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반도체 이온주입 장비

브랜드 이름:	ZMSH
모델 번호:	반도체 이온주입 장비
MOQ:	1
가격:	by case
포장에 대한 세부 사항:	맞춤형 상자
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

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반도체 이온 이식 기계

실험실용 이온 이식 장비

과학 반도체 도핑 장비

제품 설명

반도체 이온 주입 장비

이온 주입은 반도체 산업에서 주요 도핑 방법입니다. 전기장을 이용하여 가속하고, 자기장을 이용하여 질량 분리 및 빔 집속을 통해 특정 원소를 목표 물질에 주입하는 기술로, 고정밀 제어를 통해 주입량의 균일성을 보장합니다.

정밀한 제어, 비등방성 특성, 상온 공정 등의 장점으로 인해 집적 회로, 화합물 반도체, 디스플레이 패널 등 다양한 분야에 널리 적용되어 주류 도핑 공정으로 자리 잡았습니다. 이온 주입 장비는 복잡한 구조와 상당한 기술적 과제를 안고 있어 반도체 제조 공정에서 핵심적인 장비 중 하나입니다.

20년 이상의 반도체 R&D 및 제조 경험과 지속적인 기술 혁신을 바탕으로 정전 가속, 도즈 제어, 전자기 질량 분리 등 여러 핵심 기술에서 돌파구를 마련하여 두 가지 중전류 이온 주입기 모델을 개발했습니다. 당사는 이온 주입 장비의 포트폴리오를 확장하여 포괄적인 커버리지를 달성하고 반도체 제조 부문에 완벽한 이온 주입 솔루션을 제공하기 위해 노력하고 있습니다.

Ai300 이온 주입기 (12인치)

(1) 제품 개요Ai300은 12인치 웨이퍼 공정에 사용되는 중전류 빔 이온 주입 시스템으로, 첨단 반도체 제조에 최적화되어 있습니다. 주로 웰 형성, 채널 엔지니어링, CMOS 공정에서의 저농도 드레인(LDD) 구조 등 중도즈 및 중고에너지 주입 단계에 사용됩니다. 이 시스템은 안정적인 빔 전달과 정확한 각도 제어를 통해 도펀트 깊이와 농도 프로파일을 정밀하게 제어하여 소자 전기적 특성을 최적화할 수 있습니다.

(2) 주요 사양 주입 종: C, B, P, N, He, Ar주입 각도: 0°~45° (정확도 ≤0.1°)도즈 범위: 1E11~1E16 이온/cm²균일도/반복성: ≤0.5%(3) 기술적 특징 및 장점첨단 로직 소자 (CMOS, FinFET)1. 이온 주입이란 무엇이며 반도체 제조에서 왜 중요한가요?2. 중전류 빔과 고전류 빔 이온 주입기의 차이점은 무엇인가요?중전류 빔 주입기는 일반적으로 웰 형성 및 채널 엔지니어링과 같은 중간 도즈 및 더 넓은 에너지 범위의 정밀 도핑 응용 분야에 사용됩니다. 반면에 고전류 빔 주입기는 더 높은 빔 전류를 갖는 고도즈 주입에 최적화되어 있으며, 일반적으로 소스/드레인 형성 및 접점 엔지니어링에 사용됩니다.3. 내 공정에 적합한 이온 주입 시스템을 어떻게 선택하나요? 재료 유형 (Si 대 SiC)예시:첨단 CMOS 정밀 도핑에는 Ai300 사용SiC 고온 주입에는 Ai350HT 사용

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