상세 정보 |
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제품 이름: | 6 인치 탄화규소 | 소재: | 그라파이트 SiC 웨이퍼 트레이 |
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Grade: | GSK-II/HPM-II/HPM-III | 수라페이스: | 닦인 / 연마 |
Application: | Electrolysis | 직경: | 6인치 |
강조하다: | SiC 코팅 흑연 트레이,6 인치 그라파이트 트레이,탄화규소 코팅 흑연 플레이트 |
제품 설명
6 인치 실리콘 탄화수소 SiC 코팅 그래피트 트레이 고온 저항 그래피트 판
Silicon carbide coated epitaxial sheet tray used in epitaxial furnace equipment/Silicon Carbide Coated Graphite SiC/Excellent Bending Strength Anti Corrosion Graphite Tray / Wafer Tray/Graphite composite plate high purity carbon graphite anode plate
적용
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반도체 통합 회로
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순수분자 <5ppm
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나노 스케일 코팅 및 좋은 도핑 균일성
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밀폐 성능이 좋고 강한 페인트 코팅 접착 능력
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산화 블록 탄소 원소 결합에 내성이
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전문 맞춤형 서비스
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짧은 선행 시간
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국제 공정 제품 및 안정적인 배송 시간
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급속한 제품 성능 개선 서비스
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카탈로그 일반 크기
등급 | 대량 밀도 | 굽기 힘 | 압축력 |
특수 저항성
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재 함량 |
GSK-II | 10.72g/cc 분 | 15Mpa 분 | 32MPa 분 | 8.0μΩ•m 최대 | 0최대 0.3% |
HPM-II | 10.78g/cc 분 | 18Mpa 분 | 35Mpa 분 | 최대 10μΩ•m | 0최대 0.1% |
HPM-III | 10.83g/cc 분 | 35Mpa 분 | 68Mpa 분 | 최대 10μΩ•m | 0최대 0.1% |
다른 다양한 등급의 그래피트가 있습니다. 당신이 필요로하는 재료는 위의 등급에 속하지 않는 경우, 당분간 저희에게 연락하십시오.우리의 전문적이고 경험이 풍부한 엔지니어는 귀하의 특정 응용 프로그램에 따라 가장 적합한 등급을 선택할 것입니다.. |
ZMKJ 회사
ZMKJ는 전자 및 광전자 산업에 고품질의 싱글 크리스탈 SiC 웨이퍼 (실리콘 카바이드) 를 제공할 수 있습니다. SiC 웨이퍼는 차세대 반도체 재료입니다.특유의 전기적 특성과 뛰어난 열적 특성을 가진, 실리콘 웨이퍼와 GaAs 웨이퍼에 비해 SiC 웨이퍼는 고온 및 고전력 장치 응용에 더 적합합니다. SiC 웨이퍼는 4H 및 6H SiC 모두, 지름 2-6 인치로 공급될 수 있습니다.N형, 질소 도핑, 반 단열형이 있습니다. 더 많은 제품 정보를 위해 저희에게 연락하십시오.
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