | EJ[0-1-1]/ 16±1mm |
| 워프 | 맥스:10 |
| 입자 수 | 제1호 |
| 도판트 | S |
| 저항성 | 미니:00.01 최대:0.5 Ω.cm |
브랜드 이름: ZMSH
모델 번호: GaP 웨이퍼
원산지: 중국
맥스:10
재료: GaP
IF 위치/길이: EJ[0-1-1]/7±1mm
등급: A
도핑 물질: S
우리는 ZMSH GaP 웨이퍼를 위해 고품질 반도체 재료를 사용하여 얇은 필름 기술과 전기 산화로 맞춤 서비스를 제공합니다.
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