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제품 세부 정보

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반도체 기질
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쿼츠 웨이퍼 쿼츠 웨이퍼 2" 3" 4" 6" 8" 12" SiO2 반도체 광학

쿼츠 웨이퍼 쿼츠 웨이퍼 2" 3" 4" 6" 8" 12" SiO2 반도체 광학

브랜드 이름: ZMSH
모델 번호: 쿼츠 웨이퍼
MOQ: 25
가격: 20USD
포장에 대한 세부 사항: 맞춤형 상자
지불 조건: T/T
상세 정보
원래 장소:
중국
직경 (인치):
3/4/6/8/12
내부 전송:
>99.9%
굴절률:
1.474698
총 전염:
>92%
TTV:
<3>
평탄성:
<15>
공급 능력:
경우에 의해
강조하다:

광학 쿼츠 웨이퍼

,

SiO2 쿼츠 웨이퍼

,

12' 크기의 쿼츠 웨이퍼

제품 설명

쿼츠 웨이퍼 쿼츠 웨이퍼 2", 3", 4", 6", 8", 12" SiO2 반도체 광학

쿼츠 웨이퍼의 도입

쿼츠 웨이퍼 는 결정적 인 실리콘 이산화 (SiO2) 로 만들어진다. 쿼츠 의 독특한 특성 은 쿼츠 를 다양한 첨단 기술 산업 에서 필수 재료 로 한다.

쿼츠 웨이퍼는 높은 열 저항성, 특정 파장에서의 뛰어난 빛 전달, 화학적 무력성 및 낮은 열 팽창 계수와 같은 우수한 특성을 나타냅니다.이 특징 들 은 극단적 인 온도 에서 안정성 을 필요로 하는 응용 프로그램 에 매우 적합 합니다가혹한 화학물질에 대한 저항성, 특정 스펙트럼 범위의 투명성

반도체 제조, 광학 및 MEMS (마이크로 전기 기계 시스템) 와 같은 산업에서쿼츠 웨이퍼는 고온에 견딜 수 있기 때문에 변형이나 퇴화없이 널리 사용됩니다.그들은 얇은 필름 퇴적, 미세 구조 에치, 또는 높은 차원 정확성과 열 안정성을 요구하는 정밀 부품 제조를위한 기판으로 사용됩니다.

 

쿼츠 웨이퍼 쿼츠 웨이퍼 2" 3" 4" 6" 8" 12" SiO2 반도체 광학 0  쿼츠 웨이퍼 쿼츠 웨이퍼 2" 3" 4" 6" 8" 12" SiO2 반도체 광학 1

제조 원리쿼츠 웨이퍼

  1. 크리스탈 성장
    쿼츠 볼은 수열 또는 화염 융합 (베르누일) 방법을 통해 자연 또는 합성 씨앗 결정을 사용하여 재배됩니다.

  2. 인고트 절단
    실린더형 잉글릿은 다이아몬드 와이어 사이를 사용하여 웨이퍼로 자르며 두께 균일성과 최소한의 커프 손실을 보장합니다.

  3. 랩링 및 폴리싱
    웨이퍼는 랩, 에치, 그리고 그 다음 롤링하여 표면 거칠성이 낮은 거울처럼 부드러운 완성도를 달성합니다. (광학급 웨이퍼의 경우 Ra < 1 nm).

  4. 청소 및 검사
    초음파 또는 RCA 청소 는 미세먼지 와 금속 오염물질을 제거 한다. 각 웨이퍼 는 차원 및 표면 평면성 검사 를 받는다.

쿼츠 웨이퍼 사양

쿼츠 타입 4 6 8 12
크기        
직경 (인치) 4 6 8 12
두께 (mm) 0.052 0.255 0.3·5 0.4·5
지름 허용 (인치) ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0.1
두께 허용량 (mm) 사용자 정의 사용자 정의 사용자 정의 사용자 정의
광학적 특성        
반열 지수 @365 nm 1.474698 1.474698 1.474698 1.474698
반열 지수 @546.1 nm 1.460243 1.460243 1.460243 1.460243
굴절 지수 @ 1014 nm 1.450423 1.450423 1.450423 1.450423
내부 송출력 (1250~1650 nm) >99.9% >99.9% >99.9% >99.9%
전체 전송량 (1250~1650 nm) >92% >92% >92% >92%
가공 품질        
TTV (총 두께 변동, μm) 3 3 3 3
평면 (μm) ≤15 ≤15 ≤15 ≤15
표면 거칠성 (nm) ≤ 1 ≤ 1 ≤ 1 ≤ 1
활 (μm) <5 <5 <5 <5
물리적 특성        
밀도 (g/cm3) 2.20 2.20 2.20 2.20
영 모듈 (GPa) 74.20 74.20 74.20 74.20
모스 강도 6~7 6~7 6~7 6~7
시어 모듈 (GPa) 31.22 31.22 31.22 31.22
포이슨 비율 0.17 0.17 0.17 0.17
압축 강도 (GPa) 1.13 1.13 1.13 1.13
팽창 강도 (MPa) 49 49 49 49
다이렉트릭 상수 (1MHz) 3.75 3.75 3.75 3.75
열 특성        
스트레인 포인트 (1014.5 Pa·s) 1000°C 1000°C 1000°C 1000°C
반열점 (1013 Pa·s) 1160°C 1160°C 1160°C 1160°C
완화점 (107.6 Pa·s) 1620°C 1620°C 1620°C 1620°C

 

 

쿼츠 웨이퍼에 대한 자주 묻는 질문

1쿼츠 웨이퍼는 뭐죠?

쿼츠 웨이퍼 (quartz wafer) 는 고분결성 실리콘 이산화 (SiO2) 로 만든 얇고 평평한 디스크로, 일반적으로 표준 반도체 크기로 제조된다.열 안정성, 광학 투명성, 쿼츠 웨이퍼는 반도체 제조, MEMS 장치, 광학 시스템,진공과정.

 

2쿼츠와 실리카 젤의 차이는 뭐죠?

쿼츠는 실리콘 이산화 (SiO2) 의 결정성 고체 형태이며, 실리카 젤은 일반적으로 수분을 흡수하는 건조제로 사용되는 SiO2의 무형 및 포러스 형태입니다.

  • 쿼츠단단하고 투명하며 전자, 광학 및 산업용 용도로 사용됩니다.

  • 실리카 젤작은 구슬이나 덩어리로 나타납니다. 주로 포장, 전자제품 및 저장소에 습도를 조절하는 데 사용됩니다.

 

3쿼츠 결정은 뭘 위해 사용되나요?

쿼츠 결정은 피에조 전기적 특성 (기계적 스트레스로 전기 전하를 발생) 으로 전자 및 광학에서 널리 사용됩니다. 일반적인 응용 분야는 다음과 같습니다:

  • 오시레이터 및 주파수 조절기(예를 들어, 쿼츠 시계, 시계, 마이크로 컨트롤러)

  • 광학적 부품(예: 렌즈, 파동판, 창)

  • 레조나터 및 필터RF 및 통신 장치

  • 센서압력, 가속 또는 힘

  • 반도체 제조기판 또는 공정 창으로

 

4왜 쿼츠가 마이크로 칩에 사용되나요?

쿼츠는 마이크로칩과 관련된 응용 프로그램에서 사용됩니다.

  • 열 안정성분산 및 응열과 같은 고온 공정에서

  • 전기 단열그 다이 일렉트릭 성질 때문에

  • 화학 저항성반도체 제조에 사용되는 산과 용매

  • 차원 정밀도그리고 안정적인 리토그래피 정렬을 위해 낮은 열 확장
    쿼츠 자체는 활성 반도체 재료 (실리콘과 같이) 로 사용되지 않지만 제조 환경에서 특히 오븐, 챔버,그리고 사진 마스크 기판.

 

 

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