상세 정보 |
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장치 계층 재료: | SIC | 오리엔테이션: | 축에 |
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SIC 두께 (19 점): | 1000Nm | 수정된 층 재료: | Al2o3 |
산화물 층 산화물 두께 (19 pts): | 3000Nm | Si 기판 층 방향: | <100> |
강조하다: | 로보틱스 실시간 제어 시스템,CNC 기계 실시간 제어 시스템 |
제품 설명
시코이 실시간 제어 시스템 99.9% 알고리즘 정확성 로보틱스 및 CNC 기계
소개
실리콘탄산에단열기 (시코이)얇은필름대표하는a절단가장자리클래스의복합재료,창조에 의해통합a높은...품질단-크리스탈실리콘탄화화물 (SiC)계층일반적으로500에600나노미터두꺼운위쪽으로a실리콘이산화탄소 (SiO2)기지알려진 것에 대해그최고열력전도성높은전기분포강도그리고훌륭합니다.저항력에화학 물질분해SiC,언제짝이 된와 함께한단열기판,가능하게 합니다.의개발의장치능력의운영신뢰성아래극한전력,주파수그리고온도조건.
원칙
시코이얇은필름할 수 있습니다될 것제조된지나가면서CMOS호환성기술그런 것로이온-절단그리고웨이퍼결합,용이하게그들의통합와 함께일반적인반도체장치기단
이온-절단기술
하나광범위하게사용방법포함됩니다의이온-절단 (똑똑해절단)접근어디a얇은SiC층이이전위쪽으로a기판지나가면서이온임플란트뒤따라에 의해웨이퍼유대감.이건방법론처음에개발에 대해생산실리콘에-단열기 (국산물)웨이퍼에규모,얼굴도전언제적용에SIC.구체적으로,이온임플란트할 수 있습니다소개구조적결함안쪽SiC그있습니다.어려운에수리통한열력소화,선도적에상당한광학손실안쪽광학기기.또한,소화에온도위쪽1000°C5월갈등와 함께특정과정한계
그쪽극복이것들제한기계적희석통한밀링그리고화학 물질기계적롤링 (CMP)할 수 있습니다줄여의SiC/SiO2네복합층에아래쪽1μm,양성a매우부드럽다표면반응성이온에치 (RIE)제안한추가희석경로그최소화광학손실안쪽시코이기단들어와평행,젖은산화지원CMP가지고 있습니다표시효과성안쪽감소표면불규칙성그리고산란영향한동안다음높은...온도소화할 수 있습니다강화전체적으로웨이퍼품질.
웨이퍼결합기술
그리고대안접근에 대해제조시코이구조물포함됩니다웨이퍼결합,어디실리콘탄화화물 (SiC)그리고실리콘 (시)웨이퍼있습니다.결합아래압력사용의열성산화층에둘 다표면에양식a넥센스하지만,열력산화의SiC할 수 있습니다소개국소화결함에의SiC/산화물인터페이스.이것들불완전함5월증가광학번식손실또는창조부과포획사이트.또한,의SiO2층에SiC이자주예금사용플라즈마강화된화학 물질증기증언 (PECVD),a과정그5월소개구조적불규칙성
그쪽주소이것들문제,한개선방법가지고 있습니다있었다개발에 대해제조3C-시코이칩,어떤사용아노드결합와 함께보로실리케이트유리.이건기술유지가득호환성와 함께실리콘미세 기계화,CMOS회로,그리고시-시-기초광학통합대안적으로,무형SiC필름할 수 있습니다될 것직접예금위쪽으로SiO2/네웨이퍼통한PECVD또는스프터링,제공a단순화그리고CMOS친근하다제조경로이것들발전상당히강화의확장성그리고적용 가능성의시코이기술안쪽광학
장점
들어와비교에전류소재기판그런 것로실리콘에-단열기 (국산물)실리콘나이트라이드 (SiN)그리고리??니오바트-에-단열기 (LNOI)의시코이플랫폼제안다른 것성능혜택에 대해광학어플리케이션와 함께그고유한성질,시코이이점점 더인정로a유망한후보자에 대해다음...세대양자기술.그키장점다음을 포함합니다.
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넓은광학투명성:시코이전시물높은투명성가로로a넓은분광범위에서대략400nm에5000nm한동안유지낮은광학손실와 함께파도 유도약화일반적으로아래쪽1dB/cm
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다기능능력:의플랫폼가능하게 합니다.다양한기능,그 중전기...광학변조열력튜닝그리고주파수통제만드는 것그적합합니다에 대해복잡함통합광학회로.
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비선형광학속성:시코이지원두 번째-하모닉세대그리고다른 것비선형영향그리고그또한제공a유력하다재단에 대해단-포톤방출지나가면서공학색상센터.
신청서
시코이소재통합의최고열력전도성그리고높은분포전압의실리콘탄화화물 (SiC)와 함께의훌륭합니다.전기단열성질의산화물층,한동안상당히강화의광학특징의표준SiC기판이건만들어줍니다그들매우적합합니다에 대해a넓은범위의고급신청서그 중통합광학,양자광학그리고높은...성능전력전자기기
레버링의시코이플랫폼,연구자가지고 있다성공적으로제조된 것다양한높은...품질광학장치그런 것로직선파도 안내기,마이크로링그리고마이크로 디스크리조너,광학크리스탈파도 안내기,전기...광학변조기,마흐젠더인터페로미터 (MZI)그리고광학빔스플리터이것들부품있습니다.특징에 의해낮은번식손실그리고훌륭합니다.기능성성능제공견고하다인프라에 대해기술예를 들어양자커뮤니케이션광학신호가공그리고높은...주파수전력시스템.
에 의해이용a얇은필름구조일반적으로형성에 의해계층화단-크리스탈시C (주변에500 푼600nm두꺼운)위쪽으로a실리콘이산화물기판 (substrate)시코이가능하게 합니다.작업안쪽까다로운환경포함높은전력,높다온도,그리고라디오...주파수조건.이건복합디자인위치시코이로a선도적플랫폼에 대해다음...세대광전자그리고양자기기.
질문 및 답변
Q1:뭐야?이a시코이웨이퍼?
A1: A시코이 (실리콘탄산에단열기)웨이퍼이a복합구조함유된의a얇은층의높은...품질단-크리스탈실리콘탄화화물 (SiC)결합된또는예금에한단열층,일반적으로실리콘이산화탄소 (SiO2).이건구조합동식품의훌륭합니다.열력그리고전기성질의SiC와 함께의격리혜택의한단열기,만드는 것그매우적합합니다에 대해응용 프로그램안쪽광학,전력전자제품,그리고양자기술.
Q2:뭐야?있습니다.의주요신청면적의시코이웨이퍼?
A2: 시코이웨이퍼있습니다.광범위하게사용안쪽통합광학,양자광학RF전자제품,높은...온도장치,그리고전력시스템.전형적부품포함마이크로링리조너,마흐젠더인터페로미터 (MZI)광학파도 안내기,변조기,마이크로 디스크리조너,그리고빔스플리터
Q4:어떻게?있습니다.시코이웨이퍼허술한 거야?
A4: 시코이웨이퍼할 수 있습니다될 것생산사용다양한방법그 중똑똑해절단 (이온-절단그리고웨이퍼결합)직접결합와 함께밀링그리고CMP,아노드결합와 함께유리,또는직접서술의무형SiC통한PECVD또는튀는 것.의선택의방법따라에의신청그리고원하는 것SiC필름품질.