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상세 정보 |
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| Heating Method: | Graphite Resistance Heating | 입력 전원: | 3 상, 5 와이어 AC 380V ± 10% 50Hz ~ 60Hz |
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| 최대 가열 온도: | 2300 ° C | 이름용 난방력: | 80kW |
| 히터 전력 범위: | 35kW ~ 40kW | 사이클 당 에너지 소비: | 3500kW · h ~ 4500kW · h |
| Crystal Growth Cycle: | 5D ~ 7D | 메인 머신 사이즈: | 2150mm x 1600mm x 2850mm (길이 x 너비 x 높이) |
| 강조하다: | 8 인치 SiC 잉크 성장 오븐,6 인치 SiC 잉크 성장 오븐,PVT SiC 인고트 성장 오븐 |
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제품 설명
4인치, 6인치, 8인치 크리스탈을 위한 고효율 SiC 잉그트 성장 오븐
SiC 인고트 성장 용기의 요약
SiC 인고트 성장 오븐은 효율적인 실리콘 탄화물 결정 성장을 위해 그래피트 저항 가열을 사용합니다. 최대 온도는 2300 ° C로 80kW의 정량 전력으로 도달 할 수 있습니다.오븐은 주기로 3500kW·h에서 4500kW·h 사이를 소비합니다.크기는 2150mm x 1600mm x 2850mm이며 냉각 수 도속은 6m3/h입니다.아그론과 질소 가스와 진공 환경에서 작동, 이 오븐은 고품질의 SiC 잉글리스를 생산하여 일관된 성능과 신뢰할 수 있는 출력을 보장합니다.
SiC 인고트 성장 오븐의 사진
우리의 SiC 잉그트 성장 오븐의 크리스탈 특수 크리스탈 유형
SiC는 250개 이상의 결정 구조를 가지고 있지만, SiC 전력 장치에 4HC 유형만 사용할 수 있습니다.ZMSH는 고객들이 자신의 오븐을 사용하여 이 특정 결정 유형을 여러 번 재배하는 데 성공했습니다..
우리의 SiC 잉그트 성장 오븐은 고효율의 실리콘 탄화물 (SiC) 결정 성장을 위해 설계되었으며, 4인치, 6인치, 8인치 SiC 웨이퍼를 처리할 수 있습니다.PVT (Physical Vapor Transport) 와 같은 첨단 기술을 이용합니다., 렐리, TSSG (온도 경사방법), 그리고 LPE (액성 단계 Epitaxy), 우리의 오븐은 최적의 결정 품질을 보장하는 동시에 높은 성장률을 지원합니다.
오븐은 전도성 4H, 반열성 4H 및 6H, 2H 및 3C와 같은 다른 결정 유형을 포함하여 다양한 SiC 결정 구조를 성장하도록 설계되었습니다.이 구조들은 SiC 전력 장치와 반도체 생산에 매우 중요합니다., 전력 전자, 에너지 효율 시스템 및 고전압 장치의 응용에 필수적입니다.
우리의 SiC 오븐은 정밀한 온도 조절과 균일한 결정 성장 조건을 보장하여 고급 반도체 애플리케이션을 위해 고품질의 SiC 잉글릿과 웨이퍼를 생산할 수 있습니다.
우리의 SiC 잉글트 성장 오븐의 장점
1.유니크 열장 설계
축적 및 방사선 온도 경사가 정확하게 제어 될 수 있으며 온도 프로파일은 부드럽고 균일합니다. 이것은 거의 평평한 결정 성장 인터페이스를 만듭니다.결정 두께의 활용을 극대화.
원자재 효율성 향상: 열 필드는 시스템 전체에 균등하게 분포하여 원자재 내부에서 더 일관된 온도를 보장합니다.이것은 파우더 사용량을 크게 향상시킵니다., 물질 낭비를 줄입니다.
축적 온도와 방사성 온도 사이의 독립성은 양 경사도의 고정밀 제어를 가능하게 하며, 이는 결정 스트레스를 해결하고 굴절 밀도를 최소화하는 데 중요합니다.
2높은 제어 정확성
SiC 잉그트 성장 오븐은 고품질의 SiC 크리스탈을 생산하기 위해 정밀하게 설계되었습니다.광전자, 및 에너지 효율적인 기술. SiC는 우수한 열 전도성, 전기 성능 및 오래 지속되는 내구성을 요구하는 부품 제조에 중요한 재료입니다.우리의 오븐은 성장 과정 내내 일관된 성능과 우수한 결정 품질을 유지하도록 설계된 고급 제어 시스템을 갖추고 있습니다.
SiC 인고트 성장 오븐은 0.0005%의 전원 공급 정확도, ±0.05 L/h의 가스 흐름 제어 정확도, ±0.5 °C의 온도 조절 정확도로 예외적인 정확도를 제공합니다.방압 안정성 ±10 Pa이러한 세밀하게 조정 된 매개 변수는 고순도 SiC 진구와 웨이퍼를 최소한의 결함으로 생산하는 데 결정적인 결정 성장을위한 안정적이고 균일한 환경을 보장합니다.
SiC 잉그트 성장 오븐의 핵심 부품, 비율 밸브, 기계 펌프, 진공 방, 가스 흐름 미터, 분자 펌프,안정적인 작동을 제공하기 위해 원활하게 함께 작동이 특징 들 은 반도체 산업 의 엄격 한 요구 에 부응 하는 SiC 결정 을 생산 할 수 있게 한다.
ZMSH의 기술은 최첨단 결정 성장 기술을 통합하여 SiC 결정 생산에서 최고 품질을 보장합니다.우리의 장비는 파워 전자 같은 산업에 봉사하는 최적화되었습니다에너지 효율적인 솔루션과 지속 가능한 혁신의 발전을 촉진하는
3자동 조작
A외출성 반응:신호 모니터링, 신호 피드백
- 네자동 경보:초과 경계 경고, 동적 안전
자동 제어:생산 매개 변수, 원격 액세스 및 제어 실시간 모니터링 및 저장.
액티브 프롬프트:전문가 시스템, 인간-기계 상호 작용
ZMSH의 SiC 오븐은 최적의 운영 효율을 위해 첨단 자동화를 통합합니다. 자동 신호 모니터링 및 피드백 메커니즘,원격 모니터링 기능으로 실시간 매개 변수 제어이 시스템은 또한 전문가의 지원을 위해 적극적인 알림을 제공하고 운영자와 기계 사이의 원활한 상호 작용을 가능하게합니다.
이러한 특징은 인간의 개입을 최소화하고, 프로세스 통제를 향상시키고, 고품질의 SiC 진흙을 일관되게 생산하여 대규모 제조 작업의 효율성을 촉진합니다.
우리의 SiC 잉그트 성장 오븐의 데이터 시트
| 6인치 시크 오븐 | 8인치 시크 오븐 | ||
| 프로젝트 | 매개 변수 | 프로젝트 | 매개 변수 |
| 가열 방법 | 그래피트 저항 난방 | 가열 방법 | 그래피트 저항 난방 |
| 입력 전력 | 3단계, 5선 AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz | 입력 전력 | 3단계, 5선 AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz |
| 최대 난방 온도 | 2300°C | 최대 난방 온도 | 2300°C |
| 가등열력 | 80kW | 가등열력 | 80kW |
| 히터 전력 범위 | 35kW ~ 40kW | 히터 전력 범위 | 35kW ~ 40kW |
| 주기당 에너지 소비 | 3500kW·h ~ 4500kW·h | 주기당 에너지 소비 | 3500kW·h ~ 4500kW·h |
| 크리스탈 성장 순환 | 5D ~ 7D | 크리스탈 성장 순환 | 5D ~ 7D |
| 주요 기계 크기 | 2150mm x 1600mm x 2850mm (길이 x 너비 x 높이) | 주요 기계 크기 | 2150mm x 1600mm x 2850mm (길이 x 너비 x 높이) |
| 주 기계 무게 | ≈ 2000kg | 주 기계 무게 | ≈ 2000kg |
| 냉각 물 흐름 | 6m3/h | 냉각 물 흐름 | 6m3/h |
| 냉동 오븐 제한 진공 | 5 × 10−4 Pa | 냉동 오븐 제한 진공 | 5 × 10−4 Pa |
| 오븐 대기 | 아르곤 (5N), 질소 (5N) | 오븐 대기 | 아르곤 (5N), 질소 (5N) |
| 원료 | 실리콘 탄화물 입자 | 원료 | 실리콘 탄화물 입자 |
| 제품 크리스탈 타입 | 4H | 제품 크리스탈 타입 | 4H |
| 제품 결정 두께 | 18mm ~ 30mm | 제품 결정 두께 | ≥ 15mm |
| 결정 의 실제 지름 | ≥ 150mm | 결정 의 실제 지름 | ≥ 200mm |
우리의 서비스
맞춤형 단점 솔루션
우리는 PVT, Lely, 그리고 TSSG/LPE 기술을 포함한 맞춤형 실리콘 카비드 (SiC) 오븐 솔루션을 제공합니다.우리는 우리의 시스템이 당신의 생산 목표와 일치하는지 확인합니다..
고객 교육
우리는 당신의 팀이 우리의 오븐을 작동하고 유지 관리하는 방법을 완전히 이해하도록 포괄적인 교육을 제공합니다. 우리의 교육은 기본적인 운영에서 고급 문제 해결에 이르기까지 모든 것을 포함합니다.
현장 설치 및 운용
우리 팀은 개인적으로 SiC 오븐을 설치하고 운영합니다. 우리는 원활한 설치를 보장하고 시스템이 완전히 작동하는지 보장하기 위해 철저한 검증 과정을 수행합니다.
판매 후 지원
우리는 반응적인 판매 후 서비스를 제공합니다. 우리의 팀은 현장 수리 및 문제 해결에 도움을 줄 준비가 되어 있습니다.
우리는 고품질의 오븐과 지속적인 지원을 제공하는 데 전념하고 있습니다.