시코이 실시간 제어 시스템 99.9% 알고리즘 정확성 로봇 및 CNC 기계

소개
규소카바이드~에절연체 (시코이)얇은영화대표하다에이절단-가장자리수업~의합성물재료,생성~에 의해통합에이높은-품질,하나의-결정규소탄화물 (sic)층-일반적으로500에게600나노 미터두꺼운-에에이규소이산화물 (sio₂)베이스.알려진~을 위한그것은우수한열의전도도,높은전기 같은고장힘,그리고훌륭한저항에게화학적인하락,SIC,언제페어링~와 함께an단열기판,활성화그만큼개발~의장치유능한~의운영확실하게아래에극심한힘,빈도,그리고온도정황.

원칙
시코이얇은영화~할 수 있다BE제조~을 통해CMOS-호환 가능기법그런~처럼이온-절단그리고웨이퍼본딩,촉진그들의완성~와 함께전통적인반도체장치플랫폼.

이온-절단기술
하나넓게사용된방법포함됩니다그만큼이온-절단 (똑똑한자르다)접근하다,어디에이얇은sic층~이다전송에에이기판~을 통해이온심기따라 갔다~에 의해웨이퍼본딩.이것방법론,처음에개발~을 위한생산규소-에-절연체 (소이)웨이퍼~에규모,얼굴도전언제적용된에게sic.구체적으로,이온심기~할 수 있다소개하다구조적결함~에sic저것~이다어려운에게수리하다~을 통해열의가열 냉각,주요한에게상당한광학사상자 수~에광자장치.뿐만 아니라,가열 냉각~에온도~ 위에1000 °기음5월갈등~와 함께특정한프로세스제한.

에게극복하다이것들한계,기계적얇아지기~을 통해연마그리고화학적인기계적연마 (폴리싱)CMP)~할 수 있다줄이다그만큼SIC/sio₂ -시합성물층에게아래에1μm,굽힐 수 있는에이고도로매끄러운표면.반응성이온에칭 (에칭)rie)제안an추가의얇아지기노선저것최소화합니다광학사상자 수~에시코이플랫폼.~ 안에평행한,젖은산화-지원CMP가지다표시유효성~에감소표면불규칙성그리고산란효과,~하는 동안후속높은-온도가열 냉각~할 수 있다향상시키다전반적인웨이퍼품질.

웨이퍼본딩기술
an대안접근하다~을 위한제작시코이구조포함됩니다웨이퍼본딩,어디규소탄화물 (sic)그리고실리콘 (실리콘)시)웨이퍼~이다가입아래에압력,사용그만큼열적으로산화레이어~에둘 다표면에게형태에이노예.하지만,열의산화~의sic~할 수 있다소개하다현지화결함~에그만큼SIC/산화물인터페이스.이것들결함5월증가하다광학번식사상자 수또는만들다요금트래핑사이트.또한,그만큼시오 ₂층~에sic~이다자주예금사용혈장-향상되었습니다화학적인증기증착 (pecvd),에이프로세스저것5월소개하다구조적불규칙성.

에게주소이것들문제,an개선방법가지다계속 ~ 이다개발~을 위한제작3c-시코이작은 조각,어느사용합니다양극본딩~와 함께보로 실리케이트유리.이것기술유지가득한호환성~와 함께규소마이크로 머시 닝,CMOS회로,그리고의 뜻기반을 둔광자완성.또는비정질sic영화~할 수 있다BE곧장예금에sio₂/시웨이퍼~을 통해pecvd또는스퍼터링,헌금에이쉽게 한그리고CMOS-친숙한제작노선.이것들발전중요하게향상시키다그만큼확장 성그리고적용 가능성~의시코이기술~에광자.

장점
~ 안에비교에게현재의재료플랫폼그런~처럼규소-에-절연체 (SOI),규소질화물 (죄),그리고리튬니오 베이트-에-절연체 (lnoi),그만큼시코이플랫폼제안별개의성능이익~을 위한광자응용 프로그램.와 함께그것은고유한속성,시코이~이다더욱 더인식~처럼에이유망합니다후보자~을 위한다음-세대양자기술.그것은열쇠장점포함하다:

• 넓은광학투명도:시코이전시회높은투명도가로질러에이넓은유령 같은범위-~에서약400nm에게5000nm -~하는 동안유지낮은광학손실,~와 함께도파관감쇠일반적으로아래에1DB/cm.

• 다기능능력:그만큼플랫폼활성화다양한기능,포함전기의광학조정,열의동조,그리고빈도제어,만들기그것적합한~을 위한복잡한통합광자회로.

• 비선형광학속성:시코이지원합니다두번째-고조파세대그리고다른비선형효과,그리고그것또한제공에이생존 가능한기반~을 위한하나의-광자방사~을 통해엔지니어링색상센터.

응용 프로그램

시코이재료통합그만큼우수한열의전도도그리고높은고장전압~의규소탄화물 (sic)~와 함께그만큼훌륭한전기 같은격리속성~의산화물층,~하는 동안중요하게향상그만큼광학형질~의기준sic기판.이것만든다그들을고도로적합한~을 위한에이넓은범위~의고급의응용 프로그램,포함통합광자,양자광학,그리고높은-성능힘전자 장치.

활용그만큼시코이플랫폼,연구원가지다성공적으로만드는다양한높은-품질광자장치그런~처럼똑바로도파관,마이크로링그리고마이크로 디스크공진기,광자결정도파관,전기의광학변조기,마하 -Zehnder간섭계 (mzis),그리고광학빔스플리터.이것들구성 요소~이다특징~에 의해낮은번식손실그리고훌륭한기능적성능,제공건장한하부 구조~을 위한기술좋다양자의사소통,광자신호처리,그리고높은-빈도힘시스템.

에 의해활용에이얇은영화구조-일반적으로형성~에 의해레이어링하나의-결정sic (약500-600nm두꺼운)에에이규소이산화물기판 -시코이활성화작업~에까다 롭습니다환경관련높은힘,높은온도,그리고라디오-빈도정황.이것합성물설계위치시코이~처럼에이주요한플랫폼~을 위한다음-세대광전자그리고양자장치.

Q & A

Q1 :무엇~이다에이시코이웨이퍼?
A1 : 에이시코이 (Sicoi) (규소카바이드~에절연체)웨이퍼~이다에이합성물구조구성되어 있습니다~의에이얇은층~의높은-품질하나의-결정규소탄화물 (sic)결합또는예금~에an단열층,일반적으로규소이산화물 (sio₂).이것구조결합그만큼훌륭한열의그리고전기 같은속성~의sic~와 함께그만큼격리이익~의an절연체,만들기그것고도로적합한~을 위한응용 프로그램~에광자,힘전자 장치,그리고양자기술.

Q2 :무엇~이다그만큼기본애플리케이션지역~의시코이wafers?
A2 : 시코이웨이퍼~이다넓게사용된~에통합광자,양자광학,RF전자 장치,높은-온도장치,그리고힘시스템.전형적인구성 요소포함하다마이크로링공진기,마하 -Zehnder간섭계 (mzis),광학도파관,변조기,마이크로 디스크공진기,그리고빔스플리터.

Q4 :어떻게~이다시코이웨이퍼만드는?
A4 : : A4 : 시코이웨이퍼~할 수 있다BE제작사용다양한행동 양식,포함똑똑한-자르다 (이온-절단그리고웨이퍼본딩),직접본딩~와 함께연마그리고CMP,양극본딩~와 함께유리,또는직접침적~의비정질sic~을 통해pecvd또는스퍼터링.그만큼선택~의방법의존합니다~에그만큼애플리케이션그리고원한다sic영화품질.

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