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Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy

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Superconducting 얇은 Monocrystalline 기질

Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy

브랜드 이름:	ZMSH
모델 번호:	사파이어 웨이퍼
MOQ:	10개
가격:	5usd
포장에 대한 세부 사항:	진공 패키지
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

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원래 장소:

150±0.1mm

350±15μm500±15μm1000±15μm

Ra ≤ 0.2 nm

≤ 15 μm

공급 능력:

경우에 따라

제품 설명

Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy Product Description: Our 6 inch sapphire wafer is made of high-purity single-crystal aluminum oxide (α-Al₂O₃), with standard C-plane (0001) orientation, and optional R-plane, A-plane and M-plane cuts. It is available in single-side polished (SSP) and double-side polished (DSP) finishes, with epi-ready surface quality. Standard thickness ranges from 430μm to 1300μm, with total

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