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상세 정보 |
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| Diameter: | 300mm 12inch | Thickness: | 750μm±15 μm |
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| Wafer Orientation: | Off axis : 4.0° toward <1120 >±0.5° for 4H-N, On axis : <0001>±0.5° for 4H-SI | Micropipe Density: | ≤0.4cm-2 |
| Resistivity: | ≥1E10 Ω·cm | Roughness: | Ra≤0.2 nm |
| Base plane dislocation: | ≤1000 cm-2 | 포장: | 매엽 컨테이너 |
| 강조하다: | 300mm SiC 웨이퍼,반도체 SiC 웨이퍼,12인치 SiC 웨이퍼 |
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제품 설명
SiC 웨이퍼 12인치 300mm 두께 750±25um Prime Dummy Reaserch 반도체용
12인치 SiC 웨이퍼
12인치 (300mm)실리콘카바이드 (SiC) 와이퍼,두께 750±25마이크론의 반도체 산업에서 중요한 재료로 뛰어난 열 전도성, 높은 분해 전압 및 우수한 기계적 특성으로 인해 사용됩니다.이 웨이퍼는 고성능 반도체 애플리케이션의 엄격한 요구 사항을 충족하기 위해 첨단 기술을 사용하여 제조됩니다.. SiC의 내재적 특성은 전통적인 실리콘 기반 반도체에 비해 더 높은 효율과 내구성을 제공하여 전력 장치 및 고온 전자 장치에 이상적입니다.
12인치 SiC 웨이퍼의 데이터 시트
| 12인치 실리콘 카비드 (SiC) 기판 사양 | |||||
| 등급 | 제로MPD 생산 등급 (Z 등급) |
표준 생산 등급 (P 등급) |
덤비 등급 (D등급) |
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| 직경 | 3 0 0 mm~1305 mm | ||||
| 두께 | 4H-N | 750μm±15μm | 750μm±25μm | ||
| 4H-SI | 750μm±15μm | 750μm±25μm | |||
| 웨이퍼 방향 | 축 밖: 4H-N의 경우 <1120 >±0.5° 방향으로 4.0°, 축 위: 4H-SI의 경우 <0001> ±0.5° | ||||
| 마이크로 파이프 밀도 | 4H-N | ≤0.4cm-2 | ≤4cm-2 | ≤ 25cm-2 | |
| 4H-SI | ≤5cm-2 | ≤10cm-2 | ≤ 25cm-2 | ||
| 저항성 | 4H-N | 00.015~0.024 Ω·cm | 00.015~0.028 Ω·cm | ||
| 4H-SI | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
| 기본 평면 방향 | {10-10} ±5.0° | ||||
| 기본 평면 길이 | 4H-N | 제1호 | |||
| 4H-SI | 톱니 | ||||
| 가장자리 제외 | 3mm | ||||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤5μm/≤15μm/≤35μm/≤55μm | ≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm | |||
| 1 거칠성 | 폴란드 Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| 고 강도 빛 으로 인해 가장자리 균열 1 고 강도 빛에 의해 헥스 판 1 고 강도 빛에 의한 다형 영역 시각적 탄소 포함 고 강도 빛에 의해 실리콘 표면 긁힘 |
아무 것도 누적 면적 ≤0.05% 아무 것도 누적 면적 ≤0.05% 아무 것도 |
누적 길이 ≤ 20mm, 단장 ≤ 2mm 누적 면적 ≤0.1% 누적 면적≤3% 누적 면적 ≤3% 누적 길이≤1 × 웨이퍼 지름 |
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| 고 강도 빛에 의한 엣지칩 | 허용되지 않는 것 ≥0.2mm 너비와 깊이 | 7개 허용, 각 1mm ≤ | |||
| 스레딩 스크루의 부착 | ≤ 500cm-2 | 제1호 | |||
| 기본 평면 위장 | ≤ 1000cm-2 | 제1호 | |||
고 강도 빛 으로 인한 실리콘 표면 오염 |
아무 것도 | ||||
| 포장 | 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 컨테이너 | ||||
12인치 SiC 웨이퍼의 사진
12인치 SiC 웨이퍼의 특성
112인치 (대 크기) 웨이퍼의 장점:
- 12인치 SiC 웨이퍼 생산 효율성 증가: 웨이퍼 크기가 증가함에 따라, 부위 단위 당 칩의 수는 크게 증가하여 제조 효율성을 크게 향상시킵니다.12인치 웨이퍼는 같은 시간에 더 많은 기기를 생산할 수 있습니다., 생산 주기를 단축합니다.
- 12인치 SiC 웨이퍼생산 비용 감소: 단일 12인치 SiC 웨이퍼가 더 많은 칩을 생산할 수 있기 때문에 칩당 제조 비용은 크게 감소합니다.더 큰 웨이퍼 는 광 리토그래피 와 얇은 필름 퇴적 같은 공정 의 효율성 을 향상 시킨다, 따라서 전체 생산 비용을 줄입니다.
- 더 높은 양: SiC 물질은 본질적으로 더 높은 결함 비율을 가지고 있지만, 더 큰 웨이퍼는 생산 과정에서 결함에 대한 더 많은 관용을 제공하여 양을 향상시키는 데 도움이됩니다.
2고전력 애플리케이션에 적합:
- 12인치 SiC 웨이퍼SiC 물질 자체는 높은 온도, 높은 주파수, 높은 전력 및 높은 전압 성능을위한 훌륭한 특성을 가지고 있습니다.그리고 5G 기지국12인치 SiC 웨이퍼는 이러한 분야에서 장치 성능과 신뢰성에 대한 요구 사항을 더 잘 충족시킵니다.
- 12인치 SiC 웨이퍼전기차 (EV) 및 충전소: SiC 장치, 특히 12인치 웨이퍼로 만든 장치, 전기차 (EV) 배터리 관리 시스템 (BMS) 의 핵심 기술로 자리 잡았습니다.동전 급 충전더 큰 웨이퍼 크기는 더 높은 전력 요구 사항을 충족시킬 수 있으며 더 높은 효율과 낮은 에너지 소비를 제공합니다.
3산업 발전 추세에 맞춰:
- 12인치 SiC 웨이퍼첨단 프로세스 및 더 높은 통합: 반도체 기술이 발전함에 따라 더 높은 통합과 성능을 가진 전력 장치에 대한 수요가 증가합니다.특히 자동차와 같은 분야에서, 재생 에너지 (태양, 풍력) 및 스마트 그리드12인치 SiC 웨이퍼는 더 높은 전력 밀도와 신뢰성을 제공 할뿐만 아니라 점점 더 복잡한 장치 설계와 작은 크기 요구 사항을 충족.
- 글로벌 시장 수요 증가: 녹색 에너지, 지속 가능한 개발 및 효율적인 전력 전송에 대한 글로벌 수요가 증가하고 있으며, 이는 SiC 전력 장치 시장을 계속 추진하고 있습니다.전기차 (EV) 와 효율적 인 전력 장비 의 급속 한 발전 은 12인치 SiC 웨이퍼 의 적용 을 확대 시켰다.
4물질적 장점:
- 12인치 SiC 웨이퍼SiC 물질은 탁월한 열 전도성, 고온 저항성 및 방사선 내성을 가지고 있습니다. 12인치 SiC 웨이퍼는 더 높은 작동 온도에서도 높은 성능을 유지할 수 있습니다.특히 고전압용으로 적합합니다., 고전력 애플리케이션.
- 12인치 SiC 웨이퍼는 더 넓은 온도 범위에서도 작동할 수 있으며, 이는 전력 전자 장치의 안정성과 내구성에 매우 중요합니다.
질문 및 답변
Q: 반도체 제조에 12인치 SiC 웨이퍼를 사용하는 것의 장점은 무엇입니까?
A: 12인치 SiC 웨이퍼를 사용하는 주요 장점은 다음과 같습니다:
- 생산 효율성 향상: 더 큰 웨이퍼는 1 단위 면적 당 더 많은 칩을 생산 할 수 있으며 제조 사이클 시간을 줄일 수 있습니다.이것은 더 작은 웨이퍼에 비해 더 높은 처리량과 더 나은 전반적인 효율을 가져옵니다..
- 생산비용 감소: 단일 12인치 웨이퍼는 더 많은 칩을 생산하여 칩당 비용을 낮추게 된다.더 큰 웨이퍼 는 또한 사진 리토그래피 와 얇은 필름 퇴적 같은 공정 의 효율성 을 높인다.
- 더 높은 양: SiC 물질은 더 높은 결함 비율을 갖는 경향이 있지만, 더 큰 웨이퍼는 결함에 대한 더 많은 관용을 허용하여 궁극적으로 양을 향상시키는 데 도움이됩니다.
Q: 고전력 시스템에서 12인치 SiC 웨이퍼의 주요 응용 분야는 무엇입니까?
A:12-인치 SiC 웨이퍼는 다음과 같은 고전력 애플리케이션에 특히 적합합니다.
- 전기차 (EV) 및 충전소: 12인치 웨이퍼로 만들어진 SiC 장치는 전력 변환 시스템, 배터리 관리 시스템 (BMS),전기차의 DC 급전전더 큰 웨이퍼 크기는 더 높은 전력 요구를 지원하며 효율성을 향상시키고 에너지 소비를 줄입니다.
- 고전압 및 고전력 전자: SiC의 우수한 열 전도성 및 높은 온도에 대한 저항은 12인치 SiC 웨이퍼를 자동차,재생 에너지 (태양), 풍력) 및 스마트 그리드 애플리케이션.
이 웨이퍼는 녹색 에너지와 지속 가능한 기술에 대한 진화하는 세계 시장에서 효율적인 전력 장치에 대한 증가하는 요구를 충족시킵니다.
태그: 12인치 SiC 웨이퍼 SiC 웨이퍼 300mm SiC 웨이퍼
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