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상세 정보 |
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| 사안상황: | 솔리드 | 녹는점: | 1687K(1414℃) |
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| 비등점: | 3173K(2900℃) | 몰 용적: | 12.06×10-6m3/몰 |
| 기화열: | 384.22kJ/몰 | 녹는 열: | 50.55kJ/몰 |
| 증기압: | 4.77Pa(1683K) | 등급: | 프라임 |
| 배향: | <100> <110> <111>±1 | ||
| 하이 라이트: | 저항성: 10 (ohm.cm) 실리콘 웨이퍼,저항성: 1-10 (ohm.cm) 실리콘 웨이퍼,이중 양면 반경 실리콘 웨이퍼 |
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제품 설명
실리콘 웨이퍼 CZ 방향성111 저항성: 1-10 (ohm.cm) 단일 측면 또는 이중 측면 폴란드
제품 요약
우리의 Si 웨이퍼는 높은 순수성과 뛰어난 균일성을 제공합니다.이 웨이퍼는 고성능 장치의 제조를 가능하게 합니다.통합 회로, 태양전지 또는 MEMS 장치에 사용하든 간에, 우리의 Si 웨이퍼는 다양한 산업의 까다로운 애플리케이션에 대한 신뢰성과 효율성을 제공합니다.
제품 전시회
제품 응용
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통합 회로 (IC): 우리의 Si 웨이퍼는 스마트 폰, 컴퓨터,그리고 자동차 전자기기그것은 반도체 층의 퇴적 및 단일 칩에 다양한 전자 구성 요소의 통합을위한 안정적인 플랫폼을 제공합니다.
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태양광 (PV) 셀: 우리 의 Si 웨이퍼 는 태양광 애플리케이션 을 위한 고효율 태양 전지 셀 의 생산 에 사용 됩니다. 그것은 반도체 층 의 퇴적 을 위한 기판 으로 봉사 합니다.,태양광 패널 및 재생 에너지 시스템에서 태양광을 전기로 변환하는 것을 촉진합니다.
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MEMS 장치: 우리의 Si 웨이퍼는 가속계, 회전경 및 압력 센서와 같은 마이크로 전자 기계 시스템 (MEMS) 장치의 제조를 가능하게합니다.그것은 기계 및 전기 구성 요소의 통합을위한 안정적인 기반을 제공합니다, 다양한 응용 프로그램에서 정확한 감지 및 제어를 허용합니다.
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전력 전자: 우리의 Si 웨이퍼는 전력 전자 응용 프로그램을위한 다이오드, 트랜지스터 및 티리스터와 같은 전력 반도체 장치에 사용됩니다.전기차에서 효율적인 에너지 변환과 제어, 재생 에너지 시스템, 산업 자동화 장비.
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광전자 장치: 우리의 Si 웨이퍼는 광 탐지기, 광적 변조기 및 발광 다이오드 (LED) 와 같은 광전자 장치의 개발을 지원합니다.그것은 광학 기능과 반도체 재료를 통합하는 플랫폼으로 사용됩니다., 통신, 데이터 통신 및 광적 감지 분야에서 응용을 가능하게합니다.
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마이크로 전자: 우리의 Si 웨이퍼는 센서, 액추에이터 및 RF 구성 요소를 포함한 다양한 마이크로 전자 장치의 제조에 필수적입니다.그것은 미크로 크기의 전자 구성 요소 통합을 위해 안정적이고 균일한 기판을 제공합니다., 소비자 전자제품, 자동차 시스템 및 의료 기기 분야의 발전을 지원합니다.
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센서: 우리의 Si 웨이퍼는 환경 모니터링, 생의학 센싱 및 산업 자동화 등 다양한 응용 분야에 대한 센서 생산에 사용됩니다.이 기술은 물리적 현상을 감지하기 위한 민감하고 신뢰할 수 있는 센서 장치의 제조를 가능하게 합니다.화학적, 생물학적 매개 변수
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태양 전지 패널: 우리의 Si 웨이퍼는 재생 에너지 생산을 위한 태양 전지 패널의 제조에 기여합니다. 그것은 반도체 층의 퇴적에 기초 재료로 작용합니다.태양광 효과를 통해 태양광을 전기로 변환하는.
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반도체 장치: 우리의 Si 웨이퍼는 트랜지스터, 다이오드 및 콘덴시터를 포함하여 광범위한 반도체 장치의 생산에 사용됩니다.그것은 반도체 물질의 통합 및 다양한 응용을위한 전자 부품의 제조를위한 안정적이고 균일한 기판을 제공합니다..
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미세 유체학: 우리의 Si 웨이퍼는 실험실 칩 시스템, 생의학적 진단 및 화학 분석과 같은 응용을 위한 미세 유체 장치의 개발을 지원합니다.마이크로 채널의 통합을 위한 플랫폼을 제공합니다., 밸브 및 센서, 미시 스케일에서 유체의 정확한 제어 및 조작을 가능하게합니다.
제품 특성
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높은 순수: 우리의 Si 웨이퍼는 고 순수, 불순물 및 결함의 낮은 수준, 우수한 전기적 특성과 장치 성능을 보장합니다.
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균일 결정 구조: 웨이퍼는 최소한의 결함이있는 균일 결정 구조를 갖추고 있으며 일관성있는 장치 제조와 신뢰할 수있는 작동을 가능하게합니다.
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제어 된 표면 품질: 각 웨이퍼는 매끄럽고 결함 없는 표면을 얻기 위해 엄격한 표면 처리 과정을 거칩니다.얇은 필름의 퇴적 및 장치 인터페이스의 형성에 필수적입니다..
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정밀 차원 조절: 우리의 Si 웨이퍼는 정밀 차원 조절으로 제조됩니다. 전체 표면에 균일한 두께와 평평성을 보장합니다.정확한 장치 제조 프로세스를 촉진하는 것.
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사용자 정의 가능한 사양: 우리는 우리의 Si 웨이퍼에 대한 다양한 사용자 정의 가능한 사양을 제공합니다.다양한 반도체 애플리케이션의 특수 요구 사항을 충족시키기 위해.
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높은 열 안정성: 웨이퍼는 높은 열 안정성을 보여주며 장치 성능을 손상시키지 않고 광범위한 온도 범위에서 신뢰할 수있는 작동을 허용합니다.
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우수한 전기적 특성: 우리의 Si 웨이퍼는 높은 운반자 이동성, 낮은 누출 전류, 균일한 전기 전도성을 포함하여 우수한 전기적 특성을 보여줍니다.장치의 성능과 효율성을 최적화하는 데 필수적입니다..
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반도체 프로세스와 호환성: 웨이퍼는 에피타시, 리토그래피 및 발열을 포함하여 다양한 반도체 처리 기술과 호환됩니다.기존 제조 작업 흐름에 원활한 통합을 가능하게 합니다..
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신뢰성 및 장수성: 장기적인 신뢰성을 위해 설계되었습니다.우리의 Si 웨이퍼는 운영 수명 내내 일관성 있는 성능과 내구성을 보장하기 위해 엄격한 품질 관리 조치를 받는다.
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환경 친화적: 우리의 Si 웨이퍼는 환경 친화적이며, 제조 및 운영 중에 건강과 환경에 최소한의 위험을 초래합니다.지속가능한 제조 관행에 맞추기.
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실리콘 웨이퍼의 사양
항목 단위 사양 등급 -- 프라임 결정성 -- 단결성 직경 인치 2인치 또는 3인치 또는 4인치 또는 6인치 또는 8인치 직경 mm 50.8±0.3 또는 76.2±0.3 또는 100±0.5 또는 154±0.5 또는 200±0.5 성장 방법 CZ / FZ 도판트 보롱/포스포스 종류 P / N 타입 두께 μm 180 1000±10 또는 필요에 따라 방향성 <100> <110> <111>±1 저항성 Ω-cm 필요에 따라 반짝이는 단면 또는 이면으로 닦은 SiO2층 (열화 산화로 자라는) / Si3N4층 (LPCVD에 의해 자라는) 필요에 따라 층 두께 포장 필요에 따라