| 브랜드 이름: | ZMKJ |
| 모델 번호: | 6inch sic |
| MOQ: | 1PCS |
| 가격: | 600-1500usd/pcs by FOB |
| 포장에 대한 세부 사항: | 100 급료 청정실에 있는 단 하나 웨이퍼 포장 |
| 지불 조건: | 티 / T는, 웨스턴 유니온, MoneyGram |
4H-N 테스트 등급 6인치 지름 150mm 실리콘 카바이드 단일 결정 (sic) 기판 웨이퍼, sic 결정 잉크시크 반도체 기판,실리콘 카바이드 결정 웨이퍼
6 인치 4H 실리콘 탄화물 SiC 기질 기기 에피타시얼 성장을위한 웨이퍼 사용자 정의
카보룬드 (Carborundum) 이라고도 불리는 실리콘 카비드 (SiC) 는 화학 공식을 가진 실리콘과 탄소를 포함하는 반도체이다.SiC는 높은 온도나 높은 전압에서 작동하는 반도체 전자 장치에 사용됩니다., 또는 둘 다.SiC는 또한 중요한 LED 구성 요소 중 하나이며, 그것은 성장 GaN 장치에 인기있는 기판이며, 그것은 또한 고전력 LED에서 열 분산자로 사용됩니다.
1. 사양
| 6인치 지름, 실리콘 카비드 (SiC) 기판 사양 | ||||||||
| 등급 | 0 MPD 등급 | 생산급 | 연구등급 | 덤비 등급 | ||||
| 직경 | 1500.0mm±0.2mm | |||||||
| 두께Δ | 350μm±25μm 또는 500±25un | |||||||
| 웨이퍼 방향 | 축 외면: 4H-N의 경우 < 1120> ± 0.5° 방향으로: 6H-SI/4H-SI의 경우 < 0001> ± 0.5° | |||||||
| 주요 아파트 | {10-10} ± 5.0° | |||||||
| 기본 평면 길이 | 47.5mm±2.5mm | |||||||
| 가장자리 배제 | 3mm | |||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤15μm /≤40μm /≤60μm | |||||||
| 마이크로 파이프 밀도 | ≤ 1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤100cm-2 | ||||
| 저항성 | 4H-N | 00.015~0.028 Ω·cm | ||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
| 경직성 | 폴란드 Ra≤1 nm | |||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||
| 고 강도 빛에 의한 균열 | 아무 것도 | 1 허용, ≤2mm | 누적 길이 ≤ 10mm, 단일 길이 ≤ 2mm | |||||
| 고 강도 빛에 의해 헥스 판 | 누적 면적 ≤1% | 누적 면적 ≤2% | 누적 면적 ≤5% | |||||
| 고 강도 빛에 의한 다형 영역 | 아무 것도 | 누적 면적≤2% | 누적 면적≤5% | |||||
| 고 강도 빛에 의한 긁힘 | 1 × 와이퍼 지름의 누적 길이에 3 개의 긁힘 | 5개의 스크래치로 1×와이퍼 지름의 누적 길이 | 5개의 스크래치로 1×와이퍼 지름의 누적 길이 | |||||
| 엣지 칩 | 아무 것도 | 3개 허용, 각각 ≤0.5mm | 5개 허용, 각각 ≤1mm | |||||
| 고 강도 빛으로 인한 오염 | 아무 것도 | |||||||
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4H-N 타입 / 고순도 SiC 웨이퍼
2인치 4H N형 SiC 웨이퍼
3인치 4H N형 SiC 웨이퍼 4인치 4H N형 SiC 웨이퍼 6인치 4H N형 SiC 웨이퍼 |
4H 반 단열 / 고 순도SiC 웨이퍼 2인치 4H 반 단열 SiC 웨이퍼
3인치 4H 반열성 SiC 웨이퍼 4인치 4H 반열성 SiC 웨이퍼 6인치 4H 반 단열 SiC 웨이퍼 |
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6H N형 SiC 웨이퍼
2인치 6H N형 SiC 웨이퍼 |
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