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SiC 웨이퍼 4H N형 실리콘 탄화물 2인치 4인치 6인치 8인치 DSP

SiC 웨이퍼 4H N형 실리콘 탄화물 2인치 4인치 6인치 8인치 DSP

제품 상세 정보:

Place of Origin: China
브랜드 이름: ZMSH
Model Number: Silicon Carbide

결제 및 배송 조건:

배달 시간: 2-4 주
지불 조건: T/T
최고의 가격 접촉

상세 정보

불결: 무료로 / 로우 음란 등급: Production/ Research/ 가상
저항률: 고/저 저항 에지 배제: ≤50um
입자: 무료로 / 저입자 활 / 날실: ≤50um
TTV: 2um 이하 표면 마감: 한 개의 / 양측 사이드는 광택이 났습니다
강조하다:

8인치 SiC 웨이퍼

,

4H SiC 웨이퍼

,

생산급의 SiC 웨이퍼

제품 설명

SiC 웨이퍼 4H N형 실리콘 탄화물 2인치 4인치 6인치 8인치 DSP

SiC 웨이퍼의 설명:

실리콘 탄화물 웨이퍼는 4H n형으로 제공됩니다. 이것은 실리콘 탄화물 웨이퍼에서 가장 일반적으로 사용되는 유형입니다. 이 유형의 웨이퍼는 높은 운반자 이동성으로 선호됩니다.높은 열전도성, 그리고 높은 화학 및 기계적 안정성.

실리콘 탄화탄소 웨이퍼는 생산, 연구 및 덤미의 세 가지 다른 등급으로 제공됩니다.생산급 웨이퍼는 상업용 용도로 설계되었으며 엄격한 품질 기준에 따라 생산됩니다.연구용 웨이퍼는 연구 및 개발용으로 설계되었으며 더 높은 품질 기준으로 생산됩니다.인형급 웨이퍼는 제조 공정에서 위치 보유자로 사용하도록 설계되었습니다..

SiC 웨이퍼의 성격:

 

실리콘 카바이드 (SiC) 웨이퍼는 다른 응용 프로그램 중에서도 고전력, 고주파 전자 장치에서 중요한 역할을하는 핵심 반도체 재료입니다.다음은 SiC 웨이퍼의 몇 가지 특징입니다.:
 

1광대역 간격 특성:
SiC는 넓은 대역 간격을 가지고 있으며, 일반적으로 2.3에서 3.3 전자 볼트 사이이며, 이는 고온 및 고전력 애플리케이션에 탁월하게 사용됩니다.이 광대역 틈 속성은 재료의 누출 전류를 줄이고 장치의 성능을 향상시키는 데 도움이됩니다.

 

2열전도:
SiC는 매우 높은 열전도성을 가지고 있으며, 기존의 실리콘 웨이퍼보다 몇 배 더 높습니다.이 높은 열전도성 은 고전력 전자 장치 의 효율적 인 열 분산 을 촉진 하고 장치 의 안정성 과 신뢰성 을 향상 시킨다.

 

3기계적 성질:
SiC는 높은 온도 및 혹독한 환경에서 응용에 중요한 우수한 기계적 강도와 강도를 가지고 있습니다.그리고 고 방사능 환경, 높은 강도와 내구성을 요구하는 애플리케이션에 적합합니다.

 

4화학적 안정성:
SiC는 화학적 부식에 높은 저항력을 가지고 있으며 많은 화학 물질의 공격에 저항 할 수 있으므로 안정적인 성능이 필요한 일부 특수 환경에서 잘 작동합니다.


5전기적 성질:
SiC는 높은 분해 전압과 낮은 누출 전류를 가지고 있으며, 고전압, 고주파 전자 장치에서 매우 유용합니다.SiC 웨이퍼는 저항성이 낮고 허용성이 높습니다.RF 애플리케이션에 필수적입니다.


일반적으로 SiC 웨이퍼는 뛰어난 전기, 열 및 기계적 특성으로 인해 고전력 전자 장치, RF 장치 및 광 전자 장치에서 광범위한 응용 가능성을 가지고 있습니다.

SiC 웨이퍼의 특성 표:

항목 4H n형 SiC 웨이퍼 P 등급 ((2~8인치)
직경 50.8±0.3mm 76.2±0.3mm 1000.0±0.3mm 1500.0±0.5mm 2000.0±0.5mm
두께 350±25μm 350±25μm 350±25μm 350±25μm 500±25μm
표면 방향 원동자: 4° <11-20>±0.5°
기본 평면 방향 <11-20>±1°와 평행 <1-100>±1°
기본 평면 길이 160.0±1.5mm 220.0±1.5mm 32.5±2.0mm 47.5±2.0mm 톱니
2차 평면 지향 실리콘 위면: 90° CW. 원소 평면±5.0° 제1호 제1호
2차 평면 길이 80.0±1.5mm 110.0±1.5mm 18.0±2.0mm 제1호 제1호
저항성 00.014 ∼ 0.028Ω•cm
앞면 마감 Si-Face: CMP, Ra<0.5nm
뒷면 끝 C-Face: 광학 롤링, Ra<1.0nm
레이저 마크 뒷면: C면
TTV ≤ 10μm ≤15μm ≤15μm ≤15μm ≤ 20μm
BOW ≤ 25μm ≤ 25μm ≤ 30μm ≤ 40μm ≤ 60μm
WARP ≤ 30μm ≤35μm ≤ 40μm ≤ 60μm ≤ 80μm
가장자리 제외 ≤3mm

SiC 웨이퍼의 실제 사진:

SiC 웨이퍼 4H N형 실리콘 탄화물 2인치 4인치 6인치 8인치 DSP 0

SiC 웨이퍼의 응용:

1전력 전자 장치:
SiC 웨이퍼는 전력 전자 장치의 분야에서 광범위한 응용 프로그램을 가지고 있습니다. 전력 MOSFET (금속 산화물 반도체 현장 효과 트랜지스터) 및 SCHTKEY (Schottky 장벽 다이오드).높은 분해 필드 강도와 높은 전자 포화 유동 속도 SiC 재료는 높은 전력 밀도와 높은 효율의 전력 변환기에 이상적인 선택.


2- 라디오 주파수 (RF) 장치:
SiC 웨이퍼는 RF 전력 증폭기 및 마이크로 웨이브 장치와 같은 RF 장치에서도 중요한 응용 프로그램을 찾습니다.높은 전자 이동성 및 낮은 손실의 SiC 물질은 높은 주파수 및 높은 전력 응용 프로그램에서 그들을 우수한.


3광전자 장치:
또한 SiC 웨이퍼는 광 다이오드, 자외선 감지 장치 및 레이저 다이오드와 같은 광 전자 장치에서 점점 더 많은 응용 프로그램을 찾고 있습니다.SiC 물질 의 우수한 광학적 특성 과 안정성 은 광 전자 장치 분야 에서 중요한 물질 이 된다.


4고온 센서:
SiC 웨이퍼는 뛰어난 기계적 특성 및 높은 온도 안정성으로 인해 고온 센서 분야에서 널리 사용됩니다. SiC 센서는 고온에서 안정적으로 작동 할 수 있습니다.방사선, 부식성 환경 및 항공우주, 에너지 및 산업 분야에 적합합니다.


5방사능 저항성 전자 장치:
SiC 웨이퍼의 방사능 저항성은 방사능 저항 특성이 필요한 원자력, 항공 우주 및 기타 분야에서 널리 사용됩니다.SiC 물질은 방사선에 높은 안정성을 가지고 있으며 고 방사선 환경에서 전자 장치에 적합합니다..

SiC 웨이퍼의 적용 이미지:

SiC 웨이퍼 4H N형 실리콘 탄화물 2인치 4인치 6인치 8인치 DSP 1

SiC 웨이퍼의 사용자 정의:

우리는 고객의 다양한 요구를 충족시키기 위해 고품질과 고성능의 맞춤형 SiC 웨이퍼 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.우리의 공장은 다양한 사양의 SiC 웨이퍼를 사용자 정의 할 수 있습니다., 두께와 모양을 고객의 특정 요구 사항에 따라.

FAQ:

1질문: 가장 큰 사파이어 웨이퍼는 무엇입니까?
A: 300mm (12 인치) 사파이어는 현재 라이트 에미팅 다이오드 (LED) 및 소비자 전자 제품에서 가장 큰 웨이퍼입니다.

2질문: 사파이어 웨이퍼의 크기는?

A: 우리의 표준 웨이퍼 지름은 25.4 mm (1 인치) 에서 300 mm (11.8 인치) 사이즈까지 다양합니다.웨이퍼는 다양한 두께와 방향에서 닦은 면과 닦이지 않은 면으로 생산될 수 있으며, 도판트를 포함할 수 있습니다..

3질문: 사파이어와 실리콘 웨이퍼의 차이는 무엇일까요?
A: LED는 사피르의 가장 인기있는 응용입니다. 이 물질은 투명하고 빛의 훌륭한 전도입니다.실리콘은 불투명하며 효율적인 빛 추출을 허용하지 않습니다.반도체 물질은 LED를 위해 이상적입니다. 그것은 저렴하고 투명하기 때문입니다.

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이 제품에 대한 자세한 내용을 알고 싶습니다
나는 관심이있다 SiC 웨이퍼 4H N형 실리콘 탄화물 2인치 4인치 6인치 8인치 DSP 유형, 크기, 수량, 재료 등과 같은 자세한 내용을 보내 주시겠습니까?
감사!
답변 기다 리 겠 습 니 다.