led 라이트닝 2 인치 3 인치 4 인치 동안 세미 절연 언도핑된 갈륨-비소 웨이퍼 기판

 성장법

VGF

불순물

p형 : 아연

n형 : Si

웨이퍼 형태

(dia를 둥글게 하세요 : 2 , 3 , 4 , 6 )

표면 배향 *

(100)±0.5'

* 다른 배향 아마 이용 가능한 촉탁

불순물

Si (n형)

아연 (p형)

캐리어 농도 (cm-3)

( 0.8-4) × 1018

( 0.5-5) × 1019

이동성 (cm2/V.S.)

( 1-2.5) × 103

50-120

부식 피치 비중 (cm2)

100-5000

3,000-5,000

웨이퍼 직경 (밀리미터)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

두께 (um)

350±25

625±25

625±25

TTV [P/P] (um)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (um)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

날실 (um)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

OF (밀리미터)

17±1

22±1

32.5±1

OF / 조건 (밀리미터)

7±1

12±1

18±1

Polish*

E/E,
주가 수익률,
P/P

E/E,
주가 수익률,
P/P

E/E,
주가 수익률,
P/P

성장법

VGF

불순물

SI 타입 : 탄소

웨이퍼 형태

(DIA를 둥글게 하세요 : 2 , 3 , 4 , 6 )

표면 배향 *

(100)±0.5'

* 다른 배향 아마 이용 가능한 촉탁

저항률 (Ω.cm)

≥ 1 × 107

≥ 1 × 108

이동성 (cm2/V.S)

≥ 5,000

≥ 4,000

부식 피치 비중 (cm2)

1,500-5,000

1,500-5,000

웨이퍼 직경 (밀리미터)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

두께 (um)

350±25

625±25

625±25

675±25

TTV [P/P] (um)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (um)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

날실 (um)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

OF (밀리미터)

17±1

22±1

32.5±1

눈금

OF / 조건 (밀리미터)

7±1

12±1

18±1

이용 불가능

Polish*

E/E,
주가 수익률,
P/P

E/E,
주가 수익률,
P/P

E/E,
주가 수익률,
P/P

E/E,
주가 수익률,
P/P