사파이어 웨이퍼 6인치 DSP SSP C 플레인 (0001) 99,999% 고순도 단 결정성 Al2O3 LED

사파이어 웨이퍼 6인치 DSP SSP C 플레인 (0001) 99,999% 고순도 단 결정성 Al2O3 LED

제품 설명 6인치 사파이어 웨이퍼:

사파이어 웨이퍼는 높은 강도 (9.0 Mohs), 좋은 투명성, 화학적 안정성 등의 특성을 가진 광물이다. 사파이어 웨이퍼는 두 가지 범주로 분류될 수 있다.천연 사피르와 합성 사피르합성 사파이어 웨이퍼는 고온 및 고압 조건 하에서 화학 반응으로 생산됩니다. 그들은 비교적 저렴한 비용으로 더 균일한 사파이어 웨이퍼를 생산 할 수 있습니다.산업 생산에 널리 사용서로 다른 합성 방법과 조건은 황금 노란색, 분홍색 등 다양한 색상과 모양의 사파이어 웨이퍼를 생산 할 수 있습니다.

6 인치 (약 150 mm) 의 기판은 일반적으로 표준 된 두께를 가지고 있으며 부피 성장에 적합합니다.녹기 방법 (베르누일 방법) 또는 용액 방법 (초크랄스키 방법) 으로 재배, 고품질의 단일 결정 사피르 기판을 생산 할 수 있습니다. 그것은 좋은 결정 품질을 제공하며 장치 성능과 신뢰성을 향상시키는 데 도움이됩니다.장기의 장기 안정성을 보장하기 위해 높은 온도 및 변화하는 환경에서 사용할 수 있습니다.. 파란색과 흰색 LED의 대동맥 성장에 널리 사용되며 좋은 GaN 기판을 제공합니다. 파란색과 흰색 LED의 대동맥 성장에 널리 사용되며 좋은 GaN 기판을 제공합니다.그것은 또한 높은 주파수 및 높은 전력 장치에서 중요한 역할을 합니다.

6인치 사파이어 웨이퍼의 캐릭터:

1화학적 안정성
부패 저항성: 사파이어는 화학적 안정성 이 뛰어나고, 여러 화학 물질 의 부패 에 저항 할 수 있다.

2광학적 특성
투명성: 가시광선 및 자외선 영역에서 좋은 투명성을 가지고 있으며 광전기 장치에 적합합니다.
낮은 빛 손실: 높은 전력 응용 프로그램에서 사피르 기판은 빛 손실을 효과적으로 줄일 수 있습니다.

3기계적 특성
높은 강도: 사파이어 강도는 매우 높고, 강한 마모 저항, 가혹한 환경에서 안정성을 유지할 수 있습니다.
단단함: 사파이어 는 단단 함 이 높지만, 단단 함 도 비교적 좋으며 어느 정도 충격 을 견딜 수 있다.

4. 열 특성
열 전도성: 좋은 열 전도성을 가지고 있으며, 효과적으로 열을 분산시킬 수 있으며, 고온 애플리케이션에 적합합니다.
열 안정성: 높은 온도 환경에서 안정적인 성능을 유지할 수 있으며 고전력 장치에 적합합니다.

5전기적 특성
단열: 사파이어는 고전압 응용 용도로 탁월한 전기 단열제입니다.

6성장 과정
고품질의 결정: 녹기 방법이나 Czochralski 방법과 같은 첨단 과정을 사용하여 고품질의 단일 결정 기판을 얻을 수 있습니다.

7크기의 표준화
6인치 사양: 표준 6인치 (약 150mm) 크기, 제조 중에 더 호환적이고 반복 가능.

6인치 사파이어 웨이퍼의 매개 변수 테이블:

6인치 사파이어 웨이퍼의 사진:

6인치 사파이어 웨이퍼의 적용:

1C 평면 사피르 웨이퍼의 적용

다른 결정 지향을 가진 사파이어 기판과 비교하면C 평면 (<0001> 지향) 사파이어 웨이퍼는 III-V 및 II-VI 그룹 물질 (GaN와 같은) 과 비교적 작은 격자 상수 불일치를 나타냅니다.또한, 둘 사이의 격자 상수 불일치와 버퍼 층으로 작용할 수 있는 AlN 얇은 필름은 더 작습니다.이 특성으로 인해 C 평면 사파이어 웨이퍼는 GaN 성장 과정에서 일반적으로 사용되는 기판 물질입니다..

GaN 에피택시 공정에서 높은 온도 요구 사항을 충족 할 수있는 능력으로 인해 C 평면 사피르 웨이퍼는 흰색 / 파란색 / 녹색 발광 다이오드 (LED) 생산에 이상적입니다.레이저 다이오드, 적외선 탐지기와 다른 장치.

2A 평면 사파이어 웨이퍼의 적용

전체적으로 뛰어난 성능, 특히 적외선 투명성으로 인해사파이어 단결 결정은 이상적인 중 적외선 창문 재료가 되었고 군사 전기 광학 장치에 널리 사용되고 있습니다.이 맥락에서, A 평면 사파이어는 극지 표면 (C 평면) 에 세로하는 비 극지 표면을 나타냅니다. 일반적으로,사파이어 결정은 a 방향으로 자라는 것 보다 더 높은 품질을 나타냅니다., 더 적은 결함, 더 적은 쌍둥이 구조와 더 완전한 결정 구조를 보여줍니다. 결과적으로, a 방향 사파이어 웨이퍼는 더 나은 빛 전송 특성을 제공합니다.

또한, A 평면에서 Al-O-Al-O의 원자 결합 배열로 인해 a 방향 사파이어는 c 방향 사파이어와 비교하여 현저히 높은 경화와 마모 저항을 자랑합니다.따라서, A 평면 웨이퍼는 주로 창문 재료로 사용됩니다. 또한 A 평면 사파이어는 균일한 변압 변수와 높은 단열 특성을 가지고 있습니다.혼합 마이크로 일렉트로닉 기술에 적용하기에 적합합니다.또한 고온 초전도체 성장 과정에도 사용될 수 있습니다.예를 들어, 타피르와 세리움 산화 (CeO2) 의 복합 기판에 TlBaCaCuO (TbBaCaCuO) 와 같은 물질을 사용하여 이성형 초전도 필름의 성장.

3R 평면 및 M 평면 사피어 웨이퍼의 적용

사파이어의 R 평면은 비극적인 표면이며, 따라서 사파이어 장치의 R 평면 위치의 변화는 다른 기계적, 열적, 전기적 및 광적 특성을 초래합니다.일반적으로, R 평면 사피르 기판은 실리콘과 이성피타시얼 퇴적에 선호되며 주로 반도체 제조에 사용됩니다.마이크로 웨브 및 마이크로 전자 통합 회로 애플리케이션R 평면 사파이어 기판은 또한 루비 공, 다른 초전도 부품, 고 저항 저항 및 갈륨 아르세나이드 생산에 사용됩니다.

스마트폰, 태블릿, 그리고 다른 기기의 보편적인 사용으로R 평면 사파이어 기판은 스마트 폰과 태블릿에서 사용되는 기존 복합 표면 음파 (SAW) 장치를 대체했습니다.그들은 성능을 향상시킬 수있는 장치의 기판으로 봉사하여 다양한 응용 프로그램에 대한 개선 된 기반을 제공합니다.

6인치 사파이어 웨이퍼의 응용 사진:

사용자 정의:

ZMSH는 C 평면, A 평면, R 평면, M 평면 등 모든 결정 지형의 사파이어 웨이퍼를 제공할 수 있습니다.

A 평면 사파이어 웨이퍼:이 웨이퍼는 균일한 변압전압 상수와 높은 단열 특성을 나타내며 혼합 마이크로 전자 분야에서 널리 사용됩니다.

M 평면 사피어 웨이퍼:근 자외선 검출에서 사파이어의 응용 전망은 광대역 MgZnO 합금 반도체 얇은 필름에 대한 관심이 증가했습니다.

R 평면 사파이어 웨이퍼:R 평면 (1-102) 사파이어 웨이퍼는 마이크로 전자 IC 응용 프로그램에서 실리콘의 대동성 퇴적에 선호되는 재료입니다. R 평면은 사파이어의 비 극면입니다.

표준 크기와 결정 방향 외에도다양한 오프-앵글 및 방향 평면 포함 여부 또한 연구 또는 비즈니스 응용 프로그램에서 고객을위한 유연성을 극대화하기 위해 제공됩니다모든 사파이어 웨이퍼는 클래스 100 클린룸에서 청소되고 포장되며 고객의 엄격한 에피타시얼 성장 요구 사항을 충족시키기 위해 직접적으로 에피타시얼 성장 (Epi-ready grade) 에 적용됩니다.얇은 또는 얇지 않은 표면오리엔테이션 평면과 함께 또는 그렇지 않은, 우리는 당신의 연구 분야에서 다양한 요구 사항을 충족하기 위해 당신의 특정 필요에 따라 생산을 사용자 정의 할 수 있습니다.

6인치 사파이어 웨이퍼의 맞춤형 사진:

FAQ:

1질문: 사파이어 웨이퍼의 크기는?

A: 우리의 표준 웨이퍼 지름은 25.4 mm (1 인치) 에서 300 mm (11.8 인치) 사이즈까지 다양합니다.웨이퍼는 다양한 두께와 방향에서 닦은 면과 닦이지 않은 면으로 생산될 수 있으며, 도판트를 포함할 수 있습니다..

2질문: 왜 사피르 기판을 사용합니까?
A:사피어는 특별한 전기 단열, 투명성, 좋은 열 전도성 및 높은 딱딱성 특성을 가지고 있습니다.따라서 그것은 기판에 대한 이상적인 재료이며 LED 및 마이크로 전자 회로에 사용됩니다., 초고속 통합 회로

3질문: 왜 더 큰 웨이퍼가 더 좋을까요?
A: 웨이퍼 크기를 늘리면 태양전지 각 세포의 표면이 더 넓어집니다.셀 및 모듈당 더 높은 전력 출력을 가져옵니다.더 큰 웨이퍼는 태양광 설비의 전체 에너지 생산을 크게 증가시킬 수 있습니다.

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