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두꺼운 350 um 2 인치 단일 결정 인듐-인 반도체 기판 프라임
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February 20, 2023
잡담
Germanium/ 인화 인듐 / 비화 갈륨 웨이퍼
InP 웨이퍼
인화 인듐 기반을 둔 에피택셜 웨이퍼
단일 결정 InP 인화 인듐 웨이퍼 350 - 650개 um 두께
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3인치 인디움 인화수소 기판 N형 반도체 VGF 성장 방법 111 100 방향
지금 연락
실리콘 웨이퍼 4 인치 두께 500+/-20 저항성 1-10 오름·cm 오리엔테이션100 이중 측면 뽀록
지금 연락
에피 준비 4인치 인피 웨이퍼 N형 p형 EPF <1000cm^2 두께 325um±50um
지금 연락
실리콘 웨이퍼 CZ 방향성111 저항성: 1-10 (ohm.cm) 단일 측면 또는 이중 측면 폴란드
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