SOI 웨이퍼 실리콘 온 단열기 100mm 150mm P 타입 도판트 B 장치 220 저항성: 8.5-11.5 오름-cm

SOI 웨이퍼 실리콘 온 단열기 100mm 150mm P 타입 도판트 B 장치: 220 저항성: 8.5-11.5 오름-cm

SOI 웨이퍼 (실리콘-온-아이솔레이터) 의 제품 상세 페이지

제품 개요

100mm와 150mm 지름의 고성능 실리콘 단열기 (SOI) 웨이퍼를 소개합니다.우수한 전기 단열을 제공합니다., 기생물 용량을 줄이고 열 관리를 향상시킵니다. 고성능 컴퓨팅, RF 통신, MEMS 장치 및 전력 전자 장치에 이상적입니다.우리의 SOI 웨이퍼는 최고 수준의 성능과 신뢰성을 보장합니다.

사양

웨이퍼 크기:

• 지름 옵션: 100mm (4 인치) 및 150mm (6 인치)

장치 계층:

• 소재: 실리콘
• 두께: 220나노미터
• 증여 물질 종류: P형
• 도핑 원소: 붕 (B)
• 저항성: 8.5~11.5오hmcm

매장된 산화물 (BOX) 층:

• 소재: 실리콘 이산화 (SiO2)
• 두께: 응용 프로그램의 필요에 따라 사용자 정의 할 수 있습니다 (일반적으로 200nm에서 2μm까지)

웨이퍼 핸들:

• 소재: 실리콘
• 종류: P형 (보론 도핑)
• 두께: 500-700μm의 표준 두께, 견고한 기계적 지원을 제공합니다.

주요 특징

1. 우수한 전기 격리:

   • BOX 계층은 장치 계층과 손잡이 웨이퍼 사이의 우수한 전기 격리를 보장하며 기생물 용량과 교차 소리를 크게 감소시킵니다.

2. 고품질 장치 계층:

   • 220nm 두께의 P형 실리콘 장치 계층은 붕자로 도핑되어 다양한 반도체 응용 프로그램에 최적의 전기적 특성을 제공하여 높은 성능과 신뢰성을 보장합니다.

3. 최적 저항성:

   • 8.5-11.5 오름-cm의 장치 계층 저항성은 고속 및 저전력 애플리케이션에 이상적입니다. 전도성과 누출 특성을 균형있게합니다.

4. 증강된 열 관리:

   • SOI 구조는 더 나은 열 분비를 허용하며, 이는 고전력 또는 고주파 조건에서 장치 성능과 수명을 유지하는 데 중요합니다.

5. 기계적 안정성:

   • 두꺼운 손잡이 웨이퍼는 견고한 기계적 지원을 제공하여 제조 과정과 운영 환경에서 웨이퍼의 안정성을 보장합니다.

6. 사용자 정의 옵션:

   • 우리는 다양한 반도체 요구에 대한 유연성을 제공하여 특정 응용 요구 사항을 충족시키기 위해 BOX 계층 두께 및 기타 매개 변수를 사용자 정의합니다.

신청서

1. 고성능 컴퓨팅:

   • CPU, GPU 및 기타 고속 디지털 논리 회로에 이상적입니다. 향상된 속도와 낮은 전력 소비를 제공합니다.

2. 5G와 RF 통신:

   • RF 부품과 고주파 신호 처리용으로 완벽합니다.

3. MEMS 장치:

   • 가속도계, 회전경 및 기타 센서와 같은 MEMS 장치를 제조하는 데 적합하며, 필요한 기계적 안정성과 정밀성을 제공합니다.

4. 전력 전자:

   • 열 관리 및 효율성이 중요한 전력 스위치 및 변환기를 포함한 전력 관리 응용 프로그램에서 사용됩니다.

5. 아날로그 및 혼합 신호 회로:

   • 소음 및 교류를 줄임으로써 아날로그 회로의 성능을 향상시켜 오디오 처리 및 신호 조건화에 적합합니다.

품질 과 신뢰성

• 제조 표준:

  • 우리의 SOI 웨이퍼는 최고 산업 표준에 따라 제조되며 일관된 품질과 성능을 보장합니다.

• 품질 관리:

  • 각 웨이퍼가 지정된 전기적, 기계적, 열적 특성을 충족하도록 엄격한 품질 관리 프로세스가 적용됩니다.

• 인증서:

  • 국제 반도체 제조 표준을 준수하여 글로벌 제조 프로세스와 호환성을 보장합니다.

주문 정보

• 사용 가능:

  • 100mm 및 150mm SOI 웨이퍼는 즉각적인 배송에 사용할 수 있습니다. 주문 크기와 사양은 요청에 따라 수용 할 수 있습니다.

• 포장:

  • 웨이퍼는 항 정적, 청정실 호환 컨테이너에 안전하게 포장되어 운송 중에 오염과 손상을 방지합니다.

우수성과 신뢰성을 위해 고도화된 SOI 웨이퍼로 반도체 애플리케이션을 업그레이드하세요