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상세 정보 |
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| 물자: | Sic 단 결정 6H-N 형태 | 급료: | 가상 |
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| Thicnkss: | 0.35MM/10-15mm | Suraface: | 닦는 |
| 신청: | 베어링 시험 | 직경: | 2inch |
| 색깔: | 녹색 | ||
| 하이 라이트: | 실리콘 탄화물 기질,sic 웨이퍼 |
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제품 설명
커스텀지드 size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC은 / 고순도 4H-N 4 인치 6 인치 dia 150 밀리미터 탄화 규소 단결정 (원문대로) 기판 웨이퍼 S/ 커스텀지드 절단된 그대로 SIC 웨이퍼를 금괴로 만듭니다
탄화규소 (SiC)크리스탈에 대하여
또한 탄화규소로 알려진 탄화규소 (SiC)가 화학식 SiC로 실리콘과 탄소를 포함하는 반도체입니다. SiC는 고온 또는 고전압에 작동하는 반도체 전자공학 장치에서 사용되거나 both.SiC가 또한 중요한 LED 부품 중 하나이고, 그것이 갈륨-질소 장치를 성장시키기 위한 인기있는 기판이고, 그것이 또한 고전력 LED에서 열 방산기의 역할을 합니다.
1. 기술
| 특성 | 4H-SiC, 단일 결정 | 6H-SiC, 단일 결정 |
| 격자 파라미터 | a=3.076 c=10.053 A | a=3.073 c=15.117 A |
| 퇴적 순서 | ABCB | ABCACB |
| 모스 경도 | 9.2 | 9.2 |
| 비중 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| 섬. 전개 계수 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 굴절 지수 @750nm |
어떤 = 2.61 |
어떤 = 2.60 |
| 유전체 상수 | c~9.66 | c~9.66 |
| 열전도율 (n형, 0.02 ohm.cm) |
a~4.2 Ｗ / cm·K@298K |
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| 열전도율 (반 절연) |
a~4.9 Ｗ / cm·K@298K |
a~4.6 Ｗ / cm·K@298K |
| 밴드-갭 | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 브레이크-다운 전기 장 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 포화 이동 속도 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
고순도 4 인치 직경 탄화규소 (SiC) 기판 상술
| 2 인치 직경 탄화규소 (SiC) 기판 상술 | ||||||||||
| 등급 | 제로 MPD 등급 | 생산 등급 | 조사 등급 | 가짜 등급 | ||||||
| 지름 | 50.8 mm±0.2mm | |||||||||
| 두께 | 330 μm±25μm 또는 430±25um | |||||||||
| 웨이퍼 방향 | 축 이탈 : 주축 위의 <1120> 4H-N/4H-SI를 위한 4.0' ±0.5를 향하여' : <0001> 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI를 위한 ±0.5' | |||||||||
| 마이크로파이프 비중 | ≤0 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤100 cm-2 | ||||||
| 저항률 | 4H-N | 0.015~0.028 Ωocm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ωocm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| 1차 플래트 | {10-10}±5.0' | |||||||||
| 1차 플래트 길이 | 18.5 mm±2.0 밀리미터 | |||||||||
| 2차 플래트 길이 | 10.0mm±2.0 밀리미터 | |||||||||
| 2차 플래트 배향 | 실리콘 페이스 업 : 90' CW. 중요한 플랫 ±5.0'으로부터 | |||||||||
| 에지 배제 | 1 밀리미터 | |||||||||
| TTV / 활 /Warp | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | |||||||||
| 거칠기 | Ra≤1 nm을 닦으세요 | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||||
| 고강도 빛에 의한 결함 | 어떤 것 | 1 허락된, ≤2 밀리미터 | 점진적 길이 ≤ 10 밀리미터가 length≤2mm을 선발합니다 | |||||||
| 고강도 빛에 의한 마법 플레이트 | 누적 면적 ≤1% | 누적 면적 ≤1% | 누적 면적 ≤3% | |||||||
| 고강도 빛에 의한 폴리타입 지역 | 어떤 것 | 누적 면적 ≤2% | 누적 면적 ≤5% | |||||||
| 고강도 빛에 의한 스크래치 | 1×wafer 지름 점진적 길이에 대한 3 스크래치 | 1×wafer 지름 점진적 길이에 대한 5 스크래치 | 1×wafer 지름 점진적 길이에 대한 5 스크래치 | |||||||
| 가장 자리 칩 | 어떤 것 | 각각 3 허락된, ≤0.5 밀리미터 | 각각 5 허락된, ≤1 밀리미터 | |||||||
카탈로그 공통 사이즈
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4H-N 종류 / 고순도 SIC 웨이퍼 / 잉곳
2 인치 4H n형 탄화 규소 웨이퍼 / 잉곳
3 인치 4H n형 탄화 규소 웨이퍼 4 인치 4H n형 탄화 규소 웨이퍼 / 잉곳 6 인치 4H n형 탄화 규소 웨이퍼 / 잉곳 |
2 인치 4H 반 절연성 탄화규소 웨이퍼
3 인치 4H 반 절연성 탄화규소 웨이퍼 4 인치 4H 반 절연성 탄화규소 웨이퍼 6 인치 4H 반 절연성 탄화규소 웨이퍼 |
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6H n형 SIC 웨이퍼
2 인치 6H n형 탄화 규소 웨이퍼 / 잉곳 |
2-6inch를 위한 커스텀지드 사이즈
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SiC 애플리케이션
적용 분야
- 1 고주파와 고전력 전자 장치 쇼트키 다이오드, 접합형 전기 분해 효과 트랜지스터, BJT, 핀,
- 다이오드, IGBT, MOSFET
- 2개의 광 전자 장치 : 주로 GaN/SiC 청색 LED 기판 물질 (GaN/SiC) LED에 사용했습니다
>Packaging - 로그스트크스
우리는 패키지, 안티 스태틱인 세정, 전기쇼크요법에 대한 세부 사항과 각각 관계가 있습니다 .
제품의 양과 모양에 따르면, 우리는 다른 패키징 공정을 취할 것입니다! 거의 100 등급 세척실에서 한 개의 웨이퍼 카세트 또는 25 PC 카세트에 의해.
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