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상세 정보 |
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| 직경: | 150±0.2mm | 폴리 타입: | 4H 반 |
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| 저항률: | ≥1E8옴·cm | SiC층 두께 전송: | ≥0.4μm |
| 결원: | ≤5개/웨이퍼(2mm>D>0.5mm) | 전면 거칠기: | 라≤0.2nm (5μm*5μm) |
| TTV: | ≤5μm | 날실: | ≤35μm |
| 강조하다: | 6인치 SiC 복합 기판,에피 준비 된 SiC 복합 기판,150mm SiC 복합 기판 |
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제품 설명
반 단열성 SiC 복합 기판 에피 준비 6인치 150mm 광 전자 장치
반열성 SiC 복합 기판에 대한 요약
광전자 장치에 설계된 반 단열 SiC 복합 기판은 뛰어난 성능으로 뛰어난 성능을 제공합니다. 이러한 기판의 다형은 4H입니다.우수한 전자 및 열 특성으로 알려져 있습니다.≥ 1E8 오프·cm의 저항성으로, 이러한 기판은 높은 정밀 애플리케이션에 필수적인 최소 누출 전류와 전자 노이즈를 줄여줍니다.
주요 특징은 이식층 두께가 ≥0.4μm이며, 대각층 성장에 대한 견고한 플랫폼을 제공합니다. 기판은 매우 낮은 빈도 밀도를 나타냅니다.크기가 0에서 0 사이의 웨이퍼 당 공허점 ≤5.5mm 및 2mm 직경. 이 낮은 결함 밀도는 장치 제조에서 높은 신뢰성과 성능 일관성을 보장합니다.
이러한 기판은 높은 분해 전압과 뛰어난 열 전도성으로 인해 고전력 및 고 주파수 광 전자 장치에 특히 적합합니다.SiC 물질의 높은 기계적 강도와 화학적 안정성 때문에 가혹한 환경에서 사용하기에 이상적입니다., 장수성과 내구성을 보장합니다.
전체적으로, 이 반 단열성 SiC 복합 기판은 현대 광전자 응용 프로그램의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.첨단 전자 및 광학 기기 개발에 대한 신뢰할 수 있는 기반을 제공.
스펙 및 스케마반열성 SiC 복합 기판
반열성 SiC 복합 기판 사진 전시
반 단열성 SiC 복합 기판 응용
반 단열성 실리콘 카바이드 (SiC) 복합 기판은 다양한 고성능 및 첨단 기술 분야에서 수많은 응용 프로그램을 가지고 있습니다.특히 가치 있는 몇 가지 핵심 분야는 다음과 같습니다.:
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고주파 전자:
- SiC 기체는 MESFET (메탈 반도체 현장효과 트랜지스터) 와 HEMT (고전자 이동성 트랜지스터) 와 같은 장치의 제조에 필수적입니다.RF (라디오 주파수) 및 마이크로 웨브 통신에 사용되는이 장치들은 SiC의 높은 열 전도성과 넓은 대역 간격으로 큰 전력 작동과 효율성을 가능하게합니다.
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전력전자:
- SiC 기판은 전력 변환기, 인버터 및 모터 드라이브와 같은 애플리케이션에 대한 전력 전자제품에서 중요합니다.이들은 전통적인 실리콘 기반 장치에 비해 효율성과 신뢰성을 향상시켜 더 높은 전압과 전류를 처리 할 수있는 장치의 개발을 가능하게합니다..
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광전자:
- SiC는 LED (광 발광 다이오드) 및 광 탐지 장치의 기판으로 사용됩니다.이 재료 의 특성 은 우수한 성능 과 오래 살 수 있는 자외선 (우르트라바이올렛) 과 파란색 LED 를 만들 수 있다.
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고온 전자제품:
- 뛰어난 열 안정성으로 인해 SiC 기판은 항공우주 및 자동차 산업과 같은 높은 온도 환경에서 사용됩니다.SiC 기반 장치는 200°C 이상의 온도에서 안정적으로 작동 할 수 있습니다..
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양자 컴퓨팅:
- SiC 기체는 양자 컴퓨팅 구성 요소 개발에 탐구되고 있습니다. 이 물질의 특성은 큐비트 및 기타 양자 장치를 만드는 데 유리합니다.
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가혹 한 환경 센서:
- SiC의 내구성은 석유 및 가스 탐사, 우주 탐사 및 산업 프로세스 모니터링과 같은 가혹한 환경에서 작동하는 센서에 적합합니다.이 센서는 극한 온도에도 견딜 수 있습니다., 압력 및 부식성 환경.
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생의료기기:
- 생의학 분야에서는 SiC 기판이 생체 호환성 및 안정성으로 임플란테블 장치 및 바이오 센서에 사용됩니다.그들은 장기적인 의료 응용을 위한 신뢰할 수 있는 플랫폼을 제공합니다..
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군사 및 방위:
- 높은 성능의 SiC는 레이더 시스템, 전자 전쟁 및 통신 시스템을 포함한 방어 응용 프로그램에 이상적입니다.고전력 및 고주파 신호를 처리 할 수있는 재료의 능력은 이러한 응용 프로그램에서 중요합니다..
반열성 SiC의 특유의 특성을 활용하여, 높은 열전도, 넓은 대역 간격, 화학적 안정성엔지니어와 연구자들은 이러한 첨단 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족시키는 장치를 개발할 수 있습니다..
질문 및 답변
Q:반 단열성 SiC란 무엇인가요?
A:반열성 실리콘 카바이드 (SiC) 는 높은 전기 저항성을 갖도록 설계된 실리콘 카바이드 재료의 일종이다.이 특징은 고 주파수 및 고 전력 전자 장치의 제조를위한 훌륭한 기판으로 만듭니다.가리움산화질소 (GaN) 트랜지스터와 다이오드와 같이, 반열성 SiC와 달리 반열성 SiC는 기생물 전도성을 최소화하여 간섭을 줄이고 장치 성능을 향상시킵니다.이 재료는 무료 충전 운반자를 보상하는 특정 도판트 또는 결함을 도입함으로써 반 단열 성질을 얻습니다.그 열 전도성 및 기계적 강도는 또한 강력한 전자 및 통신과 같은 가혹한 환경에서 응용에 적합합니다..