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상세 정보 |
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| Wafer Size: | 2" 4" 6" 8"12" | Thinning Range: | 20μm - 800μm |
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| Spindle Speed: | 500 - 6000 rpm | Cooling System: | Water + Air Cooling |
| Power Supply: | AC 380V ±10%, 50/60Hz, 3-phase | 무게: | 대략 1500kg |
| 강조하다: | 완전 자동 웨이퍼 희석 기계,SiC 웨이퍼 희석 기계,GaN 웨이퍼 희석 기계 |
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제품 설명
제품 소개
웨이퍼 희석 기계는 반도체 제조에서 중요한 도구이며, 정밀한 백 밀링과 롤링을 통해 웨이퍼 두께를 줄이기 위해 설계되었습니다.이 웨이퍼 희석 기계는 높은 균일성과 표면 품질을 보장, 그것은 실리콘, GaAs, GaN, SiC와 같은 재료에 적합합니다. 그것은 전력 장치, MEMS 및 CMOS 이미지 센서와 같은 응용 프로그램에서 필수적인 역할을합니다.
작동 원칙
웨이퍼 희석 기계는 웨이퍼를 고정하고 고속 회전 밀링 바퀴로 연결하여 작동합니다.이 웨이퍼 희석 기계는 고도 제어 시스템을 통합 하 고 실시간으로 밀링 압력 및 두께를 모니터링통합 냉각 및 청소 메커니즘은 가공 생산량을 향상시키고 손상을 최소화합니다.
웨이퍼 희석 기계 사양
| 매개 변수 | 사양 | 언급 |
| 웨이퍼 크기 | Ø2"~ Ø12" (선택: Ø8" 이상) | 최대 300mm까지 지원합니다 |
| 희소화 범위 | 50μm ~ 800μm | 최소 가능한 두께: 20μm (물질에 따라) |
| 두께 정확성 | ±1μm | 선택적으로 직렬 두께를 측정하는 장치 |
| 표면 거칠성 | <5nm Ra (세밀하게 깎은 후) | 재료와 바퀴 종류에 따라 달라집니다. |
| 밀링 휠 유형 | 다이아몬드 컵 휠 | 대체 가능 |
| 스핀드 속도 | 500~6000 회전 | 스텝리스 속도 조절 |
| 진공 턱 | 지원 | 포러스 세라믹 진공 턱 |
| 냉각 시스템 | 물 + 공기 냉각 | 열 손상 방지 |
| 동작 모드 | PLC 컨트롤과 터치 스크린 | 파라미터 조절 및 프로그래밍 |
| 선택 사항 | 자동 로딩/발하, 두께 모니터, CCD 정렬 | 사용자 정의 |
| 전원 공급 | AC 380V ±10%, 50/60Hz, 3단계 | 사용자 정의 전압 옵션 |
| 기계 차원 | 대략 1800mm × 1500mm × 1800mm | 모델에 따라 약간 다를 수 있습니다. |
| 무게 | 약 1500kg | 자동 처리 시스템 없이 |
신청서
웨이퍼 희석 기계는 3D IC 포장, 전력 장치 제조, 이미지 센서,그리고 RF 칩웨이퍼 희석 기계는 종종 완전한 희석 솔루션을 제공하기 위해 뒷쪽 금속화와 같은 희석 후 과정과 결합됩니다.
또한 웨이퍼 희석 기계는 다음과 같은 시나리오에서 적용됩니다.
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첨단 포장:FO-WLP, 2.5D 및 3D 패키징을 포함하여, 더 얇은 웨이퍼가 더 높은 통합과 더 짧은 상호 연결을 가능하게합니다.
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MEMS 장치 제조:웨이퍼 희석은 구조층을 풀어주면서 센서 민감도를 향상시킵니다.
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전력 반도체 장치:SiC와 GaN 같은 물질은 전도성 손실을 줄이고 열 분비를 개선하기 위해 웨이퍼 희석이 필요합니다.
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리더 칩:웨이퍼 희석은 더 나은 광학 정렬과 전기 성능을 지원합니다.
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연구개발 및 학술:대학과 연구 기관은 반도체 구조를 탐구하고 새로운 재료를 검증하기 위해 웨이퍼 희석 기계를 사용합니다.
질문 및 답변
Q1:이 웨이퍼 희석 기계로 처리 할 수있는 재료는 무엇입니까?
A1:우리의 웨이퍼 희석 기계는 실리콘 (Si), 실리콘 탄화물 (SiC), 갈리엄 질산화물 (GaN), 사파이어, 갈리엄 아르세나이드 (GaAs) 등 다양한 재료와 호환됩니다.
Q2: 이 웨이퍼 얇게 만드는 기계는 어떻게 균일한 두께를 보장합니까?
A2: 실시간 두께 모니터링 및 적응 제어 시스템을 갖춘 정밀 밀링 헤드를 사용하여 일관된 희석 결과를 유지합니다.
Q3: 이 웨이퍼 희석 기계의 두께 범위는 무엇입니까?
A3: 웨이퍼는 재료와 응용 요구 사항에 따라 50μm 또는 더 얇게 희석 할 수 있습니다.
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