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상세 정보 |
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| 기판 물질: | 실리콘 화합물 웨이퍼에 실리콘 탄화 | 전면: | CMP 광택, Ra < 0.5 Nm(단면 광택, SSP) |
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| 2차 플래트 길이: | 180.0 +/- 2.0mm | 종류: | 세미타입 |
| 1차 플래트 길이: | 32.5 +/- 2.5mm | 직경: | 100mm +/- 0.5mm |
| 탄소 함량: | 0.5ppm | 보조 평면 방향:: | 기본 평면에서 90도 |
| 강조하다: | 이 LED는 SiC 복합 기판에 SiC 복합 기판에 SiC,SiC On Si Composite Substrates |
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제품 설명
반 단열성 SiC 온 Si 복합 기판 4H 높은 저항성 LED를 표시
SiC On Si 복합 기판의 제품 설명:
실리콘 화합물 웨이퍼에 반열성 실리콘 카바이드 (SiC) 는 실리콘 카바이드와 실리콘 재료의 특성을 결합한 특수 유형의 웨이퍼입니다.웨이퍼는 실리콘 기판 위에 반열성 실리콘 카바이드 층으로 구성됩니다."반 단열"이라는 용어는 물질이 순수 전도성 또는 순수 단열성이 아니라 중간 정도의 전기적 특성을 가지고 있음을 나타냅니다.
시 (Si) 복합 기판에 있는 시 (Si) 의 성질:
1높은 저항성: Si 웨이퍼에 반 단열 SiC는 높은 저항성을 나타냅니다. 이는 일반 전도성 물질에 비해 낮은 전기 전도성을 가지고 있음을 의미합니다.
2낮은 누출: 반 단열성 특성으로 인해 이러한 웨이퍼는 낮은 누출 전류를 가지고 있으며 최소한의 전기 누출이 필요한 응용 프로그램에 적합합니다.
3. 높은 분해 전압: 일반적으로 높은 분해 전압을 가지고 있으며, 분해없이 높은 전기장에 견딜 수 있습니다.
SiC On Si 복합 기판의 파라미터 목록:
| 항목 | 사양 |
| 직경 | 150 ± 0.2mm |
| SiC 폴리 타입 | 4H |
| SiC 저항성 | ≥1E8 Ω·cm |
| 이식 SiC 층 두께 | ≥0.1μm |
| 무효 | ≤5 ea/와이퍼 (2 mm > D > 0.5 mm) |
| 앞의 거칠성 | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) |
| 시 방향성 | <111>/<100>/<110> |
| Si 타입 | P/N |
| 평면/노치 | 평면/노치 |
| 엣지 칩, 스크래치, 크랙 (시각 검사) | 아무 것도 |
| TTV | ≤5μm |
| 두께 | 500/625/675 ± 25μm |
SiC On Si 복합 기판의 응용:
1. 고주파 장치: Si 화합물 웨이퍼에 반 단열 SiC는 RF 트랜지스터, 증폭기 및 마이크로 웨이브 시스템과 같은 고주파 장치에서 일반적으로 사용됩니다.
2전력 전자제품: 그들은 높은 고장 전압과 낮은 전기 손실이 효율적인 전력 변환에 결정적 인 전력 전자 장치에서 응용 프로그램을 찾습니다.
3센서: 이러한 웨이퍼는 높은 저항성과 낮은 누출 특성이 필요한 정확한 감지 및 측정에 필요한 센서 기술에서 사용됩니다.
4광전자: 광 탐지기와 LED와 같은 광전자 장치에서, Si 웨이퍼에 반 단열 SiC는 고유한 전기 특성으로 인해 향상된 성능을 제공할 수 있습니다.
응용 그림 SiC의 Si 복합 기판:
FAQ:
A: The use of silicon carbide composite (SiC/SiC) components within fusion reactors has the potential to double the electricity generated from every gigawatt of thermal energy produced compared with advanced steel designs