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반도체 기질

5G 톱 직경 10mm 단결정 AlN 반도체 기판

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Superconducting 얇은 Monocrystalline 기질

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Superconducting 얇은 Monocrystalline 기질

5G 톱 직경 10mm 단결정 AlN 반도체 기판

브랜드 이름:	ZMKJ
모델 번호:	UTI-AlN-10x10 단일 결정
MOQ:	1PCS
가격:	by case
포장에 대한 세부 사항:	세척실에서 매엽 컨테이너
지불 조건:	전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국

재료:

AlN 결정

두께:

400음

정위:

0001

애플리케이션:

고전력/고주파 전자기기

애플리케이션 2:

5G 톱/BAW 장치

라:

0.5nm

표면 광택:

Al face cmp, N-face mp

크리스탈 타입:

2시간

공급 능력:

10PCS/Month

강조하다:

직경 10mm Aln 기판

5G 톱 반도체 기판

단결정 Aln 기판

제품 설명

10x10mm 또는 직경 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, dia50.8mm AlN 기판 AlN 단결정 웨이퍼

AlN 템플릿의 응용

실리콘 기반의 반도체 기술은 한계에 도달했고 미래의 요구 사항을 충족하지 못했습니다.

전자 기기.질화알루미늄(AlN)은 3/4세대 반도체 재료의 대표적인 종류로

넓은 밴드갭, 높은 열전도도, 높은 항복장,

높은 전자 이동도 및 내식성/방사선성, 광전자 소자의 완벽한 기판,

RF(radio frequency) 소자, 고출력/고주파 전자 소자 등. 특히 AlN 기판은

UV-LED, UV 감지기, UV 레이저, 5G 고출력/고주파 RF 장치 및 5G SAW/BAW에 가장 적합한 후보

환경 보호, 전자 제품, 무선 통신, 인쇄,

생물학, 의료, 군사 및 기타 분야, 예를 들어 UV 정화/살균, UV 경화, 광촉매, coun?

위조 탐지, 고밀도 저장, 의료 광선 요법, 약물 발견, 무선 및 보안 통신,

항공우주/심우주 탐지 및 기타 분야.

우리는 일련의 독점 프로세스와 기술을 개발하여

고품질 AlN 템플릿.현재 당사의 OEM은 2-6인치 AlN을 생산할 수 있는 세계 유일의 회사입니다.

2020년에 300,000개 생산 능력을 갖춘 대규모 산업 생산 능력의 템플릿

UVC-LED, 5G 무선 통신, UV 감지기 및 센서 등의 시장 수요

우리는 현재 표준화된 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm 고품질 질소를 고객에게 제공합니다
알루미늄 단결정 기판 제품 및 고객에게 10-20mm 비극성 제공 가능
M 평면 질화 알루미늄 단결정 기판 또는 비표준 5mm-50.8mm를 고객에게 맞춤화
연마된 질화알루미늄 단결정 기판.이 제품은 고급 기판 소재로 널리 사용됩니다.
UVC-LED 칩, UV 검출기, UV 레이저 및 각종 고출력에 사용
/고온/고주파 전자기기 분야.

특성 사양

모델UTI-AlN-10x10B-단결정
직경 10x10±0.5mm;
기판 두께(μm) 400± 50
정위C-축 [0001] +/- 0.5°

품질등급 S등급(슈퍼) P등급(생산) R등급(연구)

균열없음 없음 <3mm
FWHM-2θXRD@(0002) <150<300 <500
FWHM-HRXRD@(10-12) <100<200 <400
표면 거칠기 [5×5µm] (nm)Al-페이스 CMP <0.5nm;N면(후면) MP <1.2um;
사용 가능 영역 90%
흡광도 <50; <70; <100;
길이 방향 {10-10} ±5°의 1st;
TTV(μm)≤30
활(μm)≤30
뒤틀림(μm)-30~30
참고: 이러한 특성화 결과는 사용된 장비 및/또는 소프트웨어에 따라 약간 다를 수 있습니다.

5G 톱 직경 10mm 단결정 AlN 반도체 기판 1

5G 톱 직경 10mm 단결정 AlN 반도체 기판 2

5G 톱 직경 10mm 단결정 AlN 반도체 기판 3

5G 톱 직경 10mm 단결정 AlN 반도체 기판 4

불순물 원소 CO Si B Na WPS Ti Fe

PPMW27 90 5.4 0.92 0.23 <0.1 <0.1 <0.5 0.46 <0.5

결정 구조	우르츠광
격자 상수(Å)	a=3.112, c=4.982
전도대 유형	직접 밴드갭
밀도(g/cm3)	3.23
표면 미세경도(누프 테스트)	800
녹는점(℃)	2750(N2에서 10-100바)
열전도율(W/m·K)	320
밴드 갭 에너지(eV)	6.28
전자 이동도(V·s/cm2)	1100
전기 파괴 필드 (MV/cm)	11.7

태그:

사파이어 기질

사파이어 광학적인 Windows

실리콘 탄화물 웨이퍼

사파이어 튜브

갈륨 질화물 웨이퍼

반도체 기질

합성 보석 스톤

세라믹 부품

과학적인 실험실 장비

사파이어 결정 회중시계 딱지

웨이퍼 캐리어 박스

Superconducting 얇은 Monocrystalline 기질

사파이어 기질

사파이어 광학적인 Windows

실리콘 탄화물 웨이퍼

사파이어 튜브

갈륨 질화물 웨이퍼

반도체 기질

합성 보석 스톤

세라믹 부품

과학적인 실험실 장비

사파이어 결정 회중시계 딱지

웨이퍼 캐리어 박스

Superconducting 얇은 Monocrystalline 기질

제품 세부 정보

5G 톱 직경 10mm 단결정 AlN 반도체 기판

사파이어 기질

사파이어 광학적인 Windows

실리콘 탄화물 웨이퍼

사파이어 튜브

갈륨 질화물 웨이퍼

반도체 기질

합성 보석 스톤

세라믹 부품

과학적인 실험실 장비

사파이어 결정 회중시계 딱지

웨이퍼 캐리어 박스

Superconducting 얇은 Monocrystalline 기질

사파이어 기질

사파이어 광학적인 Windows

실리콘 탄화물 웨이퍼

사파이어 튜브

갈륨 질화물 웨이퍼

반도체 기질

합성 보석 스톤

세라믹 부품

과학적인 실험실 장비

사파이어 결정 회중시계 딱지

웨이퍼 캐리어 박스

Superconducting 얇은 Monocrystalline 기질

5G 톱 직경 10mm 단결정 AlN 반도체 기판

직경 10mm Aln 기판

5G 톱 반도체 기판

단결정 Aln 기판