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반 단열성 GaN-On-Silicon 웨이퍼 자유 서 있는 갈륨 질소 기판

반도체 기질
2023-10-10
405 의견
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#반도체 웨이퍼 #웨이퍼 기질 #gasb 기질
갈륨 질화물 기판 GaN 웨이퍼 GaN-On-Silicon 자립 기판 반모순 2~8인치 질화갈륨(GaN) 단결정 기판 또는 에피택시 시트를 제공할 수 있으며, 사파이어/실리콘 기반 2~8인치 GaN 에피택셜 시트를 제공할 수 있습니다. 실리콘(Si)과 갈륨비소(GaAs)로 대표되는 1세대, 2세대 반도체 소재의 급속한 발전은 마이크로전자공학과 광전자공학 기... 더 견해
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반 단열성 GaN-On-Silicon 웨이퍼 자유 서 있는 갈륨 질소 기판
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