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상세 정보 |
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| 소재: | Sic 단 결정 4H-N 형태 | 등급: | 더미/연구/생산등급 |
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| 티씨엔크스: | 350 um 또는 500 um | 수라페이스: | 씨엠피/엠피 |
| 적용: | 장치 메이커 광택 처리 검사 | 직경: | 100±0.3mm |
| 강조하다: | 실리콘 탄화물 기질,sic 웨이퍼 |
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제품 설명
4H-N 테스트 등급 6인치 지름 150mm 실리콘 카바이드 단일 크리스탈 (sic) 기판 웨이퍼, sic 크리스탈 잉글시크 반도체 기판,실리콘 카비드 크리스탈 웨이퍼/ 맞춤형 절단 시크 웨이퍼
실리콘 카비드 (SiC) 크리스탈에 대해
카보룬드 (Carborundum) 이라고도 불리는 실리콘 카비드 (SiC) 는 화학 공식을 가진 실리콘과 탄소를 포함하는 반도체이다.SiC는 높은 온도나 높은 전압에서 작동하는 반도체 전자 장치에 사용됩니다., 또는 둘 다.SiC는 또한 중요한 LED 구성 요소 중 하나이며, 그것은 성장하는 GaN 장치에 인기있는 기판이며, 또한 고전력 LED에서 열 분산자로 사용됩니다.
4인치 지름의 실리콘 탄화물 (SiC) 기판 사양
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등급 |
제로 MPD 생산 등급 (Z등급) |
생산급 (P등급) |
덤비 등급 (D 등급) |
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직경 |
990.5-100mm |
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두께 |
4H-N |
350μm±25μm |
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4H-SI |
500μm±25μm |
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웨이퍼 방향 |
축 외면: 4.0° 1120 > 4H-N의 경우 ±0.5° 축: <0001> |
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마이크로 파이프 밀도 |
4H-N |
≤00.5cm-2 |
≤2cm-2 |
≤15cm-2 |
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4H-SI |
≤1cm-2 |
≤5cm-2 |
≤15cm-2 |
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저항성 |
4H-N |
00.015~0.025 Ω·cm |
00.015~0.028 Ω·cm |
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4H-SI |
≥1E7 Ω·cm |
≥1E5 Ω·cm |
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주요 아파트 |
{10-10} ± 5.0° |
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기본 평면 길이 |
32.5mm±2.0mm |
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2차 평면 길이 |
180.0mm±2.0mm |
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2차 평면 지향 |
실리콘 위면: 90° CW. 프라임 평면에서 ±5.0° |
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가장자리 배제 |
2mm |
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LTV/TTV/Bow/Warp |
≤4μm/≤10μm /≤25μm /≤35μm |
≤10μm/≤15μm /≤25μm /≤40μm |
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경직성 |
폴란드어 Ra≤1 nm |
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CMP Ra≤0.5 nm |
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고 강도 빛에 의한 균열 |
아무 것도 |
누적 길이≤10mm, 단장≤2mm |
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고 강도 빛에 의해 헥스 판 |
누적 면적≤00.05% |
누적 면적≤00.1% |
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고 강도 빛에 의한 다형 영역 |
아무 것도 |
누적 면적≤3% |
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시각적 탄소 포함 |
누적 면적≤00.05% |
누적 면적≤3% |
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고 강도 빛에 의한 긁힘 |
아무 것도 |
누적 길이≤1×웨이퍼 지름 |
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엣지 칩 |
아무 것도 |
5 허용,≤각 1mm |
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고 강도 빛으로 인한 오염 |
아무 것도 |
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포장 |
멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 컨테이너 |
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참고:
* 엣지 배제 영역을 제외한 전체 웨이퍼 표면에 결함 제한이 적용됩니다.
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4H-N 타입 / 고순도 SiC 웨이퍼/실록
2인치 4H N형 SiC 웨이퍼/링릿
3인치 4H N형 SiC 웨이퍼 4인치 4H N형 SiC 웨이퍼/실링트 6인치 4H N형 SiC 웨이퍼/링릿 |
4H 반 단열 / 고 순도SiC 웨이퍼 2인치 4H 반 단열 SiC 웨이퍼
3인치 4H 반열성 SiC 웨이퍼 4인치 4H 반열성 SiC 웨이퍼 6인치 4H 반 단열 SiC 웨이퍼 |
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6H N형 SiC 웨이퍼
2인치 6H N형 SiC 웨이퍼/링고트 |
2-6인치에 맞춘 크기
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판매 및 고객 서비스
재료 구매
재료 구매 부서는 제품을 생산하는 데 필요한 모든 원료를 수집하는 책임이 있습니다. 모든 제품과 재료의 완전한 추적,화학 및 물리적 분석을 포함하여 항상 사용할 수 있습니다..
품질
제품 제조 및 가공 후, 품질 관리 부서는 모든 재료와 허용 범위가 사양을 충족하거나 초과하는지 확인합니다.
서비스
우리는 반도체 산업에서 5년 이상의 경험을 가진 영업 엔지니어 직원을 자랑스럽게 생각합니다.그들은 기술적인 질문에 답하고 귀하의 필요에 맞춰 적절한 시기를 제공하도록 훈련되었습니다..
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