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상세 정보 |
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| 단단함: | 9 모스 척도 | Melting Point: | >2,000°C |
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| Thermal Conductivity: | ~35 W/m·K | Thermal Expansion: | ~5.3 × 10⁻⁶/K |
| 강조하다: | 반도체 세라믹 리프트 핀,고순도 사파이어 리프트 핀,사파이어 리프트 핀 |
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제품 설명
반도체용 사파이어 리프트 핀 세라믹 리프트 핀 고순도 사파이어 핀
사파이어 리프트 핀의 요약
사파이어 리프트 핀은 정밀 엔지니어링 부품으로 널리 사용
반도체 처리 장비, 특히 웨이퍼 처리, 에피타시얼성장 및 퇴적 시스템 MOCVD (금속 유기 화학 증기 퇴적), PECVD (플라즈마 강화 화학 증기 퇴적) 및 기타 고온, 진공,또는 부식성 환경단일 결정 알루미늄 산화물 (Al2O3) 에서 제조, 또한 합성 사피르로 알려져, 이 리프트 핀은 그들의 예외적인 단단함, 열 안정성, 화학 저항성,내구성.
사파이어 리프트 핀의 특성
| 재산 | 가치 |
| 단단함 | 모스 척도의 9 ( 다이아몬드 다음) |
| 녹는점 | > 2,000°C |
| 열전도성 | ~35W/m·K |
| 열 확장 | ~5.3 × 10−6/K |
| 영의 모듈 | ~ 345 GPa |
| 화학물질 저항성 | 대부분의 산, 알칼리 및 부식성 기체에 무활성 |
| 전기 | 아주 좋은 단열제 |
| 광적 투명성 | 자외선에서 적외선으로 투명하다 (150nm ∼ 5.5μm) |
사파이어 리프트 핀 은 종종 맞춤형 으로 설계 됩니다
사파이어 리프트 핀 의 장점
a.고온 저항성
사파이어는 1500°C 이상의 온도에서 기계적 강도를 유지하여 다른 물질이 변형, 산화 또는 분해 될 수있는 대동성 원자로 및 퇴적 방에 적합합니다.
b. 화학적 안정성
사파이어는 H2, NH3, HF와 같은 반응성 및 부식성 기체에 화학적으로 무활성하며 CVD 및 에칭 환경에서 장기적인 성능을 보장합니다.
c. 극심 한 경직성
높은 표면 경도는 웨이퍼 접촉 및 기계적 작동으로 인한 마모와 경사에도 저항합니다. 이것은 입자 생성 및 오염을 최소화합니다.
d. 차원 정확성
사파이어는 긴 허용량 (± 1 μm) 에 가공 될 수 있으며, 일관된 웨이퍼 리프트 높이, 위치 정확성 및 정렬 신뢰성을 보장합니다.
e.낮은 입자 발생
열순환으로 껍질이 껍질이 나거나 가스를 배출할 수 있는 코팅 세라믹이나 금속과는 달리 사파이어는 입자를 생성하지 않으며, 이는 청정실과 초순정 공정 환경에 매우 중요합니다.
f.장수기
사피어 류의 마모 저항성과 극한 조건에서의 안정성은 유지 보수 빈도가 낮고 장비의 작동 시간이 길어집니다.
사파이어 리프트 핀의 물리적 이미지
사파이어 리프트 핀의 응용
사파이어 리프트 핀은 반도체 및 첨단 재료 공정에서 사용되며, 제조 과정에서 웨이퍼를 정확하게 처리해야합니다. 주요 응용 분야는 다음과 같습니다.
a. MOCVD 시스템
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GaN, GaAs 및 InP 기반의 화합반도체 성장
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LED 및 레이저 다이오드 생산
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사파이어 웨이퍼와 에피프라이드 준비 서브스트라트
b.PECVD 및 LPCVD 원자로
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플라즈마 기반 얇은 필름 퇴적 중 웨이퍼 전송
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마이크로 일렉트로닉스, 태양전지, MEMS 및 광학에서 사용
c.열처리 오븐
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고온 소화, 산화 또는 확산 단계
d.웨이퍼 검사 및 취급
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웨이퍼를 일시적으로 지지하거나 조작하는 기계 시스템
e.에칭 및 정화실
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웨이퍼 사전 청소 또는 벗기 과정에서 화학 저항이 중요한 경우
질문 및 답변
질문:사피어 핀을 구매할 때 고려해야 할 주요 요소는 무엇입니까?
A:적용 시나리오
- 물질적 조건: 높은 온도나 부식성 환경과 같은 엘리베이터 핀이 노출될 환경 조건을 결정한다.
- 목적: 특정 애플리케이션 (예를 들어, 분광 측정, 정밀 기기 등) 에 기초한 적절한 디자인을 선택합니다.
차원 및 사양
- 지름 과 길: 지원되거나 들어올리는 샘플의 크기에 따라 적절한 직경과 길이를 선택합니다.
- 용인성 요구 사항: 리프트 핀이 정확성을 유지하기 위해 응용 프로그램의 차원 허용 요구 사항을 충족하는지 확인하십시오.
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