|
상세 정보 |
|||
| 직경: | 200mm±0.2mm | 성장법: | Czochralski (CZ) |
|---|---|---|---|
| 활: | ≤ 30μm | 날실: | ≤ 30μm |
| 전체 두께 변동 (TTV): | ≤5μm | 입자: | ≤50@≥0.16μm |
| 산소 농도: | ≤18ppma | ||
| 강조하다: | p 형 실리콘 웨이퍼,앤형 실리콘 웨이퍼,8인치 실리콘 웨이퍼 |
||
제품 설명
실리콘 웨이퍼 Si 웨이퍼 8인치 N 타입 P 타입<111><100><110> SSP DSP 프라임 등급
제품 개요: 8인치 프라임 등급 실리콘 웨이퍼
실리콘 웨이퍼는 반도체 산업의 척추이며 통합 회로, 마이크로 칩 및 다양한 전자 부품의 기본 기판으로 사용됩니다.8인치 (200mm) 프라임 등급 실리콘 웨이퍼고성능 애플리케이션의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계된 프리미엄 제품입니다.Czochralski (CZ) 결정 성장 기술, 우수한 품질과 일관성을 보장합니다.<100>, 단면으로 닦은 (SSP) 또는 쌍면으로 닦은 (DSP) 표면, 그리고P형 도핑, 이 웨이퍼는 최첨단 기술에서 반도체 재료로 사용하기에 이상적입니다.
1.재료 및 제조
1.1 단일 결정 실리콘
8인치 웨이퍼는 초고 순수 단일 결정 실리콘으로 만들어집니다.결정 구조의 우수한 균일성 및 최소한의 격자 결함을 보장합니다.이 과정은 고 정밀 전자 응용 프로그램에서 웨이퍼의 신뢰성을 보장합니다.
1.2 최고 품질
최고 수준의 실리콘 웨이퍼는 반도체 산업에서 최고 수준의 품질을 나타냅니다.이 웨이퍼는 엄격한 테스트와 엄격한 품질 통제를 통해 중요한 제조 프로세스에 적합성을 보장합니다.최고 품질의 웨이퍼의 특징은 다음과 같습니다.
- 극히 낮은 입자 오염
- 탁월한 표면 평면성과 최소한의 거칠성
- 높은 저항성 균일성 및 결함 통제
2.주요 사양
| 매개 변수 | 사양 |
|---|---|
| 직경 | 8인치 (200mm) |
| 소재 | 단일 결정 실리콘 |
| 크리스탈 성장 방법 | Czochralski (CZ) |
| 크리스탈 방향 | <100> |
| 타입/도판트 | P 타입 / 보론 |
| 표면 마감 | 단면으로 닦은 (SSP) 또는 쌍면으로 닦은 (DSP) |
| 저항성 | 응용 프로그램 필요에 따라 사용자 정의 할 수 있습니다 |
| 두께 | 표준: 725 μm ± 25 μm |
| 평면성 (TTV) | ≤ 5μm |
| 활/구름 | ≤ 30μm |
| 표면 거칠성 (Ra) | SSP: < 0.5 nm; DSP: < 0.3 nm |
| 포장 | 클래스 100 청정실 패키지, 카세트당 25개의 웨이퍼 |
3.크리스탈 오리엔테이션 <100>
<100> 결정 지향은 반도체 산업에서 가장 일반적으로 사용되는 지향 중 하나입니다. 이소트로프적 발열 특성 및 균일한 기계적 특성 때문입니다.이 방향은 웨이퍼가 화학적 인 발각과 같은 과정에서 일관된 성능을 제공할 수 있습니다., 이온 이식, 산화
4.P형 실리콘, 보롱 도판트
P형 표시는 웨이퍼가보르이 도핑 유형은 다이오드, 양극성 결합 트랜지스터 (BJT) 를 포함한 수많은 반도체 장치에 선호됩니다.그리고 보조 금속산화 반도체 (CMOS) 기술.
P형 도핑의 주요 이점은 다음과 같습니다.
- 다양한 온도에서 안정적인 전기 성능
- 표준 반도체 제조 프로세스와 높은 호환성
5.표면 가공: SSP 및 DSP
5.1 단면으로 닦은 (SSP)
- 단 하나의 표면만 고도의 매끄러움과 평면성을 필요로 하는 애플리케이션에 사용됩니다.
- 닦지 않은 면은 자연스러운 질감을 유지하며, 특정 처리 또는 접착 필요에 유용합니다.
- 일반적으로 MEMS, 센서 및 테스트 웨이퍼에 사용됩니다.
5.2 양면 닦은 (DSP)
- 웨이퍼의 양쪽 면은 매우 부드러운 표면과 낮은 거칠성 (Ra < 0.3 nm) 을 얻기 위해 닦습니다.
- 리토그래피와 얇은 필름 퇴적과 같은 고정도 프로세스에 필수적입니다.
- 제조 과정에서 최소한의 스트레스와 변형을 보장하여 고급 마이크로 전자 장치에 적합합니다.
6.열 및 기계적 특성
8인치 웨이퍼는 반도체 제조에서 일반적으로 발생하는 고온 공정에서 중요한 뛰어난 열 및 기계적 특성을 보여줍니다.
- 높은 열 안정성:낮은 열 팽창 계수는 굽기 또는 빠른 열 공정에서 차원 안정성을 보장합니다.
- 기계적 강도:CZ에서 자라는 고품질의 실리콘은 취급과 제조 과정에서 신체적 스트레스에 견딜 수 있습니다.
7.신청서
8인치 프라임 등급 실리콘 웨이퍼는 다재다능하며 반도체 및 전자 산업의 광범위한 응용 분야를 제공합니다.
7.1 반도체 장치
- CMOS 기술:프로세서와 메모리 장치를 포함한 대부분의 통합 회로의 기본 소재입니다.
- 전원 장치:안정적인 전기 특성으로 인해 전력 트랜지스터, 다이오드 및 IGBT 제조에 이상적입니다.
7.2 MEMS (마이크로 전기 기계 시스템)
정밀한 표면 가공과 결정 방향성으로 이 웨이퍼는 가속도계, 자이로스코프, 압력 센서와 같은 MEMS 장치에 적합합니다.
7.3 광학 및 광전자
웨이퍼는 광학 센서, 발광 다이오드 (LED) 및 광전지 전지 등 광학 응용 분야에 사용됩니다.
7.4 연구개발 및 프로토타입 제작
고품질의 표면과 전기적 특성은 연구 기관 및 프로토타입 개발에 훌륭한 선택이됩니다.
8.포장 및 취급
원시적인 품질을 유지하기 위해, 그것은 엄격한 청정실 조건 하에 포장됩니다:
- 클래스 100 환경:포장 중에 미미한 입자 오염을 보장합니다.
- 안전 포장:웨이퍼는 카세트 (25개의 웨이퍼) 에 넣고, 운송 중에 산화와 오염을 방지하기 위해 질소 정화 된 가방에 봉인됩니다.
9.8인치 프라임 등급 실리콘 웨이퍼의 장점
9.1 뛰어난 품질
최상급 분류는 비교할 수 없는 평면성, 표면 매끄러움, 그리고 최소한의 결함 밀도를 보장합니다.
9.2 산업 표준과의 호환성
이 웨이퍼는 SEMI M1과 같은 국제 표준에 적합하며 글로벌 제조 프로세스와 호환성을 보장합니다.
9.3 비용 효율적인 제조
8인치 사이즈는 가격과 생산량 사이의 균형을 이루고 있으며, 수년 동안 산업 표준이되었습니다.
9.4 다재다능성
SSP와 DSP 옵션의 사용 가능성은 웨이퍼가 다양한 애플리케이션에 맞게 조정될 수 있도록 보장합니다.
10.사용자 정의 옵션
특정 고객의 요구를 충족시키기 위해 8인치 프라임 등급 실리콘 웨이퍼는 다음과 같은 방식으로 사용자 정의 할 수 있습니다.
- 저항 범위:각기 다른 장치와 프로세스의 요구 사항에 맞게 조절할 수 있습니다.
- 두께 변이:특수한 용도로 특수 두께를 제조 할 수 있습니다.
- 산화층:필요에 따라 열 또는 화학 산화층을 추가 할 수 있습니다.
11.결론
8인치 프라임 등급 실리콘 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼 기술의 정점을 나타내고 있으며, 비교할 수 없는 품질과 성능과 다재다능성을 제공합니다.첨단 사양과 탄탄한 제조 공정으로 현대 반도체 장치의 생산에 필수적입니다다음 세대의 프로세서, MEMS 장치 또는 최첨단 광학을 설계하든, 이 웨이퍼는 성공에 필요한 신뢰성과 정밀성을 보장합니다.
SSP와 DSP 옵션을 동시에 제공하며 저항성과 두께를 사용자 정의 할 수있는 유연성을 제공함으로써 이러한 웨이퍼는 반도체 산업의 변화하는 요구를 충족 할 준비가되었습니다.첨단 기술 제조 및 연구 분야에서 광범위한 응용은 글로벌 전자 공급망의 중요한 구성 요소로서의 지위를 강화합니다..